• 한국정보통신학회논문지
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• 제19권11호
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• pp.2590-2596
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• 2015

메타분석은 여러 실증연구의 정량적인 결과를 통합과 분석을 통해 전체 결과를 조망할 기회를 제공하는 통계적 통합 방법이다. 우리나라 학술지에 게재된 대사증후군 위험요인에 관한 연구들을 계량적으로 통합하고 검토해보기 위해 진행하였다. 본 연구는 대사증후군에 대한 문헌적 고찰을 통해 선행연구를 살펴보고 열거된 요인에 관한 실증 분석된 연구들을 메타분석 하기 위해 2000년-2015년 국내 학술지에 게재된 36편 논문을 연구대상으로 하였다. 메타분석 결과 허리둘레 사전 사후 경로에서 가장 큰 효과 크기(r = .420)인 것으로 나타났다. 두 번째 큰 효과 크기는 고밀도지단백콜레스테롤 사전 사후 경로(r = -.402)인 것으로 나타났다. 그런데 이완기 혈압 사전 사후 경로가 가장 작은효과 크기(r = .234)인 값을 확인할 수 있었다. 따라서 연구결과를 바탕으로 학문적 실무적 의의를 논의하였다.

• 한국항해항만학회:학술대회논문집
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• 한국항해항만학회 2006년도 춘계학술대회 및 창립 30주년 심포지엄(논문집)
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• pp.5-11
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• 2006

K대학 실습선 28명의 선원에 대하여 40일간 원양하기 전과 후의 혈액과 소변의 생화학적 분석을 통하여 볼 때 원양 후 부원 및 모든 연령에서 요소질소와 요산지수(Creatine 및 Uric acid)가 증가된 것으로 보아 선상생활이 신장의 기능을 나쁘게 하거나 기능저하를 초래했다고 판단되어진다. 또 총콜레스테롤(TC)과 고밀도지단백콜레스테롤(HDL-C) 및 저밀도지단백콜레스테롤(LDL-C)은 원양 전보다 후에 유의하게 감소한 반면에 중성지방(TG)은 유의하게 상승하였다. 한편 원양 전과 후 사관부와 부원 그리고 갑판부, 기관부, 사주부간에 증가와 감소의 현상은 보이지만 유의한 차이는 나타나지 않았다. 그러나 연령별로는 TC와 HDL-C가 30대, 40대에서 유의하게 감소하였고, TG는 30대가 유의하게 증가하였는데 특히 30대에서 몇몇 선원에 대해서는 원양 후 TG의 높은 증가를 보여 고지혈증이 의심되고 있다. 또한 소변검사에서도 간세포성기능 및 신장기능의 이상을 진단하는 담즙색소(UBG)와 요담백(PRO)에서 원양 전과 후 모두 양성반응이 나타난 선원이 각각 7명과 5명이었다. 특히 우로빌리노겐(Urobilinogen : UBG)이 원앙 전 1명이 양성이었으나 원양 후 7명이 양성반응이 나타나서 한 달간 원양을 통하여 간세포성기능이 저하되었거나 이상이 있음을 보여주고 있다.

• 한국전기전자재료학회:학술대회논문집
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• 한국전기전자재료학회 2005년도 하계학술대회 논문집 Vol.6
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• pp.46-47
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• 2005

이번 연구는 $BCl_3/CF_4$ 플라즈마를 사용하여 반도체소자 제조 시 널리 이용되는 GaAs 계열반도체 중 대표적인 재료인 GaAs/AlGaAs 및 GaAs/InGaP 구조를 선택적으로 건식 식각한 후 분석한 것이다. 공정변수로는 ICP 소스파워를 0-500W, RIE 파워를 0-50W 그리고 $BCl_3/CF_4$ 가스 혼합비를 중점적으로 변화시켰다. $BCl_3$ 플라즈마만을 사용한 경우 (20$BCl_3$, 20W RIE power, 300W ICP source power, 7.5mTorr) 는 GaAs:AlGaAs의 선택비가 0.5:1 이었으며 이때 GaAs의 식각률은 ~2200${\AA}/min$ 이었으며 AlGaAs의 식각률은 ~4500${\AA}/min$ 이었다. 식각 후 표면의 RMS roughness은 < 2nm로 깨끗한 결과를 보여주었다. 15% $CF_4$ 가스가 혼합된 $17BCl_3/3CF_4$, 20W RIE power, 300W ICP source power, 7.5mTorr의 조건에서 3분 동안 공정한 결과 순수한 $BCl_3$ 플라즈마만을 사용한 경우보다 표면은 다소 거칠었지만 (RMS roughness: ~8.4) GaAs의 식각률 (~980nm/min)과 AlGaAs와 InGaP에 대한 GaAs의 선택도 (GaAs:AlGaAs=16:1, GaAs:InGaP=38:1)는 크게 증가하였다. 그리고 AlGaAs 및 InGaP의 경우 식각 시 나타난 휘발성이 낮은 식각 부산물 ($AlF_3:1300^{\circ}C$, $InF_3:1200^{\circ}C$)로 인하여 50nm/min 이하의 낮은 식각률을 보였고, 62.5%의 $CF_4$가 혼합된 $7.5BCl_3/12.5CF_4$플라즈마의 조건에서는 AlGaAs 및 InGaP에 대한 GaAs의 선택도가 각각 280:1, 250:1을 나타내었다.

• 한국전기전자재료학회:학술대회논문집
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• 한국전기전자재료학회 2007년도 하계학술대회 논문집 Vol.8
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• pp.116-116
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• 2007

21 세기에 접어들면서 인터넷을 통한 정보 통신의 발달과 개인 휴대용 이동 통신기기의 활발한 보급에 따라 휴대형 전자기기들의 소형화와 고성능화로 나아가고 있다. 이러한 전자기기에 사용될 IC의 내장 메모리 또한 집적화 및 고속화, 저 전력화가 이루어져야 한다. 이러한 전자기기들에 필수적인 압전 세라믹스 부품 중 압전 부저 및 기타 음향 부품등을 각종 전자기기와 무선 전화기에 채택함으로써 압전 부품에 대한 수요와 생산이 계속 증가할 것으로 전망된다. 이처럼 압전 세라믹스를 이용한 그 응용 범위는 대단히 방대하며, 현재 모든 압전 부품들은 PZT 계열 재료로 만들어지고 있고, 차후 모두 비납계열 재료로 대체될 것이 확실시된다. Pb의 환경오염은 이미 오래전부터 큰 문제점으로 인식되고 있었으며 그 일례로 미국의 캘리포니아 주에서는 1986년부터 약 800종의 유해물질, 그 중에서도 Pb 사용을 300ppm 이하로 규제하는 Proposition 65를 제정하여 실행하고 있다. 그리고 2003년 2월에 EU (European Union) 에서 발표한 전자산업에 관한 규제 사항중 하나인 위험물질 사용에 관한 지칭 (Restriction of Hazardous Substance, RoHS) 에 의하면, 2006 년 7월부터 전기 전자 제품에 있어서 위험 물질인 Pb을 포함한 중금속 물질(카드늄, 수은, 6가 크롬, 브롬계 난연재)의 사용을 금지한다고 발표하였다. 비록 전자세라믹 부품에 함유된 Pb는 예외 사항으로 두었지만 대체 가능한 물질이 개발되면 전자세라믹 부품에서도 Pb의 사용을 금지한다고 규정하였다. 더욱이 일본은 2005 년부터 Pb 사용을 금지시켰다. 이와 같이 Pb가 환경에 미치는 영향 때문에 비납계 강유전 물질 및 압전 세라믹스 재료에 대한 연구가 전 세계적으로 활발히 진행되고 있다. 본 연구에서는 비납계 강유전체의 patterning을 위해서, NKN 박막을 고밀도 플라즈마원인 ICP를 이용하여 식각 mechanism을 연구하고, 식각변수에 따른 식각 공정을 최적화에 대하여 연구하였다. 가스 혼합비에 따라 식각 할때 700 W의 RF 전력과 - 150 V의 직류 바이어스 전압을 인가하였고, 공정 압력은 2 Pa, 기판 온도는 $23^{\circ}C$로 고정하였다. 식각 속도는 Tencor사의 Alpha-step 500을 이용하여 측정되었으며 식각 시 NKN 박막 표면과 라디칼과의 화학적인 반응을 분석하고 식각 메커니즘을 규명하기 위하여 XPS(x-ray photoelectron spectroscopy)를 사용하였다.

• Archives of Plastic Surgery
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• 제37권4호
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• pp.400-408
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• 2010

Purpose: Complete septal extension grafts have been widely used in rhinoplasty for effective projection of the short retruded columella in Asian patients. Autologous septal cartilages and porous high-density polyethylene sheets are frequently used as septal extension grafts. This study was conducted to compare the postoperative results of porous polyethylene sheets and septal cartilages used for correction of unilateral cleft lip nasal deformities by using photogrammetric analysis. Methods: This study investigated a total of 49 patients with cleft lip nasal deformities who underwent corrective surgery, and were followed up for at least 6 months. Septal cartilages were used in 39 patients, and porous polyethylene sheets were used in 10 patients. In all patients, through the open rhinoplasty, complete septal extension grafts were sutured to the caudal margin of the septal cartilage, and the alar cartilage was sutured with suspension. The cleft side alar cartilage was overcorrected by approximately 3 - 5 mm. Postoperative outcomes were evaluated by using photogrammetric analysis. Five indices and 4 angles were measured on their photographs taken before and after the surgery. In patients with unilateral cleft lip nasal deformities, symmetry was also evaluated by means of columellar length index. Results: The postoperative values obtained in photogrammetric analysis showed improvements in comparison with the preoperative ones. The polyethylene group produced more improved outcomes than the septal cartilage group but also resulted in more complications at the same time. Conclusion: The results of this study indicates that complete septal extension grafts are efficient for the correction of unilateral cleft lip nasal deformities. However, since postoperative complications occur more frequently in the polyethylene group than in the septal cartilage group, caution is advised in using porous high-density polyethylene sheets in patients with cleft lip nasal deformities.

• 한국진공학회지
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• 제15권6호
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• pp.630-636
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• 2006

플래시 메모리 반도체의 고집적화와 고밀도화가 진행함에 따라 플래시 메모리의 트랜지스터 안 선폭을 중심으로 게이트 패턴의 미세화가 진행 중이다. 최근 100 nm 이하의 선폭을 구현하기 위해서 ONO(oxide-nitride-oxide)를 사용하기 위한 연구가 개발 중이고, 이러한 100 nm이하의 미세 선폭으로 갈수록 식각 속도와 식각의 프로파일은 중요한 요인으로 작용하고 있다. ICP 식각 장비를 이용하여, power를 50 W 증가 하였을 때, 각각 식각 속도와 포토레지스트와의 선택비를 확인 한 결과 platen power를 100 W로 올렸을 경우 가장 좋은 결과를 나타내었다. 100 W에서 HBr가스의 유량에 변화를 주었을 경우 가스의 양을 증가 할수록 식각 속도는 감소하였지만, 포토레지스트와의 선택비는 증가함을 보였다. 유도결합 플라즈마 식각 장비를 가지고 platen power를 100 W, HBr gas를 35 sccm 공급하여 하부 층에 노치가 형성이 안되고, 식각 속도 320 nm/min, 감광액과의 선택비 3.5:1, 측면식각 프로파일이 수직인 공정 조건을 찾았다.

• 대한교통학회지
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• 제21권3호
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• pp.47-56
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• 2003

서울시 주요가로의 대부분이 외국도시에 비해 고밀도 개발가로라는 점을 고려할 때 대중교통우선가로제를 도입할 필요가 있다. 시범가로축으로 우선순위가 가장 높은 강남대로축을 선정하여 현황 분석결과 강남대로축에서 버스전용차로의 속도가 '00년 기준으로 하루 평균 11.73km/h에 불과하고 이는 일반차로의 평균인 16.74km/h에 비해서도 5km/h 이상 낮은 것으로 나타났다. 강남대로의 버스서비스 수준을 획기적으로 개선하기 위해 본 연구에서는 중앙버스전용차로제 도입, 차로수 축소, 버스노선조정, 대중교통환승요금 추가 할인, 경부고속도로 시내유출입 램프 조정, 세가로 접근관리 등의 다양한 개선 대안을 제안하였다. 사례연구 결과 중앙차로제 도입시 강남대로의 일반차로의 속도는 25.1km/h에서 26.1km/h로 개선되고 버스전용차로도 14.4km/h에서 35km/h로 개선되는 것으로 추정되었다. 또한 버스의 분담율이 6∼8% 가까이 증가하고, 특히 수도권 장거리 통행의 경우 버스분담율이 13.4% 까지 획기적으로 개선되는 것으로 추정되었다. 향후 연구과제로서 서울시 교통정책에 실질적인 적용을 위해서는 버스노선개편과 환승 요금 추가 할인 등 추가 개선안에 대하여 내용을 확정한 후 다각적이며 면밀한 분석을 수행하는 것이 필요하다. 또한 미시적인 분석을 통해 도로상에서 중앙버스전용차로가 교통 흐름에 주는 영향과 이에 따른 일반차량의 운전행태 등과 같은 미시적인 영향에 대하여 짧은 시간간격으로 그 변화를 예측할 수 있도록 하여야 할 것이다.

• 대한교통학회지
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• 제26권4호
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• pp.135-147
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• 2008

도시의 무분별한 확대를 방지하고 대중교통 이용을 활성화 하기 위한 다양한 노력이 지속되고 있으며, 그 중 하나가 대중교통지향형 도시개발(TOD)이다. 이는 대중교통결절점을 중심으로 여러 구성요소가 조화롭게 개발되는 계획기법이다. 본 연구의 목적은 밀도(Density) 및 다양성(Diversity) 등의 토지이용특성과 가로망 및 건물형성 등의 도시설계특성이 대중교통이용증대에 미치는 영향을 서울시를 대상으로 실증적으로 파악하는 것이다. 먼저 토지이용특성과 도시설계특성을 대변하는 다양한 계획요소를 고찰하고 서울시를 대상으로 총 32개의 계획요소를 도출하였다. 다음으로 요인분석을 수행하여 7개의 요인을 도출한 후, 다중회귀분석을 수행하였다. 그 결과 전반적으로 업무 및 상업중심의 고밀도 특성과 토지이용의 복합화, 그리고 협소한 가로망이 밀집되어 있는 특성은 대중교통이용증대에 매우 큰 긍정적인 영향이 있었다. 그러므로 신도시개발시 또는 기존 역세권을 정비할 때 이와 같은 요소의 반영은 대중교통의 이용을 증대시켜 대중교통중심도시가 형성될 수 있음을 본 연구결과는 보여주고 있다.

• 한국진공학회지
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• 제19권6호
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• pp.495-500
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• 2010

원자층 증착법(ALD: atomic layer deposition)을 이용하여 PES (poly (ether sulfon)) 기판위에 증착 온도, 플라즈마 파워에 따라 $Al_2O_3$와 $TiO_2$ 박막을 증착했다. 공정 조건에 따라 $Al_2O_3$와 $TiO_2$ 박막의 밀도, 탄소의 함유량이 달라지는 것을 알 수 있었으며, 공정 조건을 변화시켜 고밀도의 박막을 얻을 수 있었다. 플라즈마에 의한 PES 기판 손상을 막기 위해 buffer layer를 도입했으며, 또한 박막 내부 결함에 의한 수분 투과를 지연 또는 막기 위해 다층 구조를 증착했다. 이를 분석하기 위해 MOCON test를 이용해 투습률을 조사하였다. 플라스틱 기판에 다층 구조의 무기물 보호막을 적용했을 시 플라스틱 기판의 투습률 특성이 개선되었으며, 수분 투과에 대한 activation energy 또한 증가하는 것을 알 수 있었다.

• 한국재료학회지
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• 제9권12호
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• pp.1245-1251
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• 1999

상변화형 광디스크는 직접 반복기록에 의한 고속기록, 고밀도화가 가능하고 높은 전송속도, 재생신호의 C/N (carrier to noise) 비가 좋은 장점을 가지고 있으나 반복되는 열에너지에 의한 디스크의 변형과 소거도의 저하, 기록 반복성의 저하가 문제가 된다. 이러한 반복성의 저하를 개선하기 위해 적절한 디스크의 구조와 기록막의 상하부에 유전체 보호막인 ZnS-$SiO_2$ 박막층을 삽입하였다. 박막 제조시 많은 실험변수의 제어를 위해 다꾸찌 방법을 통하여 타겟 R.F. Power 200W, 기판 R.F. Power 20W, 아르곤 압력 4mTorr, 전극거리 6cm의 최적조건을 얻을수 있었다. TEM과 XRD분석 결과, 전극거리가 가까워질수록 높은 증착속도로 인하여 미세한 조직구조를 가지고 있으며, 일정거리 이상 가까워지면 막의 morphology에 나쁜 영향을 끼침을 알 수 있었다. 이러한 막의 morphology의 영향으로 투과율이 감소하는 것을 확인할 수 있었다. AFM과 SEM분석에서는 전극거리가 가까워질수록 높은 증착속도로 인하여 morphology에 나쁜 영향을 끼치고 있음을 확인할 수 있었다. 최적조건에서 증착한 박막은 우수한 morphology를 가진 초미세구조의 치밀하고 결함이 없는 박막이었다. 이 박막은 상변화형 광디스크에서 열적 변형을 억제하고, 열전도를 감소시켜 우수한 유전체 보호피막의 역할을 할 수 있다. 그리고, 전극거리가 ZnS결정립의 크기와 증착속도, morphology에 미치는 영향에 대해 고찰하였다.