• Proceedings of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers Conference
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• 2005.07a
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• pp.568-569
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• 2005

한빛 자기거울 장치는 고온 플리즈마 물성을 연구하기 위한 장치로서 플러즈마 밀도 형성을 위한 slot 형 안테나 고주파 가열 시스템이 중앙 진공용기에 설치되어 있다. 본 연구에서는 이러한 고주파 전송선로, 임피던스 정합 network. 장치 임피던스를 포함하는 한빛 장치의 고주파 가열 시스템에 대하여 기존에 정립된 고주파 가열 이론[1]을 기반으로 하여 이론적인 해석만으로 구성된 회로모델을 완성하였다. 임피던스 정합 소자 값들은 임피던스 정합 조건으로 결정함으로써 다양한 장치 및 플라즈마 변수들의 함수로 표현하여 그 의존성을 조사하였다.

• Proceedings of the KIEE Conference
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• 2000.07b
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• pp.1062-1064
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• 2000

본 논문은 위치 및 속도 검출기가 없는 매입형 영구자석 전동기(interior permanent magnet motor, 이하 IPMM)의 위치 제어 기법에 관한 것이다. IPMM은 기본적으로 자기적인 돌극성(magnetic saliency)을 가지고 있지만, 그것은 부하 조건에 의해 쉽게 변하는 특성을 가지고 있기 때문에 제어 성능이 쉽게 떨어질 수 있다. 본 논문에서는 기존의 방법과 같이 그 돌극성. 혹은 임피던스 차이를 이용한다. 하지만, 회전자 위치 정보를 나타내는 임피던스 차이를 극대화하고 어떤 부하 조건에서도 성능을 유지하기 위한 고주파 신호 주입 방법이 제안된다. 제안된 방법은 IPMM의 위치 및 속도 검출기가 없는 센서리스 제어를 가능하게 한다. 단위 전류 당 최대 토오크 제어도 제안한다. 제안된 방법을 위해 다양한 부하 조건에서 IPMM의 토오크와 고주파 임피던스 특성을 분석한다. 그 특성을 기본으로 하는 속도 및 위치 추정 방법을 제안한다. 제안된 방법은 회전자 위치와 관련된 고주파 임피던스 성분을 추출한다. 실험 결과를 통해 여러 부하 조건에서 제안된 방법의 성능을 확인하였다.

• Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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• 2010.08a
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• pp.138-138
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• 2010

이중 주파수를 이용한 고주파 용량성 결합 플라즈마 장치는 반도체 및 디스플레이 생산 공정에서 널리 사용되는 장치 형태이며 일반적으로 이온 플라즈마 주파수보다 높은 주파수의 고주파 전력과 이온 플라즈마 주파수보다 낮은 주파수의 저주파 전력을 인가하여 플라즈마 발생 밀도 및 입사 이온 에너지를 독립적으로 조절할 수 있다. 용량성 결합 플라즈마 장치에서는 전극의 쉬스 임피던스가 비선형적으로 변화함에 따라 전극의 전압, 전류 및 플라즈마 전위는 수많은 고조파를 포함하게 되며, 이중 주파수가 인가된 경우 이러한 고주파와 저주파 신호의 고조파가 상호 변조된 형태로 나타나게 된다. 본 연구에서는 주파수에 따른 이온의 거동 특성 차이를 이용하여 변조된 형태의 Lieberman의 비균일 RF쉬스 모델을 가정한 고주파 쉬스를 단순한 저주파 쉬스로 모사하였다. 단순화된 저주파 쉬스 임피던스를 이용한 회로 모델을 구성하여 100MHz와 2MHz RF전력을 사용하는 용량성 결합 플라즈마 장치에서 측정된 전극 전압, 전류 및 플라즈마 전위 신호의 위상차 및 고조파 발생 특성을 분석하였다.

• Proceedings of the Korean Institute of Information and Commucation Sciences Conference
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• 2012.05a
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• pp.713-715
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• 2012

본 논문은 24GHz 차량 추돌 예방 레이더 시스템-온-칩을 위한 입력 임피던스, 전압이득 및 잡음지수를 자동으로 측정할 수 있는 새로운 형태의 고주파 자체 내부검사(BIST, Built-In Self-Test) 회로를 제안한다. 이러한 BIST 회로는 TSMC $0.13{\mu}m$ 혼성신호/고주파 CMOS 공정 ($f_T/f_{MAX}$=140/120GHz)으로 설계되어 있다. 알고리즘은 LabVIEW로 구현되어 있다. BIST 알고리즘은 입력 임피던스 정합과 출력 직류 전압 측정원리를 이용한다. 본 논문에서 제안하는 방법은 자동으로 쉽게 고주파 회로의 성능변수를 측정할 수 있기 때문에 시스템-온-칩의 저가 성능 검사의 대안이 될 것으로 기대한다.

• Proceedings of the KIEE Conference
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• 2000.07b
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• pp.1059-1061
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• 2000

본 논문에서는 속도검출기가 없는 표면부착형 영구자석 동기 전동기의 속도제어 기법을 제안한다. 표면부착형 영구자석 동기 전동기는 그 형상에 있어서는 자기적 돌극성을 가지지 않지만 기본 주파수에 비하여 높은 주파수를 가지는 전압을 전동기의 추정된 회전사의 위치와 같은 축에 인가함으로써 자속의 포화에 의한 고주파 임피던스의 차이를 관측할 수 있다. 본 논문에서는 이 고주파 임피던스의 차이를 이용하여 전동기회전자의 위치를 추정하고, 추정된 회전자의 위치를 이용하여 속도 및 위치 검출기가 없이도 벡터제어를 수행한다. 또한, 이 고주파 임피던스의 특성은 부하조건에 따라 변하기 때문에 추정하는 회전자의 위치가 부하조건에 따라서 왜곡된다. 본 논문에서는 회전자의 위치를 추정한 후 부하조건에 따라 회전자의 위치를 보정하는 기법도 제안한다. 마지막으로 실험을 통하여 제안된 기법의 타당성을 검증한다.

• Proceedings of the Korean Institute of Information and Commucation Sciences Conference
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• 2004.05b
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• pp.635-641
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• 2004

This paper presents a new low-cost RF Built-In Self-Test (BIST) circuit for measuring transducer voltage gain, noise figure and input impedance of 5.25GHa low noise amplifier (LNA). The BIST circuit is designed using 0.18${\mu}{\textrm}{m}$ SiGe technology. The test technique utilizes input impedance matching and output transient voltage measurements. The technique is simple and inexpensive. Total chip size has additional area of about 18% for BIST circuit.

• Proceedings of the Korean Institute of Information and Commucation Sciences Conference
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• 2006.05a
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• pp.902-905
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• 2006

This paper presents a new RF testing scheme based on a design-for-testability (DFT) method for measuring functional specifications of RF integrated circuits (IC). The proposed method provides input impedance. gain, noise figure. input voltage standing wave ratio (VSWR) and output signal-to-noise ratio (SNR) of a low noise amplifier (LNA). The RF test scheme is based on theoretical expressions that produce the actual RF device specifications by output DC voltages from the DR chip.

• The Journal of Korean Institute of Electromagnetic Engineering and Science
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• v.29 no.1
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• pp.10-19
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• 2018

In this paper, a new high-frequency equivalent circuit model of printed spiral coils (PSCs) for radio-frequency interference (RFI) measurement has been proposed. To achieve high-frequency modeling, the proposed model consists of distributed components designed based on the design parameters of the PSCs. In addition, an analytic model for PSCs based on T-pi conversion has been proposed. To investigate the feasibility of the proposed model for RFI measurement, the transfer function between a microstrip line and a PSC has been extracted by combining the proposed model and mutual inductance. The self-impedances of the proposed model and the transfer function have been successfully validated using three-dimensional field simulation and measurements, revealing noticeable correlations up to a frequency of 6 GHz. The proposed model can be employed for high-frequency probe design and RFI noise estimation in the gigahertz range wireless communication bands.

• Journal of the Korea Institute of Information and Communication Engineering
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• v.15 no.3
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• pp.632-638
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• 2011

This paper presents on-chip Design-for-Testability (DFT) circuit for radio frequency System-on-Chip (SoC) applications. The proposed circuit measures functional specifications of RF integrated circuits such as input impedance, gain, noise figure, input voltage standing wave ratio (VSWRin) and output signal-to-noise ratio (SNRout) without any expensive external equipment. The RF DFT scheme is based on developed theoretical expressions that produce the actual RF device specifications by output DC voltages from the DFT chip. The proposed DFT showed deviation of less than 2% as compared to expensive external equipment measurement. It is expected that this circuit can save marginally failing chips in the production testing as well as in the RF system; hence, saving tremendous amount of revenue for unnecessary device replacements.

• Proceedings of the Korean Magnestics Society Conference
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• 2002.12a
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• pp.230-231
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• 2002

고주파전류가 통전되고 있는 연자성체에 외부자계가 인가되면 자성체의 표피효과(Skin effect)에 의해서 임피던스가 변화하게 된다. 따라서 고주파의 정전류를 통전시키면 자성체의 양단에서 전압의 크기는 외부에서 인가되는 자계에 따라 변화하게 되는데, 이 때의 전압을 자계로 환산함으로써 자계의 검출이 가능하다. 이러한 현상을 이용하여 자계를 검출하는 소자를 자기임피던스 센서(Magneto-Impedance sensor)라고 한다$^{1.2}$ . 자기임피던스 센서는 주로 연자성이 우수한 아몰퍼스 자성체를 이용하여 구성되고, 구조가 간단하며, 극히 우수한 자계 검출능력을 나타내므로, 차세대의 고감도 자계센서로서 주목을 받고 있다. (중략)