• Title/Summary/Keyword: 고전압

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고전압 측정기술

  • 길경석;이복희;하성철
    • 전기의세계
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    • v.46 no.8
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    • pp.41-46
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    • 1997
  • 최근 가스절연변전소와 같은 컴팩트화된 전력설비의 사용으로 과도전압 및 충격전류의 측정시 오차를 유발시키고 장해를 가져오는 요인 중에서 가장 현저한 것은 전자계 현상이며, 이에 대한 대책과 장해의 제거방법이 검토되어야만 한다. 또한 전력기기의 사용 중에 발생되는 과도전압과 충격전류는 진행파로서 작용하여 발생지점과 측정위치에 따라 달라지므로 종래의 저항분압기, 용량성분압기로는 정확한 측정이 불가능하기 때문에 전기적 신호의 과도적 현상을 직접 감지할 수 있는 측정장치가 필요하다. 다음의 3가지 고전압 측정기술은 피측정대상에 따라 가장 적합하게 제안된 것으로 측정응답을 개선하고 전자계의 영향을 최소화함으로써 정확한 측정이 가능하다.

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A development of high-frequency, high-voltage, pulse transformer for TWT high-power density HVPS (진행파관증폭기용 고밀도 고전압전원긍급기용 고주파수, 고전압, 펄스 변압기 변압기 개발)

  • Kim, S.C.;Kim, D.H.;Nam, S.H.
    • Proceedings of the KIEE Conference
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    • 2003.07b
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    • pp.1205-1207
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    • 2003
  • 고전압 전원공급기를 고 밀도로 제작하기 위하여 고 주파수 동작을 시켜야 한다. 이에 따라 전원 공급기에서 최대의 부피를 차지하는 부품인 변압기는 원하는 주파수에서 최소의 부피로 충분한 전력을 수강하면서 완벽한 펄스재현을 하여야 한다. 그리고 승압비를 일정수준으로 유지하여야 한다. 이러한 변압기의 설계 및 제작 시 주의하여야 한다. 진행파관 증폭기용 고밀도 고전압전원공급기용 고주파수, 고전압, 펄스 변압기 변압기를 설계, 제작 시험하였다. 변압기의 스윗칭 주파수는 80 kHz 이며 입력전압은 265 Vdc이고 출력전압은 4kVdc 이다. 변압기의 정상 출력은 1.7 kW이다. 그리고 최대부피는 $200\;cm^3$ 이하가 되어야 한다. 본 논문에서는 다양한 권선 방법에 의하여 제작된 변압기에 대하여 변압기의 설계 및 시험절차가 제시되었다. 그리고 변압기의 누설 인덕턴스, 분포 케페시턴스 및 공진 주파수도 측정하여 평가하였다.

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고전압 대전류 송전에 적합한 절연관 부스바 소개

  • Park, Byeong-Jun
    • 열병합발전
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    • s.80
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    • pp.21-27
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    • 2011
  • 고전압, 대전류의 송전을 위한 기존의 케이블 포설법과 부스덕트 시공법상 발생하기 쉬운 여러 문제점에 대한 보완 개선되어 새롭게 개발된 HiViPS (High Voltage/Current Insulation Pipe Bus-bar System)라는 복합 차폐 절연관 부스바(Complex Insulation Pipe Tubular Bus-bar)를 소개한다.

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고전압.대전류 펄스파워기술의 현황과 전망

  • 이형호;제환영
    • 전기의세계
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    • v.46 no.8
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    • pp.53-58
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    • 1997
  • 본 고에서는 상기에서 알 수 있듯이 생산업체용, 환경산업용, 군수산업용, 대체에너지용 등에서 국제적 첨단기술로 각광받고 있는 고전압.대전류 펄스파워기술의 현황을 기술하여 2000년대 초에 폭발적으로 수요가 증가할 본 기술의 중요성을 강조코져 한다.

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The Fast Interlock Controller for High Power Pulse Modulator at PAL-XFEL (고전압 펄스 모듈레이터의 고속 인터록 제어)

  • Kim, S.H.;Park, S.S.;Kwon, S.J.;Lee, H.S.;Kang, H.S.;Ko, I.S.;Kim, D.S.;Seo, M.H.;Lee, S.Y.;Moon, Y.J.
    • Proceedings of the KIEE Conference
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    • 2015.07a
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    • pp.818-819
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    • 2015
  • PAL-XFEL 장치에 사용 할 고전압 펄스 모듈레이터 출력파워는 수 ${\mu}s$ 범위의 짧은 고전압(400 kV), 대전류(500 A) 펄스를 요구한다. 이러한 펄스파워를 얻기 위해서 PFN(Pulse Forming Network)에 에너지를 축적하고, 플라즈마 스위치인 싸이라트론을 통하여 에너지를 신속하게 클라이스트론 쪽으로 전달한다. 클라이스트론은 모듈레이터에서 공급하는 펄스 전원을 이용하여 RF를 증폭하는 대출력 고주파 증폭장치이다. 고전압 펄스 모듈레이터 제어기는 고속펄스 신호처리 모듈(Fast Pulse Signal Conditioning Module), PLC(Programmable Logic Controller)로 구성되어 있다. 고전압 펄스 모듈레이터에 사용하는 대용량 싸이라트론은 고전력을 스위칭 할 때 발생하는 스위칭 노이즈는 매우 크다. 이러한 노이즈는 모듈레이터의 출력 시그널인 빔 전압, 빔 전류, EOLC(End of Line Clipper) 전류, DC high voltage에 섞여 있으면서 신호 왜곡 및 제어장치의 고장을 유발시킨다. 이처럼 노이즈가 많이 포함되어 있는 아닐로그 신호를 깨끗한 신호(a clean signal)로 바꾸어주는 노이즈 필터링 장치인 고속펄스 신호처리 모듈을 제작하여 실험한 결과를 알아보고 모듈레이터 인터록 시스템인 PLC에서 Dynamic Interlock의 응답시간을 빠르게 하기위한 회로 수정에 대한 결과에 관하여 기술하고자 한다.

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A study on process optimization of diffusion process for realization of high voltage power devices (고전압 전력반도체 소자 구현을 위한 확산 공정 최적화에 대한 연구)

  • Kim, Bong-Hwan;Kim, Duck-Youl;Lee, Haeng-Ja;Choi, Gyu-Cheol;Chang, Sang-Mok
    • Clean Technology
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    • v.28 no.3
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    • pp.227-231
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    • 2022
  • The demand for high-voltage power devices is rising in various industries, but especially in the transportation industry due to autonomous driving and electric vehicles. IGBT module parts of 3.3 kV or more are used in the power propulsion control device of electric vehicles, and the procurement of these parts for new construction and maintenance is increasing every year. In addition, research to optimize high-voltage IGBT parts is urgently required to overcome their very high technology entry barrier. For the development of high-voltage IGBT devices over 3.3 kV, the resistivity range setting of the wafer and the optimal conditions for major unit processes are important variables. Among the manufacturing processes to secure the optimal junction depth, the optimization of the diffusion process, which is one step of the unit process, was examined. In the diffusion process, the type of gas injected, the injection time, and the injection temperature are the main variables. In this study, the range of wafer resistance (Ω cm) was set for the development of high voltage IGBT devices through unit process simulation. Additionally, the well drive in (WDR) condition optimization of the diffusion process according to temperature was studied. The junction depth was 7.4 to7.5 ㎛ for a ring pattern width of 23.5 to25.87 ㎛, which can be optimized for supporting 3.3 kV high voltage power devices.

High Voltage Resonant DC-DC Converter Design for X-Ray Imaging (X-Ray 진찰용 고전압 공진형 DC-DC 컨버터 설계)

  • Baek, Jong-Mu;Joo, Hae-Jong;Cho, Moon-Taek;Lee, Chung-Sik
    • Journal of the Korean Society of Radiology
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    • v.4 no.4
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    • pp.11-16
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    • 2010
  • In this paper, including the X-ray high voltage resonant inverter generators and high frequency high voltage transformer operating systems is proposed. X-ray generator removes the noise and was smaller, 50[kHz] to work more with the driving frequencies, and that occurred when the normal power supply available due to noise, survey the conditions and solve the problems of the poor was a problem. In addition, X-ray tube voltage, frequency controllers and tube current controller filament heating voltage transformer for high frequency transformer design and manufacture of doing X-ray devices were to become more efficient operation.

A Study on the High Voltage CCPS Using a Resonant Frequency Tracking Type Series Resonant Inverter (공진주파수 추적형 직렬공진 인버터를 이용한 고전압 CCPS에 관한 연구)

  • Rho, Sung-Chan;Kim, Youn-Ho
    • Journal of the Korean Institute of Illuminating and Electrical Installation Engineers
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    • v.19 no.7
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    • pp.107-112
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    • 2005
  • RThis paper presents a high voltage capacitor charging power supply(CCPS) using a series resonant inverter. The CCPS adopted a 45[kHz] IGBT series resonant inverter using PLL control and a high-efficiency, high-voltage transformer. The performance test of the CCPS was carried out with a 14 nF load capacitor at 100[kV] output voltage and 200[Hz] repetition rate. Peak power rate of 18.75[kJ/sec] and charging time of 4.5[mS].

Development of High Voltage Power Supply for Image Intensifier Tube (영상증폭관을 위한 고전압 전원장치 개발)

  • Chung, Se-Kyo;Lim, Jeong-Gyu;Kwon, Dae-Hwan;Lee, Dae-Sik
    • The Transactions of the Korean Institute of Power Electronics
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    • v.14 no.2
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    • pp.128-133
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    • 2009
  • This paper describes the development of a miniature high voltage power supply for driving an image intensifier tube (IIT). The IIT is used for portable night vision devices to observe an object in the dark. A small-sized high voltage power supply generating thousands volts from the battery power source is needed to drive the IIT. This paper presents the design and implementation of the high voltage power supply for the IIT. The experimental results are provided to verify the operation of the developed power supply.