• Journal of the Korea Academia-Industrial cooperation Society
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• v.21 no.10
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• pp.64-71
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• 2020

This study evaluated the effects of the culture media and light sources on the growth of microalgae Haematococuus pluvialis. Limited ingredient medium, Modified Bold's Basic Medium (MBBM), commercial liquid fertilizer medium Neo, and seven different light sources with different wavelengths were used to incubate H. pluvialis for 39 days, and the growth rates were compared. As a result, the growth of H. pluvialis, a limited ingredient medium, produced the highest cell growth in the fluorescent light source while cell growth was the lowest in the blue+red LED. The growth of H. pluvialis in commercial medium Neo was highest in the fluorescent light source, and cell growth was lowest in the blue LED. In this study, the MBBM culture medium showed better results than the Neo culture medium. Microalgae grown in the fluorescent light source using the MBBM culture medium showed the best cell growth result in this study. The results were optimized for the culture medium, light source, and light quantity in H. pluvialis culture for the production of secondary metabolites and provide basic data for the mass culture of microalgae.

• Transactions of the Korean Society of Mechanical Engineers B
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• v.38 no.10
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• pp.831-835
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• 2014

The relative concentration of surface and interfacial defects in hydrothermally grown ZnO nanostructures was investigated by a comparison of two samples having different growth temperatures via bias voltage sweep rate under laser illumination of 405 and 355 nm. The current of small ZnO nanostructures (growth temperature of $75^{\circ}C$) decreased when induced more slowly bias voltage sweep rate under the laser illumination. In contrast, the current of large ZnO nanostructures (growth temperature of $90^{\circ}C$) increased. This difference in currents indicates the relation of relative defects concentration between surface and interfacial defects of ZnO nanostructure. Our experimental approach has potential applicability in the analysis of influence on defects in ZnO devices.

• Clinical and Experimental Pediatrics
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• v.48 no.8
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• pp.865-870
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• 2005

Purpose : The use of growth hormone(GH) to promote growth in normal short children without classical GH deficiency is controversial. Numerous foreign studies have shown the effects of GH therapy in children with idiopathic short stature(ISS) whereas few has been interested in Korea. Therefore, this study is designed to investigate the effects of GH therapy on ISS by observing correlations and changes among various growth parameters such as, insulin-like growth factor-I(IGF-I) and insulin-like growth factor binding protein-3(IGFBP-3). Methods : This study was conducted retrospectively with 15 children with ISS in Chungbuk National University Hospital in Korea. Mean age was $11.44{\pm}2.81$ and the children were treated with 0.66 IU/kg/wk dosage of GH for 1 or 2 years. Also, the growth parameters before and after the GH therapy were observed. Results : Height standard deviation score(HT-SDS) was increased from $-1.85{\pm}0.70$ to $-1.58{\pm}0.56$ at 1 year and to $-1.21{\pm}0.37$ at 2 years after GH therapy. Predicted adult height standard deviation score(PAH-SDS) was also increased from $-2.10{\pm}0.52$ to $-1.67{\pm}0.59$ at 1 year, and to $-0.96{\pm}0.60$ at 2 years. Serum IGF-I and IGFBP-3 levels were significantly increased after 1 year and marginally increased after 2 years of GH therapy. Conclusion : It is concluded that GH therapy has growth promoting effect. The significant increase in IGF-I and IGFBP-3 levels during the GH therapy suggests that IGF-I and IGFBP-3 are useful predictors of response to the use of GH therapy. It is expected that larger patient samples would provide more reliable information about the effect of GH therapy.

• Proceedings of the Materials Research Society of Korea Conference
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• 2011.10a
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• pp.37.1-37.1
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• 2011

1990년 나카무라 연구팀에서 청색이 개발된 이래로 LED는 눈부시게 발전해 왔으며, 청색 LED로 인하여 조명용 백색 LED가 급격히 발전하고 있다. 현재까지 개발되고 있는 조명용 백색 LED는 통상적으로 c축 방향의 사파이어 기판위에 GaN film을 성장하여 제작하지만 원천적으로 생기는 자발분극과 압전분극 영향 때문에 양자우물에서의 밴드를 기울게 만들고 이것은 캐리어 재결합율을 감소시켜 그 결과 양자 효율을 낮춘다. 이러한 근본적인 문제를 해결하기 방안은 사파이어 기판에서 c-plane이외의 결정면에서 무분극(혹은 반극성) GaN LED를 성장하여 양자효율을 극대화하여 고효율 LED를 구현할 수 있음. 본 연구에서는 Carbonization mask를 이용하여 r-plane sapphire기판상에 a-plane GaN의 ELOG성장 방법에 대하여 연구하였다. Carbonization mask를 이용하면 기존에 사용되던 SiOx 나 SiNx 막을 사용하지 않고 mask를 만들 수 있다는 장점을 가지고 있으며, 이러한 mask를 이용하여 r-plane sapphire위에 ELOG법을 이용한 a-plane GaN을 성장할 수 있음을 실험을 통해 보이려 한다. ELOG 성장이 이루어 지는지 확인을 위하여 SEM을 통하여 ELOG가 되는 과정을 분석하였으며, 표면의 거칠기를 알아보기 위하여 AFM측정을 시행하였다. 실험 결과 약 20 um 두께로 성장되면서 merge가 되는 것을 확인 하였다.

• Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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• 2014.02a
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• pp.289.2-289.2
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• 2014

본 연구에서는 전기증착법 정전류 방법으로 ITO 유리기판 위에 ZnO 나노막대를 성장하였다. 성장 매개 변수로 용액 농도, 전착 전류, 용액 온도 및 성장 시간으로 하였고, 성장된 ZnO 나노막대는 field-emission scanning electron microscopy, X-ray diffractometer, photoluminescence를 이용하여 구조적, 광학적 특성을 분석하였다. 모든 시료에서 ZnO 나노막대는 wurtzite 형태의 결정 구조를 가지고, c-축 배향성을 나타내는 강한 ZnO(002) 회절피크가 나타났다. 용액 농도와 전착 전류가 감소함에 따라 ZnO 나노막대의 밀도 및 직경이 감소하였다. 또한, ZnO 나노막대는 성장 온도가 증가함에 따라 직경이 줄어들었고, 성장 시간이 증가함에 따라 ZnO 나노막대의 길이는 늘어났다. 모든 ZnO 나노막대 시료는 자유 엑시톤 재결합에 의해서 3.18 eV, 산소공공에 의한 결함에 의해서 2.32~1.86 eV의 피크가 관찰되었다. ZnO 나노막대의 직경이 작아질수록 NBEE 피크의 세기가 감소하고, 용액의 농도가 증가함에 따라 NBEE 피크는 청색편이 하였다.

• Korean Journal of Materials Research
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• v.10 no.4
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• pp.276-281
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• 2000

Silicon carbide(SiC) films were grown on modified Si(111) surface with a SiNx in the NH$_3$surrounding. Thickness of SiC films was decreased with increasing of the nitridation time. Also, voids having crystal defects were removed at interface of SiC/Si according to growth parameters. SiC films were grown on SiNx/Si substrate of 100, 300 and 500nm thickness. SiC films were deposited along [111] direction and columnar grains of SiC crystal. The void-free film was observed in the interface of SiC/SiNx. This result suggests that fabrication of SiC devices are applied to SiNx replacing silicon oxide in SOI structure.

• 한국벤처창업학회:학술대회논문집
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• 2017.04a
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• pp.43-43
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• 2017

본 연구는 창업보육센터 입주기업을 대상으로 지원서비스가 성장단계별로 차이가 있을 것이라는 가정과 입주기업이 느끼는 만족도와 그에 따른 경영성과에 영향을 미칠 것이라는 가정 하에 입주기업의 니즈(needs)를 반영한 성장단계별 차별화된 효과적 지원서비스로 입주기업의 만족도와 경영성과를 높임으로써 창업성공률을 제고하기 위한 이론적 기여와 정책적 시사점을 제시하는 데 목적이 있다. 본 연구의 검증을 위하여 가설1 성장단계별 지원서비스는 정(+)의 유의한 차이가 있을 것이다, 가설2 성장단계별 만족도는 정(+)의 유의한 차이가 있을 것이다, 가설3 성장단계별 경영성과는 정(+)의 유의한 차이가 있을 것이다를 ANOVA 분석을 실시하였고, 가설4 지원서비스가 경영성과에 정(+)의 영향을 미칠 것이다, 가설5 지원서비스가 만족도에 정(+)의 영향을 미칠 것이다, 가설6 만족도가 경영성과에 정(+)의 영향을 미칠 것이다는 회귀분석을 실시하였다. 분석결과, 선행연구와 같이 지원서비스는 입주기업의 경영성과와 만족도에 영향을 미치는 것으로 나타났다. 본 연구는 창업보육센터의 성장단계별 지원서비스가 서비스의 만족도와 경영성과에 어떠한 영향을 미치고 있는지를 중소기업청 지정 창업보육센터 입주기업 174개를 표본으로 SPSS 22.0을 이용하여 검증하였다. 본 연구에서 실증분석을 통하여 얻은 연구 결과를 요약하면 다음과 같다. 첫째 성장단계별 지원서비스의 차이에 대한 차이분석 결과 정(+)의 유의한 차이가 있는 것으로 나타났다. 둘째, 성장단계별 만족도의 차이는 차이가 없는 것으로 나타났으며 성장단계별 경영성과의 차이 중 투자유치는 정(+)의 유의한 차이가 있는 것으로 나타났다. 셋째, 창업보육센터에서 제공하는 지원서비스가 입주기업의 경영성과와 만족도에 정(+)의 영향을 미치는 것으로 나타났다. 마지막으로 입주기업의 만족도도 경영성과에 정(+)의 영향을 미치는 것으로 나타났다. 결과를 종합해보면 창업보육센터의 지원서비스가 아직도 행정지원과 자금지원 등에만 국한되어 지원되고 있는 것으로 나타나 입주기업의 성장단계에 적합한 다양한 서비스의 제공이 필요함을 주지시켜 주고 있다. 또한, 성장단계별 입주기업의 만족도는 매출증가와 고용증가로 이어졌지만 아직 투자유치에는 크게 영향을 미치지 못하고 있음을 알 수 있다. 따라서 모든 입주기업에게 획일적인 지원서비스가 아닌 차별화된 지원서비스가 필요하며, 이를 위하여 창업보육센터 매니저들이 엑셀러레이터로서의 역할을 하기 위한 창업보육역량 고도화가 필요하고, 창업보육사업은 기업의 성장단계와 관련이 있으므로 입주기업의 성장단계 및 창업보육센터의 지원하는 역할과 기능에 따른 창업보육모델의 진화를 고려한 3세대, 4세대 보육모델로서의 발전된 운영정책 수립이 요구된다.

• Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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• 1999.07a
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• pp.117-117
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• 1999

최근 광소자와 더불어 발전과 더불어 고효율의 새로운 광소자에 대한 수요가 증가되고 있다. ZnO는 이러한 특성을 가진 재료중에 한가지로서 최근 들어 그 가능성에 대한 연구가 활발히 이루어지고 있다. 특히 상온에서 exciton binding energy가 다른 재료보다 큰 60meV로 고효율의 blue, UV 발광이 가능한 재료로 알려져 있다. 본 연구에서도 광소자로서 ZnO를 활용하기 위해서 RF magnetron sputtering법을 이용하기 위하여 광특성의 향상에 목적을 두고 연구하였다. ZnO 박막은 RF magnetron sputtering법을 이용하여 sapphire (0001) 기판위에 성장시켰다. RF power는 60W에서 120W까지 변화시켰고 박막의 성장온도는 55$0^{\circ}C$와 $600^{\circ}C$로 변화시켰으며, 박막의 성장시간은 60분, ZnO target과 기판과의 거리는 4.5cm로 하여 성장시켰다. 성장된 ZnO 박막은 XRD $\theta$-rocking scan 측정을 통해서 박막의 C-축 배향성과 RBS channeling를 이용하여 ZnO 박막의 epitaxial 성장 정도를 측정하였다. 박막의 상온 발광 특성은 He-Cd laser를 사용한 photoluminescence spectra로 측정하였다. 또한 표면의 morphology는 atomic force microscope(AFM)를 이용하여 관찰하였으며 transmission electron microscopy(TEM)을 사용하여 ZnO박막의 단면적을 관찰함으로서 grain의 성장과 광특성 및 결정성과의 영향에 대해서 연구하였다. ZnO 박막의 성장온도 55$0^{\circ}C$에서 RF power를 60W에서 120W까지 변화시킬 경우 XRD $\theta$-rocking peak의 반치폭이 0.157$^{\circ}$에서 0.436$^{\circ}$까지 변화하였고 80W에서 최소값을 가졌으며 in-plain에 대한 XRD 측정 결과 ZnO 박막의 성장은 sapphire 기판에 대해서 30$^{\circ}$회전되어 성장된 것으로 알 수 있었으며 이는 ZnO [100]∥ Al2O3[110]의 관계를 갖는다는 것을 나타낸다. 광특성의 측정 결과인 PL peak의 반치폭은 133.67meV에서 89.5meV까지 변화함을 알 수 있었고 80W에서 최대값을 가졌으며 이는 RF power의 변화에 따른 결정성의 변화와는 반대되는 현상임을 알 수 있었다. 그러나 성장온도 $600^{\circ}C$일때에는 XRD $\theta$-rocking peak의 반치폭이 0.129$^{\circ}$로 결정성이 우수한 박막임을 확인할 수 있었고 PL peak의 반치폭 또한 Ar과 O2의 비율에 따라 76.32meV에서 98.77meV로 광특성도 우수한 것으로 나타났다. RBS channeling 결과 55$0^{\circ}C$에서는 $\chi$min값이 50~60%였으나 $600^{\circ}C$일 때에는 $\chi$min값이 4~5%로 박막이 epitaxial 성장을 하였다는 것을 알 수 있었다. 결정성과 광특성과의 연관성을 알아보기 위해 TEM을 이용한 박막의 cross section image를 관찰한 결과 광특성이 우수한 시편일수록 grain의 크기가 큰 것으로 나타났고 결정성이 우수한 시편의 경우에서는 XRD분석 결과에서처럼 C-축배향성이 우수한 것을 확인할 수 있었다. 이상의 결과로부터 RF magnetron sputtering 법으로 광특성이 우수한 양질의 ZnO박막 성장이 가능하였다는 것을 알 수 있었으며 광소자로써의 가능성을 확인 할 수 있었다.

• Proceedings of the KIEE Conference
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• 2011.07a
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• pp.1457-1458
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• 2011

PET 기판은 소수성이므로 용액 성장법(CBD)으로 CdS 박막을 성장시키기 어렵다. 이런 단점을 극복하기 위하여 기판으로 사용할 PET의 표면을 산소 분위기에서 IPC로 개질하여 실험한 결과 CdS 박막을 성공적으로 성장시킬 수 있었다. 개질된 PET 기판의 접촉각과 표면 거칠기 등을 관찰하였으며, 성장된 CdS 박막의 SEM 분석 등을 통하여 개선된 특성을 확인하였다.

• Journal of the Korean Crystal Growth and Crystal Technology
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• v.25 no.4
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• pp.127-134
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• 2015

Aluminum nitride (AlN) single crystals have attracted much attention for a next-generation semiconductor application because of wide bandgap (6.2 eV), high thermal conductivity ($285W/m{\cdot}K$), high electrical resistivity (${\geq}10^{14}{\Omega}{\cdot}cm$), and high mechanical strength. The bulk AlN single crystals or thin film templates have been mainly grown by PVT (sublimation) method, flux method, solution growth method, and hydride vapor phase epitaxy (HVPE) method. Since AlN suffers difficulty in commercialization due to the defects that occur during single crystal growth, crystalline quality improvement via defects analyses is necessary. Etch pit density (EPD) analysis showed that the growth misorientations and the defects in the AlN surface exist. Transmission electron microscopy (TEM) and electron back-scattered diffraction (EBSD) analyses were employed to investigate the overall crystalline quality and various kinds of defects. TEM studies show that the morphology of the AlN is clearly influenced by stacking fault, dislocation, second phase, etc. In addition EBSD analysis also showed that the zinc blende polymorph of AlN exists as a growth defects resulting in dislocation initiator.