• 한국신재생에너지학회:학술대회논문집
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• 2009.06a
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• pp.31-31
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• 2009

PECVD를 이용하여 제조된 미세결정질 p-i-n 실리콘 박막 태양전지에서, p 층은 태양전지의 윈도우 역할 및 그 위에 증착될 i ${\mu}c-Si:H$ 층의 'seed'층 역할을 수행하기 때문에, p층의 구조적 및 전기적, 광학적 특성은 태양전지의 전체 성능에 큰 영향을 미칠 수 있다. 본 연구에서는 $SiH_4$ 농도를 변화시켜 각기 다른 결정 특성을 갖는 p ${\mu}c-Si:H$층을 제조하고 그 위에 i ${\mu}c-Si:H$ 층을 증착하여 p층의 결정 특성변화와 그에 따른 i ${\mu}c-Si:H$ 층 및 'superstrate' p-i-n 미세결정질 실리콘 박막 태양전지의 특성 변화를 조사하였다. P층의 경우, $SiH_4$ 농도가 증가함에 따라 결정분율 (Xc)이 감소하여 비정질화되었으며 그에 따라 dark conductivity가 감소하는 경향을 나타내었다. 각기 다른 결정분율을 가지는 p 'seed' 층 위에 증착된 태양전지는, p 'seed' 층의 결정분율이 증가함에 따라 개방전압, 곡선인자, 변환효율이 경향적으로 감소하였다. 이는 p 층 결정분율 변화에 따른 p/i 계면특성 저하 및 그 위에 증착되는 i ${\mu}c-Si:H$ 층의 결함밀도 증가 등에 따른 태양전지 특성 감소 때문인 것으로 판단되며, 이를 분석하기 위하여 i ${\mu}c-Si:H$ 층의 전기적, 구조적 특성 분석 및 태양전지의 dark I-V 특성 등을 분석하고자 한다.

• 한국신재생에너지학회:학술대회논문집
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• 2011.05a
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• pp.110.2-110.2
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• 2011

일본 Sanyo 사에 의해서 획기적으로 HIT 태양전지가 개발된 바 있다. 이러한 HIT 태양전지는 기존의 확산-접합 Si 태양전지에 비해서 저비용 고효율의 장점을 갖는다: 22% 이상의 변환효율, $200^{\circ}C$ 이하의 공정온도, 낮은 태양전지 온도 의존도, 높은 개방전압. 한편 Sanyo사의 HIT 태양전지는 n-형 Si 웨이퍼를 이용한 반면에, 최근 미국 National Renewable Energy Laboratory는 p-형 Si 웨이퍼를 이용해서 변환효율 19% 대의 HIT 태양전지를 개발한 바 있다. 그 동안 지속적으로 p-형 Si HIT 태양전지를 고효율화하기(< 22%) 위해서 많은 노력이 진행되어 왔지만 이와 같은 노력에도 불구하고 아직 p-형 HIT는 n-형 HIT 태양전지에 비해서 다소 성능면에서 떨어져 있다. 본 연구는 n- 및 p-형 실리콘 웨이퍼로 구성된 HIT 태양전지의 물리적인 차이점에 초점을 맞추고, 결정 및 비정질 실리콘 층의 역할에 대해서 연구하였다. 특히 태양전지 효율을 향상시키는 요소들로서 결정 실리콘의 불순물 준위(n- 및 p-형) 또는 비저항, 비정질 실리콘으로 구성된 emitter 층, intrinsic 층, 경계면이 고려되었다. 그리고 이러한 요소들이 HIT 태양전지에 미치는 영향을 조사하기 위해서 AMPS-1D 컴퓨터 프로그램을 사용하였고, 이를 통해서 HIT 태양전지의 결정 및 비정질 실리콘 층의 역할을 물리적 정량적으로 분석하였다. 본 연구에 적용되는 HIT는 ITO/a-Si:H(p+)/a-Si:H(i)/c-Si(n)/a-Si:H(i)/a-Si:H(n+) 및 ITO/a-Si:H(n+)/a-Si:H(i)/c-Si(p)/a-Si:H(i)/a-Si:H(p+)의 구조로서 다음과 같은 태양전지 특성을 갖는다: n-형 HIT의 경우, fill factor ~ 0.78, 단락전류밀도 ~ 38.1 $mA/cm^2$, 개방전압 0.74 V, 변환효율 22.3 % (그리고 p-형 HIT의 경우, fill factor ~ 0.76, 단락전류밀도 ~ 36.5 $mA/cm^2$, 개방전압 0.69 V, 변환효율 19.4 %).

• Journal of Korea Multimedia Society
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• v.15 no.11
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• pp.1369-1376
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• 2012

In this paper, we propose 2D industrial image registration method for the detection of defects. Proposed method performs preprocessing to smooth the original image with the preservation of the edge for the robust registration against general noise. Then, x-direction gradient magnitude image and corresponding binary image are generated. Density analysis around neighborhood regions per pixel are performed to generate feature image for preventing mis-registration due to moire-like patterns, which frequently happen in industrial images. Finally, 2D image registration based on phase correlation between feature images is performed to calculate translational parameters to align two images rapidly and optimally. Experimental results showed that the registration accuracy of proposed method for the real industrial images was 100% and our method was about twenty times faster than the previous method. Our fast and accurate method could be used for the real industrial applications.

• Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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• 2010.08a
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• pp.231-231
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• 2010

GaN는 상온에서 3.4 eV의 넓은 밴드갭을 갖는 직접천이형 반도체로 우수한 전기적/광학적 특성 및 화학적 안정성으로 발광 다이오드 및 레이저 다이오드 등과 같은 광전소자 응용을 위한 소재로 많은 연구가 진행되어왔다. 특히, GaN 나노구조의 경우 낮은 결함밀도, 빠른 구동 및 고집적 특성 등을 가지기 때문에 효과적으로 소자의 광학적/전기적 특성을 향상시킬 수 있어 나노구조 성장을 위한 연구가 활발히 진행되고 있다. 최근에는 Metal organic vapor deposition (MOCVD), hot filament chemical vapor deposition (CVD), molecular beam epitaxy (MBE), hydride vapor phase epitaxy (HVPE) 등 다양한 방법을 통해 성장된 GaN 나노구조가 보고되고 있다. 하지만 고가 장비 사용 및 높은 공정 온도, 복잡한 공정과정이 요구되며 크기조절, 조성비, 도핑 등과 같은 해결되어야 할 문제가 여전히 남아있다. 본 연구에서는 나노구조를 형성하기 위하여 보다 간단한 방법인 전기화학증착법을 이용하여 GaN 나노구조를 ITO 및 FTO가 증착된 전도성 glass 기판 위에 성장하였고 성장 메커니즘 및 그 특성을 분석하였다. GaN 나노구조는 gallium nitrate와 ammonium nitrate가 혼합된 전해질 용액에 Pt mesh 구조 및 전도성 glass 기판을 1cm의 거리를 유지하도록 담가두고 일정한 전압을 인가하여 성장시켰다. Pt mesh 구조 및 전도성 glass 기판은 각각 상대전극 (counter electrode) 및 작업전극 (working electrode)으로 사용되었고 전해질 용액의 농도, 인가전압, 성장시간 등의 다양한 조건을 통하여 GaN 나노구조를 성장하고 분석하였다. 성장된 GaN 나노구조 및 형태는 field emission scanning electron microscopy (FE-SEM)를 이용하여 분석하였고, energy dispersive X-ray (EDX) 분석을 통하여 정량 및 정성적 분석을 수행하였다. 그리고 성장된 GaN 나노구조의 결정성을 조사하기 위해 X-ray diffraction (XRD)을 측정 및 분석하였다. 또한, photoluminescence (PL) 분석으로부터 GaN 나노구조의 광학적 특성을 분석하였다.

• Proceedings of the Korea Crystallographic Association Conference
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• 2002.11a
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• pp.22-23
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• 2002

Titanium은 높은 강도, 낮은 밀도, 부식에 대한 저항 등, 타 금속에 비해 월등히 뛰어난 성질을 가지고 있기 때문에 산업 전반에 거쳐 그 응용이 크게 증가하고 있으며, 특히 고온에서의 응용이 중요성을 띠게 됨에 따라 고온으로의 상전이 관계에 따른 구조적 규명이 필요하다. 순수한 titanium은 상온에서 조밀충진 육방정계의 α-상구조(a=2.953Å, c=4.683 Å, P6₃/mmc)를 이루고 있으나, 대략 880℃ 이상에서는 β-상의 체심입방정계 (a=3.320Å, Im3m)로 상전이가 되는 것으로 알려져 있다. 이에 대한 대부분의 연구가 kinetics와 thermodynamics에 관련되어 있으며, TEM을 이용한 직접가열실험은 거의 전무한 상태이다. 본 실험에서는 TEM 직접가열을 통하여 titanium의 고온에서의 상전이와 가열시 발생할 수 있는 산화층 형성을 연구하였다. TEM 시편은 순도 99.94％의 titanium foil(Alfa Aesar, ＃00360, 0.025mm thick)를 이용하였고, 분석 장비로는 에너지여과 기능이 있는 TEM(EM912 Omega, Carl Zeiss)과 Gatan사의 double-tilt heating holder를 사용하였다. Titanium의 상전이를 관찰하기 위해 900℃ 까지 분당 10℃ 의 속도로 가열을 하였다. 통계적 분석 오차를 줄이기 위해 서로 다른 4군데의 관찰영역을 선택하여, 상온 - 600℃ - 900℃ - 상온의 단계별로 회절패턴을 관찰 및 기록하였고, 발생 가능한 산화에 대해서는 동일한 장비를 사용하여 EDS 분석을 하였다. 상온에서의 서로 다른 영역의 회절패턴들은 결함의 존재에 상관없이, 온도가 증가함에 따라 그 결함수가 증가하게 된다. 특히 600℃ 에서는 쌍정과 관련된 회절점들이 본래의 회절점 주위에 형성되어있지만, 각 면들의 격자상수의 변화는 나타나지 않았다. 그러나 900℃ 에서는 쌍정에 의한 회절점의 수가 증가하며, 회절점 사이에 발달한 뚜렷한 막대모양의 강도분포와 격자상수의 변화를 관찰할 수 있었다. 다시 상온으로 냉각시킨 후 관찰한 각각의 회절패턴에서는 격자 상수의 감소와 함께 900℃에 보여진 막대 모양의 강도분포와 쌍정에 의한 회절점들이 여전히 남아있었다. EDS분석 결과 가열 실험을 통해 시편이 열적 산화가 되어 있음을 확인 할 수 있었다. 순수한 titanium의 α-상에서 β-상으로의 상전이를 파악할 수 있는 격자상수의 변화자체는 매우 작은 값이기 때문에 상온과 900℃ 에서 기록된 전자회절패턴 상에서의 면간거리와 면간각도의 측정만으로는 상전이 여부를 명확히 구별할 수 없었다. 그러나, 결함에 의한 상변화가 900℃ 에서 심하게 관찰되어지는 것은 상전이와 관계가 있는 것으로 볼 수 있다. 고온에서 상온으로의 가역적 반응을 관찰할 수 없었던 이유는 열적산화로 생긴 산화층의 산소원자들이 고온의 상전이 과정 중에 Ti 원자와 반응이 일어나 TiO/sub X/ 구조로 전이되었기 때문으로 추정하고 있다.

• Korean Journal of Crystallography
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• v.8 no.1
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• pp.26-32
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• 1997

Quartz single crystals were grown hydrothermally and growth defects such as dislocations, etch channels and impurities were examined. Growth rates were 0.25-0.65 mm/day under the growth conditions of following. 1. Mineralizer: $4wt.\%$ NaOH. 2. Growth temperature: $340-360^{\circ}C$. 3. Temperature gradient: $20-40^{\circ}C$. 4. Seed: ZY plate. 5. Nutrient: synthetic quartz. Defects of the quartz which was grown with optical grade synthetic nutrient, low dislocation density seed and horizontal seed setting technique were as follows. 1. Dislocation density: 20.0 each/$cm^2$. 2. Etch channel density: 5.0 each/$cm^2$ (1st grade by IEC 758 standard). 3. Impurity (larger than 10$\mu$) concentration: 2.4 each/$cm^3$ (Ia grade by IEC 758 standard). 4. Alpha value: 0.019 (A grade by IEC 758 standard).

• Journal of the Korea Society of Computer and Information
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• v.28 no.4
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• pp.105-112
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• 2023

In this paper, we propose a new method for displaying colored defects by measuring the relative density with the wide-area and local densities of X-ray. The relative density of one pixel represents a relative difference from the surrounding pixels, and we also suggest a colorization of X-ray images representing these pixels as normal and defective. The traditional method mainly inspects materials such as plastics and metals, which have large differences in transmittance to the object. Our proposed method can be used to detect defects such as sprouts or holes in images obtained by an inspection machine that detects X-rays. In the experiment, the products that could not be seen with the naked eye were colored with pests or sprouts in a specific color so that they could be used in the agricultural product selection system. Products that are uniformly filled with a single ingredient inside, such as potatoes, carrots, and apples, can be detected effectively. However, it does not work well with bumpy products, such as peppers and paprika. The advantage of this method is that, unlike machine learning, it doesn't require large amounts of data. The proposed method could be applied to a screening system using X-rays and used not only in agricultural product screening systems but also in manufacturing processes such as processed food and parts manufacturing, so that it can be actively used to select defective products.

• Korean Chemical Engineering Research
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• v.54 no.1
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• pp.44-51
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• 2016

The powder core, conventionally fabricated from iron particles coated with insulator, showed large eddy current loss under high frequency, because of small specific resistance. To overcome the eddy current loss, the increase in the specific resistance of powder cores was needed. In this study, copper oxide coating onto electrically conductive iron particles was performed using a planetary ball mill to increase the specific resistance. Coating factors were optimized by the Response surface methodology. The independent variables were the CuO mass fraction, mill revolution number, coating time, ball size, ball mass and sample mass. The response variable was the specific resistance. The optimization of six factors by the fractional factorial design indicated that CuO mass fraction, mill revolution number, and coating time were the key factors. The levels of these three factors were selected by the three-factors full factorial design and steepest ascent method. The steepest ascent method was used to approach the optimum range for maximum specific resistance. The Box-Behnken design was finally used to analyze the response surfaces of the screened factors for further optimization. The results of the Box-Behnken design showed that the CuO mass fraction and mill revolution number were the main factors affecting the efficiency of coating process. As the CuO mass fraction increased, the specific resistance increased. In contrast, the specific resistance increased with decreasing mill revolution number. The process optimization results revealed a high agreement between the experimental and the predicted data ($Adj-R^2=0.944$). The optimized CuO mass fraction, mill revolution number, and coating time were 0.4, 200 rpm, and 15 min, respectively. The measured value of the specific resistance of the coated pellet under the optimized conditions of the maximum specific resistance was $530k{\Omega}{\cdot}cm$.

• Journal of the Korean Vacuum Society
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• v.4 no.1
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• pp.77-84
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• 1995

LCD용 다결정 실리콘 TFT의 제조에 요구되는 고품위의 다결정 실리콘 박막을 60미만의 저온 공정으로 제조하는 기술로 비정질 박막의 고상 결정화(solid phase crystallization) 가 유망하다. 본 연구에서는 고진공 화학증착기를 이용하여 증착된 비정질 실리콘 막의 고상결정거동에 대해 연구하였다. 고상 결정화 속도 및 결정화 후의 결정성(결정립 크기 및 결함 밀도) 화학증착시의 증착가스의 종류(SiH4 혹은 Si2H6), 공정 압력, 증착 온도 등에 민감한 영향을 받으며 Si2H6가스의 사용, 증착 압력의 증가, 증착온도의 감소는 최종 결정립의 크기를 현저히 증가시킨다. 또한 증착전의 기초 진공도를 높임으로써 반응기 잔류 가스에 의한 산소나 탄소 등의 막내 유입이 감소되어 결정화 속도가 증가하고 결정성이 향상되었다.

• Journal of the Korean Crystal Growth and Crystal Technology
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• v.5 no.4
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• pp.378-385
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• 1995

The growth processes of improved methods for MBE, LPE and $\mu$ - PD methods are discussed taking the oxide materials, especially those of Bi - Sr - Ca - Cu family $LiNbO_3$ and $K_3Li_2Nb_5O_{15}$ family as examples. It is suggested that the crystal growth far from equilibr iu m including composition homogeneity has been achieved to satisfy in understanding and controlling the atomic interfaces.