• Electrical & Electronic Materials
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• v.6 no.1
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• pp.50-54
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• 1993

각종 monomer를 공중합시킨 PE의 고전계 전기전도와 X선 유기 TSC(X-ray induced thermally stimulated current)를 측정하고 공중합 monomer의 영향에 대하여 검토하였다. 할로겐을 함유한 공중합 PE에서 고전계 전기전도가 억제되는 것을 관찰하였다. 또 할로겐을 함유하는 monomer를 공중합시킨 PE의 X선 유기 TSC에서는 공중합에 의한 전자 trap은 약 0.4eV정도로 평가된다. 이들 시료에서 절연 파괴 강도가 상승한 것은 전자 트랩이 전자의 전계가속을 억제하여 고전계 전기전도를 억제시키고 절연파괴강도를 향상 시킨 것으로 추측된다.

• Journal of the Korean Institute of Illuminating and Electrical Installation Engineers
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• v.16 no.1
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• pp.35-43
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• 2002

In the last decade, considerable efforts have been made to make a new class of solid state high power, high speed electronic device, namely, the Photo-Conductive Power Switch(PCPS), and to characterize the high-field performance of PCPS under high power, high voltage conditions. But the problem of surface flashover phenomena persist, preventing the realization of reliable and efficient high-speed, high voltage switching devices. It is essential to have a clear understanding on the physical processes behind the surface flashover problem to develop new technologies and device architectures so as to fabricate PCPS that are capable of high-field high-voltage. Also, it is imperative to identify new materials that could satisfy the requirements for high-field, high-power devices. Since surface flashover, surface breakdown phenomena is observed for all the devices that foiled at the applied field much lower than semiconductor bulk breakdown field, surface passivation is considered one of the important practical methods to improve the high field performance of the devices. Therefore, this paper was studied the main properties and mechanism of the semiconductor surface flashover before and after passivation under high electric-field.

• 전기의세계
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• v.25 no.6
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• pp.26-28
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• 1976

(차례) 1.고전압공학의 의의 2.고전압공학의 동향

• Communications of the Korean Mathematical Society
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• v.13 no.4
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• pp.691-725
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• 1998

무한차원 상공간에서의 디리클레 형식과 이에 관계된 확산과정에 대한 일반 이론을 소개하고, 이 이론을 물리학의 통계역학 모델에 적용하였다. 구체적으로, 고전 비유계 스핀계에 대한 통계역학적인 모델, 연속체 공간에서 상호 작용하는 무한 입자계에 대한 통계역학적인 모델에 응용하였다. 아울러서 확률 미분 방정식과 같은 디리클레 형식에 관련된 연구분야에 대해서도 간단히 알아보았다.

• Journal of the Korean Electrochemical Society
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• v.14 no.4
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• pp.219-224
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• 2011

Using an electrolyte additive, we examined, for the first time, a novel self-ordering regime of 160~200 V in high-field anodization which had been used for a fast fabrication of self-ordered anodic alumina nanotemplate. FE-SEM analyses conducted after the high-field anodization, pulse detachment and chemical widening of pores showed the relationship of 2.2 nm/V in this voltage range, which was identical to the previously reported one in the literature. The growth rate of the alumina film was about 60 um/hr, which was 30 times faster than that of phosphoric acid mild anodization. This study provides a new process for the fast fabrication of nanotemplates with interpore distances larger than 300 nm.

• Review of KIISC
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• v.14 no.3
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• pp.1-7
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• 2004

양자알고리듬들 중 쇼의 알고리듬은 공개키 암호체계의 근간을 이루는 소인수분해를 고전알고리듬보다 훨씬 빨리 처리할 수 있다. 고전컴퓨터로 N자리 수를 소인수분해 하는데 걸리는 시간은 exp$[(InN)^{1/3}(In In N)^{2/3})]$에 비례하지만 쇼의 양자풀이법을 사용하면 약$(InN)^3$ 보다 적은 시간이 걸린다. 이 알고리듬의 핵심은 양자계의 중첩이라는 성질을 이용해서 푸리에 변환을 모든 데이터에 대해 병렬적으로 동시에 처리함으로서 주기를 빠르게 찾는다는 것이다. 이러한 양자전산의 이점은 모든 연산이 중첩된 상태에 독립적으로 작용한다는 자연계의 선형성에서 비롯된다. 고전컴퓨터에서도 병렬처리를 하지만 양자적 병렬처리를 고전컴퓨터의 병렬처리로 대신할 수는 없다. N비트로 나타내지는$2^N$ 개의 숫자에 대해 동시에 병렬처리 하는데 양자컴퓨터는 한대면 되지만 고전컴퓨터는 $2^N$대가 필요하므로 비트수가 증가하면 필요한 고전컴퓨터의 수가 비현실적으로 증가하기 때문이다. 이 알고리듬의 수행으로 얻어지는 결과는 확정적인 것이 아니며 확률적으로 율은 당을 얻는다. 어떤 수가 약수가 되는지 아닌지는 금방 확인해 볼 수 있으므로 서너 번 이와 같은 시행착오 과정을 거쳐 옳은 답을 얻는다 해도 문제가 되지는 않는다.

• 전기의세계
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• v.46 no.8
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• pp.41-46
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• 1997

최근 가스절연변전소와 같은 컴팩트화된 전력설비의 사용으로 과도전압 및 충격전류의 측정시 오차를 유발시키고 장해를 가져오는 요인 중에서 가장 현저한 것은 전자계 현상이며, 이에 대한 대책과 장해의 제거방법이 검토되어야만 한다. 또한 전력기기의 사용 중에 발생되는 과도전압과 충격전류는 진행파로서 작용하여 발생지점과 측정위치에 따라 달라지므로 종래의 저항분압기, 용량성분압기로는 정확한 측정이 불가능하기 때문에 전기적 신호의 과도적 현상을 직접 감지할 수 있는 측정장치가 필요하다. 다음의 3가지 고전압 측정기술은 피측정대상에 따라 가장 적합하게 제안된 것으로 측정응답을 개선하고 전자계의 영향을 최소화함으로써 정확한 측정이 가능하다.

• Korean Journal of Materials Research
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• v.6 no.6
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• pp.605-609
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• 1996

MOS 소자의 얇은산화막(thin oxide)불량을 화학적으로 식각하지 않고 불량부위를 광전자방사(photon emission)반응을 이용하여 위치를 확인하고, 이곳을 FIB로 절단하여 불량부위의 단면을 관찰했다. 20nm 두께의 SiO2불량은 셀(cell)영역의 위치에 따른 의존성은 없고, 불량은 저전계의 입자(particle)성 불량과 중간전계의 Si 기판 핏(pit)과 관련된 불량이 주였다. 고전계에서는 전형적인 SiO2 산화막의 절연파괴가 일어난 것이 관찰된다.

• Proceedings of the KIEE Conference
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• 2004.07c
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• pp.2037-2039
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• 2004

고전압 전력기기분야에 광섬유 전압센서를 적용해보고자하는 연구는 20여년 전부터 꾸준히 진행되어 왔었다. 본 연구에서는 구조가 간편한 광섬유 패브리페로 간섭계를 이용한 고전압기기 적용형 전압센서가 시도되었다. 신호변환은 정전력을 이용하여 전압의 변화를 광섬유스트레인센서로 검출하며, 해상도를 확보하기 위하여 공진기의 길이를 1cm, 위상을 스캐닝하는 변조방법을 적용하였고, 교류전압 1000V까지 적용 타당성을 시험하였다.

• The monthly packaging world
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• s.142
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• pp.102-106
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• 2005