• 콘크리트학회지
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• 제14권6호
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• pp.96-101
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• 2002

최근 들어 기술ㆍ설계능력의 비약적 발전과 부동산 수요증가에 따른 지가 상승 및 용지 부족으로 인한 부지의 효율적 이용 방안으로 각종 건축물의 대형화, 고층화, 다양화가 되어 고밀도 철근배근의 건축 구조물은 점차 증가하고 있는 실정이다.(중략)

• 한국대기환경학회:학술대회논문집
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• 한국대기환경학회 2003년도 춘계학술대회 논문집
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• pp.71-72
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• 2003

급속한 고도성장에 의한 도시화는 인구의 고밀도화, 교통문제, 도시문제 등의 각종 환경문제를 야기시키고 있다. 특히 교통문제는 늘어나는 교통량에 비해 교통기반시설이 너무도 부족하여 시간대 구분없이 교통체증이 날로 심각해지고 있다. 따라서 지상교통 수단의 한계를 해소하기 위해 많은 승객들을 신속하고 안전하게 수송할 수 있는 교통수단으로 지하철을 건설하게 되었다. 지하공간의 활용이 증가되면서 도심지 지하상가와 지하철 역사를 연결하여 경제성 높은 상권을 형성하는 지하상가가 발달하고 있다. (중략)

• 한국표면공학회:학술대회논문집
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• 한국표면공학회 2012년도 추계총회 및 학술대회 논문집
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• pp.153-153
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• 2012

금은 양호한 전기적 특성 및 높은 연성과 퍼짐성을 갖고, 화학적 안정성도 우수하기 때문에 전자부품의 배선재료, 접점재료뿐만 아니라 우주왕복선의 박막 방어막으로도 사용되고 있다. 도금두께 제어가 우수하고, 수조의 관리가 용이하기 때문에 오래전부터 인쇄회로기판 분야에서도 최종표면처리(Surface Finish)에 적용되고 있다. 최근 전자부품이 다시 고밀도화가 추진되고, 미세 배선회로가 증가함에 따라 무전해 도금 보다 균일전착 막을 얻을 수 있는 전해금 도금공정이 요구되고 있다.

• 전기의세계
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• 제42권1호
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• pp.12-20
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• 1993

본고에서는 언급한 바와 같이 각 나라의 전기방식은 단상 3선식과 4선식이 대부분임을 알 수 있으며, 우리나라의 경우 부하특성은 동력수용이 급증에 따른 부하의 고밀도화로 인한 3상 4선식 220/380-Y 공급이 증가 추세에 있다. 한편, 수요밀도가 높은 단상 2선식 공급지역도 부하가 증가됨에 따라 공급능력의 한계성 도달이 예상되고 단상 3선식 110/220V 지역 역시 공급능력의 한계성 도달이 예상되는 바, 단상3선식 220/440V(440V는 Floating) 승압의 필요성이 요구되고 있다.

• 전자공학회지
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• 제21권8호
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• pp.10-18
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• 1994

정보화 시대의 도래를 맞아 정보 기록기기는 눈부실 정도로 비약적으로 발전하고 있다. VTR, 오디오 그리고 HDD 및 FDD 등 정보 기록기기의 고밀도화, 고성능화에 견인 역할을 하고 있는 부품이 바로 자기헤드이다. 본고에서는 각 용도별로 사용되는 자기 헤드의 종류, 개발연혁, 기술개발 동향 및 전망을 소개한다.

• 전력전자학회:학술대회논문집
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• 전력전자학회 2011년도 전력전자학술대회
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• pp.308-309
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• 2011

최근 PDP와 LCD등의 FPD용(用) 전원 시스템에 고효율화, 고밀도화 및 Slim화를 위한 전원 회로 기술이 요구됨에 따라 이를 실현하기 위해서는 전원 회로를 구성하는 각 컨버터의 최적 Topology 확보뿐만 아니라, 전원 회로에 사용되는 부품들에 대한 차별화된 핵심 부품 기술 확보가 필수적이다. 이러한 요구에 부합하기 위해서 FPD용(用) 전원에 적용되는 자성부품구조도 기존의 성능을 유지하면서 박형화, 저비용화 및 자동 권선화를 구현할 수 있는 방안에 대한 연구가 필요하다. 본 논문에서는 LED-TV용 전원장치의 EMI Filter부의 개발사례 및 특히 EMI Filter부의 대책부품 중에 자동권선형 공통모드 초크의 개발동향 및 사례에 대해서 소개하고자 한다.

• 전력전자학회:학술대회논문집
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• 전력전자학회 2015년도 전력전자학술대회 논문집
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• pp.191-192
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• 2015

본 논문은 고승압 컨버터의 고밀도화를 위해 Boundary Conduction Mode(BCM)로 동작하는 고주파 전압 클램프 탭 인덕터 부스트 컨버터를 제안한다. 제안된 회로는 모든 반도체 소자가 특정 전압에 클램프 되므로 기존 고승압 탭 인덕터 부스트 컨버터에 비해 손실 스너버가 없어 고효율에 유리하고 전압 스트레스가 낮은 장점을 갖는다. 또한 BCM 동작으로 인해 영전압 스위칭이 보장될 뿐만 아니라 전압 클램프 탭 인덕터에 의해 다이오드 역회복 문제를 해결할 수 있어 1MHz의 고주파 구동이 가능하다. 따라서 전원회로에서 큰 부피를 차지하는 리액티브 소자의 사이즈를 대폭 감소시킬 수 있어 고밀도 전원회로의 구현이 가능한 강점을 갖는다. 제안 회로의 타당성 검증을 위하여 이론적인 분석과 LED TV Backlight 구동용 20W급 시작품의 실험 결과를 제시한다.

• 전자공학회논문지B
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• 제31B권11호
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• pp.27-35
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• 1994

본 논문에서는 디지털 고밀도 저장 장치의 비선형성 감소를 위한 변형된 형태의 PRML에 대하여 논한다. 기록 채널에서 자속간의 비선형 상호 작용을 감소시킬 수 있는 비선형 보상기를 갖는 PRML을 제안하고, 세 종류의 다른 밀도를 갖는 기록 채널에 제안된 방식을 적용한다. 모의 실험을 통해 기존의 PRML과 성능을 비교함으로서 기록의 고밀도화에 따라 증가하는 비선형 심볼간 간섭이 본 논문에서 제안된 비선형 보상기를 갖는 PRML에 의해 효율적으로 감소될 수 있음을 확인한다.

• 한국통신학회논문지
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• 제19권12호
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• pp.2397-2408
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• 1994

본 논문에서는 디지털 고밀도 기록 장치의 비선형성 감소를 위한 비선형 적응 등화기의 구조에 대하여 논한다. 기록 장치가 고밀도화되어 감에 따라 증가하는 비선형 심볼간 간섭을 감소시킬 수 있는 비선형 적응 결정 궤환 등화기를 제안하고, 후조(postcursor)에 비선형 심볼간 간섭이 존재할 때 이를 제거할 수 있도록 제안된 기존의 방식은 RAM-적응 결정 궤환 등화기와 성능을 비교 평가한다. 3종류의 다른 밀도를 갖는 기록 채널의 경우에 대하여 각 등화기의 출력을 SNR을 관찰하고, 전조(precursor)와 후조에 비선형 심볼간 간섭이 존재하는 일반적인 기록 채널에서 비선형 적응 결정 궤환 등화기의 성능이 가장 우수함을 확인한다

• 한국표면공학회:학술대회논문집
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• 한국표면공학회 2012년도 춘계학술발표회 논문집
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• pp.144-144
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• 2012

스퍼터링 기술은 타겟 사용 효율 및 증착률 향상 개념에서의 소스 특성향상과, 증착 기판으로 이동하는 스퍼터링 입자량 및 이온화율 제어를 통한 코팅 박막의 특성향상 등 크게 두 축을 중심으로 발전되어 왔다. 특히 소스 특성 향상 관점에서 고진공에서의 스퍼터링 기술, 듀얼 마그네크론 스퍼터링 및 무빙 마그네트론 스퍼터링 기술 및 원통형 스퍼터링 기술이 개발되어왔으며, 코팅 박막의 특성 향상과 관련하여서는 스퍼터링 방전 내 플라즈마의 밀도의 증대 및 기판 입사 입자의 에너지 제어를 통한 박막의 치밀도 향상 연구가 많이 이루어져, UBM 또는 ICP 결합 스퍼터링 및 Arc-스퍼터링 혼합공정이 연구되어 왔다. 박막 증착에서 박막의 물성을 조절하는 주요인자는, 기판에 입사하는 입자의 에너지로, 그 조절 범위가 좁고 넓음에 따라 활용 가능한 코팅 공정의 window가 설정된다. 지난 15년간 증착박막의 물성 향상을 위하여 스퍼터링 소스의 제어 관점이 아닌 전원적 관점에서 스퍼터된 입자의 에너지 제어를 MF(kHz), Pulse 전원 사용을 통해 이루어져 왔고, 특히 High Impulse Pulse를 이용한 HiPIMS 기법이 연구개발과 시장의 이해가 잘 어울려져 많은 발전을 이루고 있다. HiPIMS 공정은 박막의 물성을 제어하는 관점을 스퍼터링에 사용되는 보조 가스인 Ar 이온에 의존하지 않고, 직접 스퍼터된 입자의 이온화를 증대시키고, 이 이온화된 입자를 활용하여 증착 박막의 치밀성 및 반응성을 증대시켜, 박막특성을 제어하는 기술이다. HiPIMS의 경우, 초기 개발 당시에는 고에너지, 고이온화의 금속 이온을 대량 생성할 수 있다는 이론적 배경에서 연구되었다. 그러나 연구 개발이 진행되면서, 박막의 물성과 증착률 등 상반된 특성이 나타나면서 이에 대한 전원장치의 개량이나 스퍼터링 소스의 개선 등 다양한 개발 연구들이 요구되고 있다. 재료연구소에서는 스퍼터링 기술에서 가장 문제가 되고 있는 타겟 사용효율화 관점 및 스퍼트된 입자의 이온화률 증대에 대한 두 가지 문제를 동시에 해결할 수 있는 방안으로 고밀도 플라즈마를 이용한 스퍼터링 기술을 개발하고 있다. 본 발표에서는 이러한 HiPIMS의 연구 개발 동향과 고밀도 플라즈마를 이용한 스퍼터링 기술에 대한 연구 동향을 발표하고자 한다.