• Electrical & Electronic Materials
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• v.13 no.1
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• pp.4-10
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• 2000

차세대 고집적 광기록 기기의 광원으로 사용될 GaN계 자색 LD의 개발은 괄목할만한 속도로 이루어지고 있으며, 이미 Pick-up용으로 사용될 수 있는 저출력 5 mW급 LD는 시제품이 나오고 있다. 2002년경에는 30 mW급 고출력 자색 LD를 장착한 DVDR이 시장에 출현할 것으로 예상되며, 이를 위해서는 저결함 박막성장이 절실하게 요구된다. 결정내결함을 감소시키기 위한 방법으로 ELOG 성장법이 보편적으로 사용되나 궁극적으로는 GaN 기판 개발이 필연적으로 뒤따라야할 것으로 판단된다.

• Journal of the Korean Crystal Growth and Crystal Technology
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• v.7 no.3
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• pp.406-417
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• 1997

A numerical study was conducted on the optimum magnetic field intensity and asymmetric factor for uniform axial oxygen concentration in 8 inch silicon single crystal growing process by magnetic Czochralski method. For constant shape of cusp field, a change of coil and crucible position were compared. In case of symmetric cusp field, magnetic field intensity variation shows concave downward with crystal growing for uniform, axial oxygen concentration. A numerical results show similar value of standard deviation of average oxygen concentration for uniform oxygen concentration between coil and crucible position change. In case of asymmetric cusp field. asymmetric factor is increased with crystal growing to have uniform oxygen concentration.

• Journal of the Korean Vacuum Society
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• v.12 no.1
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• pp.70-77
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• 2003

It is well Down that the growth of carbon nanotubes (CNTs) by chemical vapor deposition (CVD) using a transition metal catalyst is greatly enhanced in a nitrogen environment. We show here that the enhanced growth is closely related to the activated nitrogen and it's incorporation into the CNT wall and cap during growth. This behavior is consistent with theoretical calculations of CNx thin films, showing that nitrogen incorporation to the graphitic basal plane reduces the elastic strain energy for curving the graphitic layer. Enhanced CNT growth by nitrogen incorporation is thus due to a decrease in the activation energies required for nucleation and growth of the tubular graphitic layer.

• Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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• 2013.02a
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• pp.442-442
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• 2013

ZnO의 나노 구조는 화학적으로 안정하고 큰 결합에너지를 가지는 성질 때문에 청색 영역에서 작동하는 광전소자의 제작에 대단히 유용하다. 전기 화학 증착법으로 성장된 ZnO의 나노구조는 가격이 저렴하고 낮은 온도에서 성장이 가능하며 대면적화를 할 수 있는 장점이 있다. 전기 화학 증착법으로 ZnO을 성장할 때 ITO 기판을 음극으로 백금 전극을 양극으로 사용하였고 기준 전극은 Ag/AgCl을 사용하였다. Potassium chloride의 몰 농도를 변화하면서 ZnO 나노구조를 성장하였다. 성장한 ZnO 나노구조를 $400^{\circ}C$에서 2분 정도 열처리를 하였다. 성장된 ZnO을 X-선 회절 결과는 (0002) 피크가 $34.35^{\circ}$에서 나타났다. 주사 전자 현미경상은 Potassium chloride의 몰 농도가 낮을 때 성장한 ZnO 나노구조체가 고르게 성장되는 것을 알 수 있었다. Potassium chloride의 농도가 변화하면 ZnO 나노구조체의 형태가 변화하는 것을 알 수 있었다. 300 K에서 광루미네선스 스펙트럼은 형성된 나노구조가 엑시톤과 관련된 피크가 potassium chloride 농도에 따라 변화하게 되는 것을 알 수 있었다. 이 실험결과는 ZnO 나노구조의미세구조와 광학적 성질이 potassium chloride의 농도에 영향을 많이 받는 것을 알 수 있었다.

• Journal of the Korean Crystal Growth and Crystal Technology
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• v.4 no.2
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• pp.119-130
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• 1994

To deposit silicon on borosilicate glass substrates, 18 different substrate combinations were investigated because of the difficulty of direct deposition of silicon. Sucessful results were obtained from Al-and Mg-treated glass and furnace annealed sputtered silicon deposited glass substrates. A continuous silicon thin film on a large area substrates was obtained in the temperatures ranges from $420^{\circ}C to 520^{\circ}C$. These thin films might be applied to lower the cost of solar cells and solar cell modules.

• Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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• 2010.02a
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• pp.170-170
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• 2010

a-plane 혹은 m-plane면을 사용하는 무분극 GaN LED는 c축 방향으로 발생하는 분극의 영향을 받지 않기 때문에 분극 GaN LED에 비해 높은 내부 양자효율을 가진다. 또한 무분극 GaN는 상대적으로 고농도의 p-type 도핑이 가능하기 때문에 광효율을 높일 수 있다. 하지만 이와 같은 장점에도 불구하고 무분극 GaN는 성장모드의 비대칭으로 인해 높은 결정성과 mirror-like한 표면을 얻기가 힘들다. 본 논문에서는 Metalorganic chemical-vapor deposition (MOCVD) 장비를 사용하여 r-plane 사파이어 기판위에 a-plane GaN을 성장시켰다. 일반적으로 사용하는 저온에서의 nucleation layer 성장 대신 $1050^{\circ}$의 고온에서 성장 시킨후 일반적으로 사용하는 two-step 성장방법으로 그위에 5.5um정도의 GaN을 성장시켰다. 성장시 Trimethylgallium(TMGa)와 암모니아를 각각 Ga과 N 소스로 이용하였고 캐리어 가스는 수소를 사용하였다. 비대칭 결정성을 줄이기 위해 3D island growth mode에서의 성장조건을 바꾸어 c축과 m축 방향으로의 X-ray 결정성(FWHM) 차이가 564 arcsec에서 206 arcsec로 변화 시켰다. Normarski 현미경으로 표면을 관찰한 결과 v-defect이 없고 a-plane GaN에서 볼 수 있는 전형적인 줄무늬 패턴을 가지는 표면을 얻었으며 광학적 특성을 보기 위해 Photoluminescence (PL)을 측정하였다.

• Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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• 2010.02a
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• pp.166-166
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• 2010

산업 전반에 걸쳐 중요한 광원인 808 nm 대역의 레이저 다이오드 제작에는 현재 InGaAsP/InGaP/GaAs 및 InGaAlAs/GaAs 양자우물을 이용하여 제작되고 있다. 이는 양자우물과 이를 둘러싸는 장벽물질간의 band-offset이 적어 효율적인 고출력 레이저 다이오드의 제작에 어려움이 있기 때문에 강한 캐리어 구속 효과를 지니는 양자점을 사용하는 것이 고출력 레이저 다이오드를 제작할 수 있는 방법이다. 실험에 사용된 InAlAs 양자점은 Riber사의 compact21 MBE 장치를 사용하여 성장하였으며 GaAs기판을 610도에서 가열하여 표면의 산화층을 제거하고 580도에서 약 100 nm 두께의 GaAs 버퍼층 및 30 nm 두께의 $Al_{0.4}Ga_{0.6}As$층을 성장하였다. GaAs 기판의 온도를 내린 후 migration enhanced epitaxy 방법을 사용하여 InAs 및 AlAs를 번갈아 주입하여 성장하였다. InAlAs 양자점의 성장 중에 InAlAs의 양, 성장 온도, As flux량 및 As 분자 상태 변화 등 다양한 조건을 변화 시켜 샘플을 성장시켰다. 그 결과 기판 온도가 600도이며 As4 flux가 $1\;{\times}\;10^{-6}\;Torr$ 조건하에서 성장한 InAlAs/AlGaAs 양자점이 양질의 808 nm의 파장 대역을 얻을 수 있었다.

• Clinical and Experimental Pediatrics
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• v.49 no.6
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• pp.665-671
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• 2006

Purpose : To study the effects of growth hormone(GH) treatment on glucose metabolism and insulin resistance in children with idiopathic short stature(ISS). Methods : Glucose and insulin concentrations were measured during oral glucose tolerance test (OGTT) before and after GH treatment(0.6-0.7 IU/kg/week) in 20 patients with ISS. Insulin resistance was assessed by homeostasis model assessment(HOMA). Results : During OGTT, the mean blood glucose level did not show any significant changes after GH treatment. However, mean blood insulin levels of fasting and 30 minutes of OGTT showed significant increases after GH treatment, accompanying significant increases of insulin resistance. There was no difference in change of glucose, insulin levels and insulin resistance before and after GH treatment between two groups of body mass indices(BMI) of 25< and >25. There also was no significant difference between two groups of with and without family histories of diabetes mellitus (DM). There was no case of newly developed impaired glucose tolerance, fasting glucose tolerance, nor newly developed DM. Conclusion : GH treatment with doses of 0.6-0.7 IU/kg/week for mean 9.6 months in patients with ISS did not show any significant changes in blood glucose levels during OGTT. However, GH treatments induced considerably higher fasting insulin levels compared to pretreatment, resulting in statistically higher insulin resistance. Higher BMI and family history of DM did not induce any significant changes in glucose, insulin level and insulin resistance after GH treatment than the other groups.

• Ecology and Resilient Infrastructure
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• v.9 no.3
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• pp.183-193
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• 2022

The growth inhibitory effect of Microcystis aeruginosa according to the ultrasonic irradiation time was evaluated using a large algae sample volume (10 L) for various ultrasonic irradiation times (0.5, 1, 1.5, 2, 2.5 and 3 hr) at a laboratory scale. Based on the analysis of Chl-a and cell number of M. aerginosa, algae growth inhibition was observed with the decrease in Chl-a and cell number in all experimental groups after the ultrasonic irradiation. For the experimental group (T_B, T_C, T_D) with an ultrasonic irradiation time of less than 2 hours, rapid regrowth of algae was observed after growth inhibition, but the experimental group (T_E, T_F, T_G) with an irradiation time of more than 2 hours successfully inhibited algal growth lasting one or two more days. Based on the comparison of the recovery time to initial cell number the experimental group (T_B, T_C, T_D) took less than 20 days whereas the experimental group (T_E, T_F, T_G) took about 30 days. Correspondingly, the experimental group showed a high first order decay rate (𝜅) in proportion to the ultrasonic irradiation time during the growth inhibition period. Additionally, the specific growth rates (𝜇) during regrowth in the experimental group with irradiation time of more than 2 hours were relatively low compared to those in the experimental group with less than 2 hours. Therefore, ultrasonic irradiation for more than 2 hours is required for long-term (30 days) inhibition of algal growth in stagnant waters. However, the appropriate ultrasonic irradiation time for algae growth inhibition should be determined according to various field conditions such as the volume of stagnant water, water depth, flow rate, algae concentration, etc. Finally, damages to the algal cell surface and cell membrane were clearly observed, and both destruction and disturbance of gas vesicles of M. aeruginosa in the experimental group were discovered, indicating the growth inhibitory effect of Microcystis aeruginosa according to the ultrasonic irradiation time was confirmed.

• Korean Journal Plant Pathology
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• v.3 no.3
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• pp.198-202
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• 1987

Toxic metabolites ('Toxins'), produced by Helminthosporium sativum causing leaf blotch in barley and root rot in barley and wheat were partially purified through C-18 column. The partially purified toxins appeared heat unstable and lipophilic. The responses of toxins to wheat and barley root corresponded with those to lettuce growth with the different concentrations. The determination of the concentration of toxins produced was developed using the dilution end-points. The equation [Y = a log X + b) was obtained from the semi-log­graphy with the linear analysis. The values 'a' and 'b' were discussed with the responses of several plants on the toxin produced by H. sativum.