• Clinical and Experimental Pediatrics
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• 제48권2호
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• pp.191-196
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• 2005

목 적 : 터너증후군 환자들에게서 성장지연 및 저신장은 흔한 문제로 이의 치료로 성장호르몬이 투여되고 있으나 이에 대한 연구 결과들은 일치되지 않은 결과들을 보고하고 있다. 저자들은 터너증후군 환자에서 성장 호르몬 투여 및 기타 인자들이 최종 성인 키에 어떤 영향을 미치는 지에 대해 알아보고자 본 연구를 시행하였다. 방 법 : 1985년부터 1998년까지 서울대학교 어린이병원 소아과에서 터너증후군으로 진단 받은 환자들 중에서 성인에 도달한 환자들을 대상으로, 최종 성인키와 최종 성인키의 SD score 및 이에 영향을 미칠 수 있는 인자들과의 연관성을 후향적으로 분석하였다. 결 과 : 대상 환자는 모두 60명으로 이 가운데 성장호르몬 치료를 받은 환자들은 48명, 성장호르몬 치료를 받지 않은 환자는 모두 12명이었다. 성장호르몬 치료군의 치료 시작시 평균 역연령은 $12.2{\pm}2.7$세, 평균 골연령은 $10.3{\pm}2.5$세, 평균 키는 $127.5{\pm}10.1cm$, 평균 키의 SD score는 $-3.1{\pm}1.1$였으며, 비치료군과 비교하여 평균 역연령과, 평균 키의 SD score를 제외하고 통계적으로 유의한 차이는 없었다. 성장호르몬 치료군에서 성장 호르몬의 평균 투여 기간은 35.8개월(범위 : 4-120개월)이었으며, 평균 용량은 $0.8{\pm}0.2IU/kg/wk$이었고, 평균 최종 성인키는 $146.9{\pm}5.8cm$이었고, 비치료군의 평균 최종 성인키는 $141.1{\pm}4.8cm$였고, 치료군과 비치료군 사이에 최종 성인키의 평균 SD score를 비교한 결과는 각각 $-2.7{\pm}1.2$와 $-3.8{\pm}1.0$로서 치료군에서 유의하게 높았다(P<0.05). 성장호르몬 치료군에서 치료 기간 중의 평균 성장 속도는 $5.6{\pm}2.0cm/yr$으로서 이는 치료 시작 전의 성장 속도인 $3.4{\pm}1.3cm/yr$과 비교하였을 때 통계적으로 유의하게 증가되었다(P<0.05). 성장호르몬 치료군에서 최종 성인키에 영향을 미치는 일반적인 인자에 대하여 분석하였을 때 출생시의 체중, 부모의 키, 중간부모키, 진단시(혹은 성장호르몬 치료 시작시) 역연령과 골연령, 골연령의 지연, 성장호르몬의 용랑, 치료 기간 등은 모두 최종 성인키와 연관이 없었고, 치료 시작시 키의 SD score가 클수록 최종 성인키의 SD score가 컸다(P<0.05, r=0.55). 결 론 : 터너증후군 환자에서 성장호르몬 치료를 시행한 군에서 평균 성장 속도가 치료 전보다 증가하였고, 최종 성인키도 비치료군과 비교하였을 때 유의하게 증가하였다. 터너증후군의 최종 성인키에 영향을 미치는 인자에는 성장호르몬 치료 시작시의 키의 SD score가 있다.

• 한국비블리아학회지
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• 제11권1호
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• pp.111-124
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• 2000

본 연구는 사서가 직무를 수행한 결과 갖게되는 정서적 반응이 작업 자체의 결과와 어떤 관계를 갖는지 분석한 글이다. 이를 위하여 대학도서관에서 자동화시스템을 관리하는 직원을 대상으로 설문 조사한 자료를 대상으로 SPSS로 다중회귀분석을 하였다. 정서적 반응을 전반적 직무만족, 내적 작업동기, 개인의 성장만족으로 구분하여 독립변인으로 설정하였으며, 작업자체의 결과를 양과 질을 포함하는 작업효율이라는 종속변인으로 설정하였다. 분석 결과 사서의 정서적 반응이 작업효율에 직접적인 영향을 주는 것으로, 또한 개인의 성장만족이 중요한 정서적 반응인 것으로 나타났다. 연구의 결과는 기존에 이루어졌던 사서의 정서적 반응에 관한 연구가 작업 자체의 결과를 향상시키기 위한 것이라는 명제가 타당했음을 입증했다.

• 한국결정성장학회지
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• 제7권3호
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• pp.494-503
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• 1997

Polyimide(PI)위에서 Cu의 초기 성장과정을 설명하기 위해, PI 위에 Cu를 조금씩 증착시키면서 그리고 PI 위에 Cu 층을 쌓아놓고 이 Cu 층을 $Ar^+$ 이온으로 깍아내면서 계면에서의 변화를 XPS를 이용하여 비교ㆍ관측하였다. 상온에서 PI위에 Cu를 조금씩 증착하면서 관측하였을 때, 그 성장과정에 따르는 phase의 변화는 Cu-N-O complex에서 $Cu_2O$ phase로, 그리고 metallic Cu 순으로 성장하는 것이 관측되었다. 반면에 PI위에 증착되어 있는 Cu를 조금씩 깎아내면서 관측하였을 때, metallic Cu가 $Ar^+$ 이온으로 깍아내어 polyimide와의 계면에 도달하게 되었을 때에는 Cu$_2$O phase로서 관측되었다. 이상의 결과로부터, in-situ로 Cu를 조금씩 올리면서 계면을 조사하는 것과 Cu를 증착시킨 후, 깍으면서 계면을 조사하는 것과는 다른 결과를 얻게 된다는 것을 알 수 있었다.

• 한국결정성장학회지
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• 제9권1호
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• pp.84-88
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• 1999

결정성장 조건을 달리하여 공공관련 결함들의 발생영역의 크기가 다르게 형성되도록 성장한 실리콘 결정에서 반경 방향의 산소석출 거동을 고찰하였다. 반경 방향의 산소석출 거동은 결정성장 조건에 따른 공공 영역의 크기에 의존적이다. 반경 방향의 산소석출 거동은 공공우세 영역이 격자간원자 우세영역보다 산소석출이 증가한다. 또한 공공우세 영역과 격자간원자 우세영역 가장자리에서는 비정상적으로 산소석출이 크게 증가한다. 이 두 영역 경계에서는 산소석출이 거의 일어나지 않는다.

• 한국결정성장학회지
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• 제1권1호
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• pp.74-81
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• 1991

Czochralski 단결정 성장계에서 유체동의 표면 복사열전달을 고려하여 온도분포를 모사하였다. 복사열전달 고려시 표면요소들의 view factor를 고려하였다. 고-액의 2상은 고상에 가상적으로 매우 큰 점성을 부여하여 연속의 단상으로 처리하였으며 응고시 잠열은 반복열량 방출법을 개발하여 처리하였다. 본 연구에서 개발한 응고 모델을 증명하기 위하여 Ca 금속의 용융에 적용하여 실험결과와 비교한 결과 잘 맞는다는 것을 알아낸 후 본 모사 프로그램을 Cz계에서 Al금속의 단결정 성장에 적용하였다.

• 한국결정성장학회지
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• 제4권1호
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• pp.42-45
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• 1994

금 비스무스 용매를 사용하여 실리콘 박막을 사파이어, 보로실리케이트 그라스 기판상에 성장시켰다. 사파이어의 경우 $380~460^{\cire}C$ 에서 14 $\mu\textrm{m}$ 두께의 실리콘막이 성장되었으며, 그라스 기판의 경우 $420~520^{\circ}C$ 온도 범위에서 수백 $\mu\textrm{m}$ 사이즈의 큰 결정립이 형성되었다. 이결과는 저가의 박막태양전지를 제조하는데 응용될 것으로 사료된다.

• 한국진공학회지
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• 제5권4호
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• pp.387-390
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• 1996

백금 결정을 고주파(RE) 부유띠 용융법에 의하여 성장 시켰으며 성장하는 동안 직류 전류를 걸어줌으로써 백금에서 나타날 수 있는 하부구조의 개선을 도모하였다. 직류 전류와 성장 방향에 따라 백금 결정을 성장 시킴에 하부 구조에 영향을 준다는 것이 확인되었다. 백금 결정에 있어서의 줄 무늬 구조는 불안정하였으며 이것은 어닐링 방법에 의해서도 제거 될 수 있다는 결과를 얻었다.

• 대한전기학회:학술대회논문집
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• 대한전기학회 2011년도 제42회 하계학술대회
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• pp.1469-1470
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• 2011

본 연구에서는 ZnO 입자 다중 성장을 이용하여 DSC를 제작하여 ZnO DSC의 가능성을 점검하고자 하였다. ZnO 입자 성장은 zinc acetate solution을 이용하여 seed layer를 제작한 후 zinc nitrate와 NaOH 혼합 용액에 다중성장 시킴으로써 완성되며 이를 이용하여 ZnO DSC를 제작하였다. 그 결과 ZnO가 입자형태로 얻어짐을 확인하고 ZnO DSC를 성공적으로 제작할 수 있었으며 ZnO 입자 성장 후 소성을 통해 ZnO DSC의 성능을 0.406%에서 1.385%까지 개선시킬 수 있었다.

• 한국경영과학회:학술대회논문집
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• 대한산업공학회/한국경영과학회 2004년도 춘계공동학술대회 논문집
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• pp.67-70
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• 2004

카플란과 노턴에 의해 1992년에 처음 소개된 BSC (Balanced Scorecard)의 '재무', '고객', '내부프로세스' 그리고 '학습과 성장'의 4개 시각 중 '학습과 성장' 시각의 핵심성과지표를 도출하는 것이 본 연구의 목적이다. 기존 연구에서 제시된 평가 지표의 한계점을 제시하고 성과지표 도출의 근원을 조직 행동론에서 제시하고 있는 성과개념과 과정이론에서 밝혀냄으로서 '학습과 성장'시각의 목표인 다른 세 시각의 하부구조 및 동인을 달성하고자 조직 행동이론 관점의 핵심성과지표를 제시하고자 한다. 또한 정보기술이 기업의 장기적인 역랑을 배가시키고 경쟁우위를 확보하기 위한 전략적 수단으로 인식됨에 따라 정보기술의 역할 및 효과성에 대한 측정과 평가가 중요한 이슈로 떠오르고 있기 때문에 '학습과 성장' 시각에서 인적자원의 역랑과의 균형있는 정보기술 역량을 측정하고 평가할 수 있는 지표를 제시하고자 한다. 이는 기업 경영활동의 근간이 되는 구성원과 단위조직, 그리고 정보기술이 기업성과데 미치는 영향을 정확히 파악하고 그 결과를 구성원과 조직의 보상체계로 연결시킬 수 있는 객관적인 잣대로서 작용하게 된다.

• 한국진공학회지
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• 제4권1호
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• pp.40-45
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• 1995

직경 2인치의 YBa2Cu3O7-y 타겟을 사용하여 높은 스퍼터링 기체 압력 하에서 off-axis DC-마그네트론 스퍼터링 방법으로 MgO(100) 단결정 기판 위에 YBa2Cu3O7-y 박막을 c축 방향으로 in-냐셔 성장시킬 때 기판의 접지 여부와 인가전류의 양이 박막 성장에 미치는 여향을 연구하였다. 그 결과 접지 여부는 박막의 초전도 변환온도, 전기수송 특성, 결정 구조적 특성에는 영향을 거의 주지 않는 반면 표면상태에는 상당한 영향을 미치며, 인가전류의 양은 초전도 특성에 많은 영향을 미침을 발견하였다. 기판온도 $670^{\circ}C$, 스퍼터링 기체압력 300mTorr, 아르곤 대 산소 분압비 5:1의 조건에서 인가전류의 최적량은 300-500 mA이었으며 평균 박막 성장속도는 $0.11-0.14AA$/s로 매우 낮았다. 기판의 접지 효과와 낮은 성장속도의 원인에 대해 고찰해 본다.