• Proceedings of the KSME Conference
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• 2001.06e
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• pp.169-174
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• 2001

This paper reports on the development of high aspect ratio structure and 3-D integrated process for MEMS-based micro gas turbines. To manufacture high aspect ratio structures, Deep Reactive Ion Etching (DRIE) process have been developed and optimized. Specially, in this study, structures with aspect ratios greater than 10 were fabricated. Also, wafer direct bonding and Infra-Red (IR) camera bonding inspection systems have been developed. Moreover, using glass/silicon wafer direct bonding, we optimized the 3-D integrated process.

• The Transactions of the Korean Institute of Electrical Engineers C
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• v.49 no.1
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• pp.70-72
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• 2000

In this paper, a spacer process for FED(Field Emission Display) was developed with the glass to glass anodic bonding technology using Al film as an interlayer and a 3.5 inch monochromatic type FED was fabricated. Holder to dislocate spacers vertically was designed with (110) Si wafer by bulk etching. Spacers, $100\mum\; width\; and\; 1000\mum$ height, were formed on anode panel by spacer to glass anodic bonding and the fabricated FED was operated for emission at 1㎸ anode voltage.

• Proceedings of the Korean Institute of Surface Engineering Conference
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• 2017.05a
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• pp.132.1-132.1
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• 2017

본 연구에서는 투명전극 제조를 목적으로 전기방사법을 이용하여 미세구리 패턴을 형성하는 방법에 대하여 연구하였다. $Ag^+$이온이 용해된 폴리비닐부티랄(PVB) 고분자 용액을 폴리에틸렌 테레프탈레이트(PET)와 같은 투명기판 위에 전기방사 하여 $Ag^+$이온/PVB 복합나노와이어를 제조한 후 이를 UV 조사로 환원하여 선택적으로 촉매를 형성하였다. 이후 연속적인 무전해 구리 도금을 통하여 촉매 위에 미세구리배선을 형성함으로써, 투명전극을 제조하였다. 개발 공정을 통해 제조된 투명전극은 기존 Ag나노와이어 기반 투명전극에서 발생하던 접촉저항에 대한 문제를 해결함으로써 전기적, 광학적 특성이 우수한 차세대 유연 디스플레이에 적용 가능성을 보여주었다.

• Proceedings of the Korean Society for Technology of Plasticity Conference
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• 2005.10a
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• pp.444-447
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• 2005

In recent industry, according to pursuit the miniaturization and high-precision of machine part with development of new technology as If, BT the development of mold manufacturing technology for mass production is accompanied. In this study, after executing the injection molding process of micro structure on the plate which the aspect ratio is 10, the characteristic of each molding condition is investigated by observing the filling height.

• Proceedings of the Korean Society of Precision Engineering Conference
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• 2004.05a
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• pp.143-143
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• 2004

탄소나노튜브는 고종횡비, 10nm이하의 매우 작은 직경, 높은 전기전도도 및 열전도도, 금속 및 반도체 특성 둥의 우수한 특성 때문에 많이 사용되고 있다. 최근에는 전기적 소자나 화학적, 기계적 센서 그리고 측정용 프로브로 사용될 목적으로 탄소 나노 튜브를 전극들 사이나 끝 단이 날카로운 탐침의 끝에 위치시키는 연구가 진행되고 있다. 탄소나노튜브를 끝 단이 날카로운 탐침의 끝에 위치시켜 CNT tip을 만드는 경우, 지금까지는 수동 조작(manipulation)에 의한 방법과, 화학기상증착법(Chemical Vapor Depsosition: CVD)에 의한 성장방법이 많이 사용되고 있다.(중략)

• Journal of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers
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• v.19 no.8
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• pp.780-784
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• 2006

We present high aspect ratio air-core solenoid inductors with $100{\mu}m\;and\;200{\mu}m$ tall via structures on Pyrex wafer. The effect of various parameters such as different number of turns, via heights, pitch distance between turns on inductor's radio frequency (RF) characteristics have been studied. The highest Q factor we obtained from various solenoid inductors is 72.8 at 9.7 GHz, which was produced by a 3-turn inductor.

• Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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• 2016.02a
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• pp.282.2-282.2
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• 2016

중적외선 물질에는 Ge, ZnS, ZnSe, Si 등이 있으나 고굴절율이므로 반사가 매우 크게 발생을 한다. 이를 줄이기 위해 다층 박막 무반사 코팅을 일반적으로 사용하지만 열에 취약함, 적합한 물질을 찾는 것이 매우 어려움, 다층 박막으로 제작 시 두께가 매우 두꺼워짐의 단점이 있다. 또한 Ge, ZnS, ZnSe 의 소재는 가격이 Silicon에 비해 매우 비싸다. 그러므로 RCWA(Rigorous Coupled Wavelength Analysis) 시뮬레이션을 이용하여 상대적으로 저렴한 소재임에도 고투과성을 지닌 중적외선용 무반사 실리콘 서브파장구조(Subwavelength Structures, SWSs)를 제안한다. 본 연구에서는 원기둥, 원뿔, 파라볼라, 잘린 원뿔(truncated cone) 등의 형태에 따른 투과율 특성을 파악하여 최적구조가 파라볼라 형태임을 증명하였다. 또한 서브파장구조의 주기, 높이의 특성을 조절하여 공정 시의 종횡비(Aspect ratio)를 고려한 최적형태를 제안하였다. 중적외선 영역($3{\mu}m{\sim}5{\mu}m$)에서 일반 Silicon의 적외선 영역에서 평균 55%의 낮은 투과율을 보이나, 양면에 무반사 구조를 설계 하였을 때 평균 94%의 높은 투과율을 확인할 수 있다. 다양한 형태를 가진 무반사 실리콘 서브파장 구조물을 RCWA 방식으로 계산함으로서 특성을 파악하며 최적구조를 설계 할 수 있다. 또한 단면에 비하여 양면으로 SWSs 구조를 제작할 시 매우 두드러지는 투과특성을 확인할 수 있다. 고굴절율이지만 뛰어난 투과특성을 이용하여 초소형 적외선 카메라 렌즈 뿐만 아니라 적외선 광검출기, 광학 필터 등에 이용 가능할 것으로 예상된다.

• Journal of the Korean Ceramic Society
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• v.39 no.6
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• pp.570-575
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• 2002

The present tendency of electrical and electronics is concentrated on MEMS devices for advantage of miniaturization, intergration, low electric power and low cost. Therefore it is essential that high aspect ratio and high etch rate by HDP technology development, so that silicon deep trench etching reactions was studied by ICP equipment. Deep trench etching of silicon was investigated as function of platen power, etch step time of etch/passivation cycle time and SF$\_$6/:C$_4$F$\_$8/ flow rate. Their effects on etch profile, scallops, etch rate, uniformity and selectivity were also studied.

• Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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• 2014.02a
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• pp.482.1-482.1
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• 2014

고효율 셀 및 생산 단가 절감은 결정질 실리콘 태양전지에서 가장 중요시되고 있는 이슈이다. 그 중 박형 실리콘 웨이퍼를 사용하는 공정은 고효율 및 생산단가의 절감을 만족시킬수 있는 방안으로 개발되고 있으며, 전면 전극 재료인 Ag를 다른 금속 재료로 대체하는 방법 또한 단가 절감을 위한 방안으로 연구가 진행 중이다. 하지만 박형 웨이퍼를 기존 공정에 적용할 시 전후면 전극 형성을 위한 고온의 소성 공정 때문에 웨이퍼의 휨 현상이 문제가 되고 있다. Cu 금속 분말의 저온 분사법을 결정질 실리콘 태양전지 전면전극 형성에 적용할 경우, 박형 실리콘 웨이퍼에 적용하는 문제와 Ag 전극의 대체 전극 사용 문제를 동시에 해결할 수 있는 대안이 될 것으로 사료된다. 본 연구에서는 Cold spray법을 사용하여 결정질 실리콘 태양전지 에미터 위에 Cu 전면 전극을 형성하였으며 반복되는 증착 횟수에 따른 전기적 특성 및 형상학적 특성 등을 평가하였다. 전극 형성 전의 Cu 분말 크기는 1~10 마이크론 이었으며, 주사전자현미경을 이용하여 전극의 형상 및 종횡비를 측정하였다. 또한 transfer length method (TLM) 패턴을 실리콘 웨이퍼 표면에 형성하여 접촉 저항 특성 및 전극의 비저항을 평가하였다.

• 한국태양에너지학회:학술대회논문집
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• 2011.04a
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• pp.293-298
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• 2011

The most widely used method to form an electrode in industrial solar cells are screen printing. Screen printing is characterized by a relatively simple and well-known production sequence with high throughput rates. However the method is difficult to implement a fine line width of high-efficiency solar cells can not be made. The open circuit voltage(Voc) and the short circuit current density(Jsc) and fill factor(FF) need to be further improved to increase the efficiency of silicon solar cells. In this study, gravure offset printing method using the multicrystalline-silicon solar cells were fabricated. Gravure off-set printing method which can print the fine line width of finger electrode can have the ability reduce the shaded area and increase the Jsc. Moreover it can make a high aspect ratio thereby series resistance is reduced and FF is increased. Approximately $50{\mu}m$ line width with $35{\mu}m$ height was achieved. The efficiency of gravure off set was 0.7% higher compare to that of scree printing method.