• Proceedings of the Materials Research Society of Korea Conference
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• 2011.05a
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• pp.36.1-36.1
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• 2011

1차원 양자 구속 효과로 인해 우수한 전하 전송 특성을 갖는 나노선을 차세대 전자소자에 응용하기 위한 일환으로, 실리콘 기판 상에 동일한 실리콘 나노선을 성장하고 이의 미세구조 특징을 분석하였다. 실리콘 나노선은 Au 시드층을 형성한 후 화학기상증착법을 이용한 VLS (vapor-liquid-solid) 공법으로 성장시켰으며, 시드층의 크기에 따른 나노선의 구조 특성을 이미지 프로세싱을 통해 통계분석하였다. 성장된 실리콘 나노선의 결정구조와 성분을 고해상도 투과전자현미경과 EDAX를 이용하여 분석하였으며, 성장 온도 조건에 따른 나노선의 morphology 특성도 실시하였다. 그 결과 Au 시드층의 성분이 나노선과 기판의 계면에서 상당 부분 잔류함과, 성장된 나노선에는 쌍정 결함(twin defect) 등의 결정구조 변화가 수반됨을 알 수 있었다. 또한 금속 시드층의 평균 입도와 성장 온도 및 소스 가스 유량 조절함으로써 실리콘 나노선의 직경과 길이를 최적화 할 수 있었다. 이를 통해 향후 공정 스케일 다운의 한계 상황에 도달하고 있는 반도체 트랜지스터 소자를 대체할 수 있는 나노선 반도체 소자에 대한 공정기술 개발과 이를 이용한 다양한 응용 분야도 동시에 제시할 수 있게 되었다.

• Journal of the Korean Crystal Growth and Crystal Technology
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• v.7 no.3
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• pp.349-358
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• 1997

meta-Nitroaniline(mNA) crystals were grown from the supercooled melt for the first time. A seed was introduced into the purified mNA melt of 100 ml 0.1 K above the melting temperature ($T_m$ : $112.0^{\circ}C$) and crystal was grown at constant supercooling of 0.1 K. The melt was stirred . mechanically and the crystal was also rotated while the growth proceeds. mNA crystals of size up to $20{\times}15{\times}15 \textrm {mm}^3 and of very high perfection could be grown for the period of one day. The bottom half of the crystal faces are well-faceted and covered by {111} and {021} faces, while the faces of the top half are not well defined. The overall crystal morphology was characterized by the unidirectional growth along one of the polar axes. The absolute direction of preferred growth was determined to be [001] by the pyroelectric measurements. The perfection of the crystal was characterized by synchrotron X-ray topography and optical characterization was made by measuring second harmonic conversion efficiency.

• Journal of the Korea Academia-Industrial cooperation Society
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• v.17 no.11
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• pp.368-375
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• 2016

This study examined the criteria for efficient LEDs used throughout the experiment of an LED with another light color growth to be used in a plant factory. The experiment was confirmed by measuring the Red-LED, Blue-LED, plant growth, and amount of carbon reduction in a White-LED environment. The white-LED showed a similar growth trend to the Red-LED. Blue-LED showed the lowest growth. Measurements of the carbon dioxide levels, showed that the Red-LED and blue LED produced the lowest levels. The combination of the ratio of the LED showed four Red-LEDs and one blue LED to be the higher of the two. In addition, three Red-LED and one Blue-LED produced equal growth to that of the white-LED. In addition, as much as possible, red is the light color that obtains the result suitable for plant factories.

• Economic Analysis
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• v.27 no.2
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• pp.1-40
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• 2021

Using an unobserved components model that features trend growth as a random walk, we find that GDP trend growth rates had gradually declined from the late 1980s to early 2010s in Korea. To uncover the underlying features of the slowdown, we use trend growth accounting. A major feature appears to be a significant decline in the growth rate of labor productivity. To be specific, the first gradual decline in trend growth, which started in 1988 and continued to 1998, is associated with a drop in TFP measured in labor-augmenting units. This finding is inconsistent with the hypothesis that the slowdown in GDP trend growth can be attributed to the 1997-1998 Korean financial crisis. Sluggish investment growth is behind the second period of the gradual slowdown, from 2002 to 2012.

• Journal of the Korean Vacuum Society
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• v.11 no.1
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• pp.50-58
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• 2002

The growth of GaN films on Si substrate has many advantages in that Si is less expensive than sapphire substrate and that integration of GaN-based devices with Si substrate is easier The difference of lattice constant and thermal expansion coefficient between GaN and Si is larger than those between GaN and sapphire. However, which results in many defects into the grown GaN. In order to obtain high duality GaN films on Si substrate, we need to reduce defects using the buffer layer such as AlN. In this study, we prepared three types of AlN buffer layer with various crystallinity on Si (111) substrate using MOCVD, Sputtering and MOMBE methods. GaN was grown by MOCVD on three types of AlN/Si substrate. Using TEM and XRD, we carried out comparative investigation of growth and properties of GaN deposited on the various AlN buffers by characterizing lattice coherency, crystallinity, growth orientation and defects formed (voids, stacking faults, dislocations, etc). It is found that the crystallinity of AlN buffer layer has strong effects on growth of GaN. The AlN buffer layers grown by MOCVD and MOMBE showed the reduction of out-of-plane misorientation of GaN at the initial growth stage.

• Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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• 2010.08a
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• pp.222-222
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• 2010

III-V반도체 태양전지는 다양한 에너지 밴드갭을 만들 수 있으며 다중접합 태양전지의 경우 흡수 전류가 커져 효율이 증가한다. 태양전지의 효율의 증가는 태양광 발전시스템의 발전 단가를 낮추는 중요한 요인이다. 우리는 효율이 높은 III-V 태양전지를 제작하기 위해 일차적으로 Ge기판 위에 GaAs를 성장하고자 한다. Ge기판과 GaAs의 격자상수는 0.07%차이로 거의 일치하나 물질의 열팽창계수가 다르고 비극성인 Ge기판 위에 극성인 GaAs를 성장 시 위상불일치(Anti Phase Domain) 나타난다. 위상불일치 현상을 줄이기 위해 성장 시 온도와 V/III비율, 성장두께 등을 달리하여 성장한다. 표면의 상태가 좋아질수록 위상불일치 현상이 작으며 단일성장 보다 두 단계 과정으로 성장 했을 때 표면의 상태가 더 좋은 결과를 바탕으로[1], 20nm 이하로 얇게 seed층을 성장하고 그 위에 두꺼운 버퍼층을 성장하는 두 단계로 진행하였다. seed층의 성장온도는 $400{\sim}550^{\circ}C$, V/III 비율을 3.5~30으로 다양하게 바꿔가면서 표면의 상태를 비교하였다. 이때 버퍼층의 성장 온도와 V/III 비율은 $680^{\circ}C$, 192으로 일정하게 유지하였다. 표면은 SEM과 AFM을 통해 분석하였으며 결정질의 상태는 XRD 장비(Panalytical사)로 분석하고 광학적 특성은 LTPL(Accent Optical Technologies사)로 측정하였다. 실험의 결과는 seed층의 온도가 낮고 V/III 비율이 낮으며 성장률이 높았을 때 표면상태가 좋은 반면 버퍼층은 온도가 높고 V/III 비율이 높으며 성장률이 낮을 때 표면상태가 좋았다. seed층을 $450^{\circ}C$온도에서 V/III 비율이 3.5이고 성장률이 버퍼층에 비교하여 크게 하여 성장 했을 때 표면 거칠기가 3.75nm로 작아 표면의 상태가 좋음을 확인할 수 있었다. 두 단계 성장 시 표면의 상태는 seed층의 조건에 따라 결정됨을 알 수 있었다. 표면상태가 좋았을 때 결정상태 역시 좋았으며 성장률이 바뀜에 따라 반치폭이 42~45 arcsec의 값을 나타내었다. 광학적 특성은 10K에서 1.1512eV 밴드갭 에너지를 가지고 있어 양질의 GaAs가 성장됨을 알 수 있다.

• Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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• 1999.07a
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• pp.93-93
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• 1999

양자점(Quantum dot : QD)를 이용한 소자를 만들기 위해서는 수직방향으로의 적층이 필수적이다. 양자점의 적층은 수직적으로 같은 위치에 정렬하므로, 고려되어야 할 요소로는 양자점간의 파동함수의 중첩(coupling)에 의한 특성변화, 적층의 진행에 따른 변형(strain)의 증가로 기인되는 volcano 모양으로 나타나는 결함등이 있다. 이러한 결함은 nonradiative recombination center로 작용하여 오히려 효율이 떨어지게 되는 현상이 발생하게 되므로 본 연구에서는 적층횟수에 따른 발광효율의 변화를 조사하여 소자응용에 적절한 적층 조건을 조사하였다. 시료성장은 molecular beam epitaxy (MBE) 장치를 이용하여 GAs(100) 기판위에 GaAs buffer를 58$0^{\circ}C$에서 150nm 성장후 InAs/GaAs 양자점과 50$0^{\circ}C$에서 적층회수 1, 3, 6, 10, 15, 20회로 하였으며 적층성장 이후 GaAs cap layer를 성장하였다. GaAs spacing과 cap layer의 성장온도 역시 50$0^{\circ}C$이며 시료의 분석은 photoluminescence (PL)과 scanning transmission electron microscope (STEM)으로 하였다. 적층횟수를 바꾸어 시료를 성장하기 전에 적층횟수를 10회로 고정하고 spacing 두께를 2.8nm, 5.6nm, 11.2nm로 바꾸어 성장하여 PL 특성을 관찰하여본 결과 spacing이 2.8nm인 경우 수직적으로 정렬된 양자점 간에 coupling이 매우 커서 single layer QD의 PL peak에 비해 약 100nm 정도 파장이 증가하였고, spacing의 두께가 11.2nm 일 경우는 single layer QD와 거의 같은 파장의 빛을 방출하여 중첩이 거의 일어나지 않지만 두꺼운 spacing때문에 PL세기가 감소하였다. 한편, 적층회수에 따른 광학적 특성을 PL로 조사하여 본 결과 peak 파장은 적층횟수가 1회에서 3회로 증가했을 때는 blue shift 하다가 이후 적층이 증가함에 따라 red shift 하였다. 그리고 10층 이상의 적층에서는 excited state에서 기인된 peak이 검출되었다. 이렇나 원인은 적층수가 증가함에 따라 carrier life time이 증가하여 exciter state에 carrier가 존재할 확률이 증가하기 때문으로 생각된다. 또한 PL 세기가 다소 증가하다가 10층 이상의 경우는 다시 감소함을 알 수 있었다. 반치폭도 3층과 6층에서 가장 적은 값을 보였다. 이와 같은 결과는 결함생성과 관련하여 STEM 분석으로 해석되어질 수 있는데 6층 적층시는 양자점이 수직적으로 정렬되어 잘 형성됨을 관찰할 수 있었고 적층에 따른 크기 변화도 거의 나타나지 않았다. 그러나 10층 15층 적층시 몇가지 결함이 형성됨을 볼수 있었고 양자점의 정렬도 완전하게 이루어지지 않음을 볼 수 있었다. 그러므로 수직적층된 InAs 양자점의 광학적 특성은 성장조건에 따른 결함생성과 밀접한 관련이 있으며 상세한 논의가 이루어질 것이다.

• Journal of the Korean Vacuum Society
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• v.2 no.3
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• pp.374-383
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• 1993

필라멘트와 Si 기판 사이의 기전력을 20, 80, 140, 200V로 증가시키면서 EACVD에 의하여 성장된 다이아몬드 박막에 대하여 다이아몬드/Si 계면분석 및 계면강도를 측정하였다. 주사형전자현미경(SEM), 고분해능투과형전자현미경(HRTEM), 오제이전자분석기(AES)에 의해 계면상태를 분석한 결과, 기전력 증가에 따라 활성탄화수소 이온(CmHn-)에너지가 증가되어져 CmHn-이 Siso로 침투(Impringement)가 증가되고 침투된 높은 에너지의 CmHn-이 Si과 화학결합하여 생성되는 SiC층 깊이 및 농도 분포도 증가된다. 풀 시험(Pull test)에 의한 계면강도 측정 결과, SiC층 깊이 및 농도분포가 증가할수록 계면강도가 증가하였다. 관찰된 파면과 파면의 X-선 메핑 결과 및 HRTEM과 AES에 의한 분석 결과, 기전력 증가에 따라 공극율이 적고 치밀한 다이아몬드 박막이 성장된다. 그리고 생성되는 SiC층 농도 및 깊이 분포가 증가함에 따라 다이아몬드/Si 계면이 강화되고, 상대적으로 파괴는 다이아몬드/Si 계면이 아닌 SiC층이나 Si 내부에서 발생된다. 결국, 기전력을 증가하여 활성탄화수소이온의 에너지를 증가함으로써 계면강도가 우수하며 공극율이 매우 적고 치밀한 다이아몬드 박막을 성장할 수 있다.

• The Journal of the Korea Contents Association
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• v.14 no.4
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• pp.346-354
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• 2014

This study aims to analyze the effects of economic development on financial development associated in industry dependence on external finance or industry growth opportunities. The macro and microeconomic empirical results are as follows: (1) financial development play an important role in economic development, (2) especially, financial development related in industry growth opportunities is the critical and important factor in industrial development, (3) the relationships between industry dependence on external finance and industrial development are different depending on the model or the analysis period. These results mean following. First, Leading financial strategy preparation need for industrial development. Second, It is important the effort to catch well-timed industry growth opportunities.

• Proceedings of the Korean Aquaculture Society Conference
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• 2003.10a
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• pp.86-87
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• 2003

본 실험은 전복 종묘생산 시 먹이생물로 적합한 부착 규조를 파악하기 위하여 실시하였다. 부경대학교 한국해양 미세 조류 은행에서 보유한 부착 규조종 중, 해역, 크기, 부착력, 영양분석 결과를 고려하여, 11종의 부착 규조를 선택하였다. 각 부착 규조를 f/2 배지로 파판에 배양 한 후 평균 각장 7mm의 까막전복 치패를 대상으로 26일 간 먹이 효율을 조사하였다. 또 이 실험의 결과를 토대로 먹이 효율이 좋은 4종의 부착 규조를 선택하여 참전복 유생의 부착율과 먹이 효율을 조사하였다. 참전복 유생은 수정 후 56 시간이 지난 veliger유생을 이용하여 각 규조에 따른 유생의 부착율, 사망률, 변태율, 성장률을 측정하였다. 까막전복 치패를 대상으로 규조종별 먹이 효율을 실험한 결과, 생존율은 Caloneis schroder가 37.1%, Nitzchia sp. 35.0%, Navicula sp.가 31.4%로 대체로 높은 생존율을 보인 반면에, Navicula elegans이 6.4%, Cylidrotheca closterium.은 11.7%로 낮은 생존율을 보였다. 실험 종료후, 까막전복 각장의 성장을 측정한 결과, Cocconeis californica가 9.33 mm, Achnanthes sp.은 9.27 mm으로 대체로 높은 성장을 보였다. 이에 반해 Navicula elegans은 8.60 mm으로 낮은 성장을 보였다. 전복 전중과 육중은 Amphora sp.에서 각각 87.7mg, 35.2mg 으로 가장 높았으며, Cocconeis californica와 Achnanthes sp.에서도 대체적으로 높게 나타났다. Navicula elegans는 각장의 성장에서와 같이 가장 낮은 증육을 보였다. 규조 4종을 대상으로 한 참전복 유생의 부착율 에서는 수정 후 152시간 후 Cocconies califonica에서 47.3%로 가장 높은 반면, Caloneis schroder 에서 23.8%로 가장 낮았다. 실험 9일째 사망률은 Cocconeis californica에서 63.6%로 가장 낮게 나타났고, Nitzchia sp.에서 90.4%로 가장 높게 나타났다. 유생의 변태율은 Cocconeis californica에서 98.5%로 가장 높은 결과를 보였다. 유생의 일간 성장율 역시 Cocconeis californica에서 25.4 $\mu\textrm{m}$/day로 높았고, Nitzchia sp.에서 13.9 $\mu\textrm{m}$/day로 낮았다. 실험 24일째 참전복 유생의 최종 생존율은 변태율과 일간 성장률이 높았던, Cocconeis californica에서 7.8%로 가장 높게 나타났다.