• Proceedings of the Korean Institute of Surface Engineering Conference
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• 2012.05a
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• pp.196-196
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• 2012

녹색 형광체 $Ca_{1-1.5x}MoO_4:Tb_x{^{3+}}$ 세라믹 형광체를 고상 반응법을 사용하여 $Tb^{3+}$ 이온의 농도를 변화시키면서 소결 온도 $1050^{\circ}C$와 환원 온도 $950^{\circ}C$에서 각각 5 시간과 2 시간 반응시켜 합성하였다. 형광체의 결정 구조, 여기 및 발광 특성의 변화를 각각 X-선 회절 장치와 광여기 발광 분광기를 사용하여 측정하였다. XRD 결과로부터, 합성된 모든 형광체 분말의 주 피크는 (112)면에서 회절된 신호임을 확인할 수 있었다. 형광 특성의 경우에 여기 스펙트럼은 303 nm를 중심으로 넓은 밴드를 형성하였고, $Tb^{3+}$ 이온의 농도가 증가함에 따라 550 nm에 주 피크를 갖는 녹색 형광 스펙트럼의 세기는 감소하였다.

• Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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• 2015.08a
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• pp.185.1-185.1
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• 2015

본 연구에서는 라디오파 마그네트론 스퍼터링 방법을 사용하여 증착 온도를 변화시켜면서 Eu 이온이 도핑된 MgMoO4 적색 형광체 박막을 사파이어 기판 상부에 성장하였다. 타겟은 고상반응법을 사용하여 직접 제작하였다. 형광체 박막의 구조, 표면, 광학적 특성은 X-선 회절장치, 주사전자현미경, 투과도 및 광여기발광 측정장치를 사용하여 측정하였다, 증착 온도는 100, 200, 300, $400^{\circ}C$이었으며, 증착 후 $870^{\circ}C$에서 열처리 공정을 실행하였다. 이와 더불어, $400^{\circ}C$에서 증착한 박막을 다양한 온도 $770-920^{\circ}C$에서 열처리를 수행하여 각각의 특성을 분석하였다. 증착 온도 $200^{\circ}C$에서 성장한 박막의 경우에 614 nm에 피크를 갖는 주 적색 발광 피크가 관측되었으며, 열처리 온도를 달리한 박막의 경우에는 $920^{\circ}C$에서 가장 강한 발광 피크가 나타났다. UV-VIS 분광광도계를 사용하여 박막의 투과도와 흡광도를 측정하였으며, Tauc의 모델을 사용하여 밴드갭 에너지를 계산하였다. 증착 온도 변화에 따라 성장된 박막의 투과도는 평균 82% 이상 이었으며 밴드갭 에너지는 4.1 eV이었다. 박막의 결정 구조는 단사정계임을 확인하였다. 특히, 결정 입자, 발광 피크의 세기와 투과도의 상관 관계를 조사하였다.

• Electrical & Electronic Materials
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• v.5 no.2
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• pp.189-197
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• 1992

고온 초전도체 $Y_{1}$Ba$_{2}$Cu$_{3}$O$_{7-y}$에서 Y를 Sm으로 치환시켰을 때의 자기 임계 전류밀도와 저항은 각각 30K와 80-160K의 온도에서 측정되었다. 그리고 X-선 회절분석 및 적외선 투과율 측정은 실온에서 수행되었으며 시료들은 고상 반응법에 의해서 제조되었다. 93K근에의 값을 갖는 초전도 전이온도 T$_{c}$는 치환양에 따라 거의 변하지 않았다. 시료들의 결정구조는 X-선 회절무늬로 부터 모두 직방정계임이 판명되었다. 적외선 투과율 측정에서 날카로운 peak들은 472.78-618.53$cm^{-1}$ /범위에 있었다. 이것은 특이할 정도로의 low-lying plasmalike edge와 낮은 에너지의 전자적인 여기가 존재함을 나타내는 것이다. 자기 임계 전류밀도는 $10^{3}$~$10^{4}$A/$cm^{2}$범위에 있었다. 전이온도 T$_{c}$에 상자성 불순물의 영향이 거의 없는 것으로 보아 123phase에서 Y가 고온 초전도성에 주된 역할을 하지 않음을 알수 있었다.다.

• Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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• 1999.07a
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• pp.49-49
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• 1999

리튬 이차 전지를 박막화함으로써 개발된 고상의 마이크로 박막전지는 임의의 크기 및 형태로의 제작이 가능하며 액체전해질을 사용하지 않기 때문에 작동 중 열 또는 기체 생성물이 생기지 않아 높은 안정성을 갖으며 광범위한 사용 온도 범위를 가진다. 위와 같은 장점으로 인하여 충전 가능한 고상의 박막형 리튬 이차 전지는 점진적으로 그 사용 범위가 크게 확대될 것으로 판단된다. 즉, 초소형 전자, 전기 소자는 물론이며 조만간 실현될 스마트 카드, 셀루러폰 및 PCS와 같은 개인용 휴대 통신장비의 전력 공급계로의 응용이 가능할 것이다. 특히 장수명, 고에너지 밀도를 갖는 초소형의 전지를 필요로 하는 microelectronics, MEMS등에 이용될 수 있는 이차전지에 대한 요구가 점점 가시화 됨에 따라 박막공정을 이용한 이차전지개발기술이 요구되고 있으며, 박막제조기술을 이용한 고상의 박막형 및 전지에 관한 연구가 증가하고 있다. 본 연구에서는 박막형 리튬 이차전지의 Cathode 물질로써 비정질의 산화바나듐 박막을 반응성 스퍼터링에 의하여 상온에서 증착하였다. 박막형 이차전지의 여러 가지 Cathode 물질중 산화바나듐은 다른 물질들과는 달리 비정질 형태로 매우 우수한 충방전 특성을 나타낸다. 이런 특성으로 인해 다소 전지자체의 성능은 낮지만 저전력 저전압을 필요로 하는 초소형 전자 소자와 혼성되어 이용할 수 있는 잠재성이 매우 높은 물질이다. 바나듐 타겟의 경우 타겟 표면의 ageing에 따라 증착되는 박막의 특성이 매우 달라지게 되므로 presputtering의 시간을 변화시키면서 실험하였다. 또한 스퍼터링 중의 산소의 분압도 타겟의 ageing에 많은 영향을 주므로 실험 변수로 산소분압을 변화시키면서 실험하였다. 증착된 산화바나듐 박막의 표면은 scanning electron microscopy로 분석하였으며 구조 분석은 X-선 회절분석, X-ray photoelectron spectroscopy 그리고Auger electron spectroscope로 하였다. 증착된 산화바나듐 박막의 전기화학적 특성을 분석하기 위하여 리튬 메탈을 anode로 하고 EC:DMC=1:1, 1M LiPF6 액체 전해질을 사용한 Half-Cell를 구성하여 200회 이상의 정전류 충 방전 시험을 행하였다. Half-Cell test 결과 박막의 결정성과 표면상태에 따라 매우 다른 전지 특성을 나타내었다.

• Applied Chemistry for Engineering
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• v.10 no.5
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• pp.772-777
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• 1999

$Y_2Ba_1Cu_1O_5(Y211)$ powders were prepared by pyrophoric synthesis method and by solid state reaction method using $Y_2O_3(99.9%)$, $BaCO_3(99.9%)$, and CuO(99.9%) powders in both of these processes. The phase formation and reaction kinetics of $Y_2Ba_1Cu_1O_5$ powders have been studied using X-ray diffraction analysis(XRD) of samples at various heat treatment temperatures and reaction time. The reaction characterization suggested that the phase formation rate is mainly controlled by the particle size of Y211 powders. The activation energy(${\Delta}E_a$) of Y211 phase formation in this pyrophoric synthesis method was found to be 136.42 kJ/mol compared with 149.46 kJ/mol for that of solid state reaction method. These results data showed that the pyrophoric synthesis method is kineticaly more efficient than the solid state reaction method in this $Y_2Ba_1Cu_1O_5$ system.

• The Journal of the Petrological Society of Korea
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• v.6 no.3
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• pp.210-225
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• 1997

From their general natures of peraluminous, S-type and ilmenite-series granites, two-mica granites in the Cheongsan, Inje-Hongcheon, Yeongju and Namwon areas were originated from crust-derived granitic magma and solidified under reducing condition. Each two-mica granite in Inje-Hongcheon and Namwon districts was differentiated from the the residual magma of porphyric biotite granite and high Ti/Mg biotite granite, respectively. The genetic relationships between two-mica granite and porphyritic biotite granite in Chenongsan district and between two-mica granite and biotite granodiorite in Yeongju district are ambiguous. In Namwon district granitic magmas were water-saturated and possible water solubilities in magmas were more than 5.8wt.%. In Yeongju district two-mica granitic magma was nearly water-saturated and showed possible water solubilities between 2.4~5.8wt.%. Two-mica granitic magmas in Cheongsan and Inje-Hongcheon districts were water-undersaturated. Pressure-dependent minimum melt compositions (0.5~2kb) and petrographic textures of two-mica granites in Inje-Hongcheon and Yeongju districts represent that the granites intruded and solidified at shallow level, whereas those in Cheongsan and Namwon districts exhibit relatively deeper level of granitic intrusion (2-3kb). The intersection of granite-solidus/muscovite stability indicates that magmatic primary muscovite can be crystallized from the water-saturated magma above 1.6kb (ca. 6km), but below the pressure muscovite can be formed by the subsolidus reaction. On the other hand, more pressure would be necessary for the crystallization of primary muscovite from the water-undersaturated magma. This pressure condition can explain the occurrence of primary and secondary muscovites from the two-mica granites in the areas considered. The experimental muscovite stability must be cautious of the application to examine the origin of muscovite. The muscovite stability can move toward high temperature field with adding of Ti, Fe and Mg components to the octahedral site of pure muscovite end member.

• Korean Journal of Microbiology
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• v.27 no.2
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• pp.77-84
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• 1989

The temperature sensitive (ts) mutation on RNA1 gene of Saccharomyces cerevisiae prevents growth at restrictive temperature ($36^{\circ}C$) by accumulation of precursor tRNA, rRNA and mRNA (Hutchison et al., 1969; Shiokawa and Pogo, 1974; Hopper et al., 1978). RNA1 gene was cloned by complementation of the temperature sensitive growth defect of an rna1-1 mutant strain and identified by retransformation and concomitant loss of recombinant plasmid on non-selective condition. By deletion mapping, it was found that RNA1 gene resides within 3.5kb of BgII fragment.

• Journal of the Korean Vacuum Society
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• v.16 no.4
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• pp.279-285
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• 2007

We have demonstrated structural evolution and optical properties of the Si-NWs on Si (111) substrates with synthesized nanoscale Au-Si islands by rapid thermal chemical vapor deposition(RTCVD). Au nano-islands (10-50nm in diameter) were employed as a liquid-droplet catalysis to grow Si-NWs via vapor-liquid-solid mechanism. Si-NWs were grown by a mixture gas of $SiH_4\;and\;H_2$ at pressures of $0.1{\sim}1.0$Torr and temperatures of $450{\sim}650^{\circ}C$. SEM measurements showed the formation of Si-NWs well-aligned vertically for Si (111) surfaces. The resulting NWs are 30-100nm in diameter and $0.4{\sim}12um$ in length depending on growth conditions. HR-TEM measurements indicated that Si-NWs are single crystals convered with about 3nm thick layers of amorphous oxide. In addition, optical properties of NWs were investigated by micro-Raman spectroscopy. The downshift and asymmetric broadening of the Si optical phonon peak with a shoulder at $480cm^{-1}$ were observed in Raman spectra of Si-NWs.

• Journal of Sensor Science and Technology
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• v.6 no.1
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• pp.43-48
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• 1997

$Ca_{10}(PO_{4})_{6}(OH)_{2}$ humidity-sensitive devices were fabricated by a solid reaction method, and their humidity-sensitive characteristics were investigated. The impedance decreases with increasing relative humidity, and the good sensitivity is shown in which impedance changes by about $10^{2}\;{\Omega}$ over the region of $30{\sim}90\;%$. Also, It is shown that the humidity sensitivity is stable in temperature variations and long time exposures to the humidity. The sensitivity of the specimens is not affected by a heat treatment, and the hysteresis in one humidity cycle is negligible.

• Journal of the Korean Chemical Society
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• v.67 no.4
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• pp.236-240
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• 2023

Non-concentration quenching EuGa₂S₄ and Eu₂Ga₂S₅ phosphors, in which the concentration of Eu²⁺ activator ion is 100%, were synthesized by a solid state reaction at temperature range from 800 to 1050 ℃. The wavelength of maximum intensity (λ_max) of EuGa₂S₄ and Eu₂Ga₂S₅ phosphors are 546 and 581 nm, respectively. An examination of the X-ray diffraction patterns and photoluminescent properties of EuGa₂S₄ and Eu₂Ga₂S₅ phosphors revealed that EuGa₂S₄ and Eu₂Ga₂S₅ phosphors were formed at lower temperature range (800~900 ℃) and higher temperature range (1000~1050 ℃), respectively.