• Journal of the Microelectronics and Packaging Society
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• v.14 no.3
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• pp.37-42
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• 2007

Copper deposition studies have been actively studied since interests on 3D SiP were increased. The defects inside via can be easily formed due to the current density differences on entrance, bottom and wall of via. So far many different additives and current types were discussed and optimized to obtain void-free copper via filling. In this research acid cupric sulfate plating bath containing additives such as PEG, SPS, JGB, PEI and wave current applied electroplating were examined. The size and shape of grain were influenced by the types of organic additives. The cross section of specimen were analyzed by FESEM. When PEI was added, the denser copper deposits were obtained. Electroplaing time was reduced when 2 step via filling was employed.

• Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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• 2014.02a
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• pp.289.2-289.2
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• 2014

본 연구에서는 전기증착법 정전류 방법으로 ITO 유리기판 위에 ZnO 나노막대를 성장하였다. 성장 매개 변수로 용액 농도, 전착 전류, 용액 온도 및 성장 시간으로 하였고, 성장된 ZnO 나노막대는 field-emission scanning electron microscopy, X-ray diffractometer, photoluminescence를 이용하여 구조적, 광학적 특성을 분석하였다. 모든 시료에서 ZnO 나노막대는 wurtzite 형태의 결정 구조를 가지고, c-축 배향성을 나타내는 강한 ZnO(002) 회절피크가 나타났다. 용액 농도와 전착 전류가 감소함에 따라 ZnO 나노막대의 밀도 및 직경이 감소하였다. 또한, ZnO 나노막대는 성장 온도가 증가함에 따라 직경이 줄어들었고, 성장 시간이 증가함에 따라 ZnO 나노막대의 길이는 늘어났다. 모든 ZnO 나노막대 시료는 자유 엑시톤 재결합에 의해서 3.18 eV, 산소공공에 의한 결함에 의해서 2.32~1.86 eV의 피크가 관찰되었다. ZnO 나노막대의 직경이 작아질수록 NBEE 피크의 세기가 감소하고, 용액의 농도가 증가함에 따라 NBEE 피크는 청색편이 하였다.

• Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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• 2012.02a
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• pp.494-494
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• 2012

최근에 현대 물리학과 과학의 정점에 있는 초전도가속기 같은 고에너지 빔 가속기 시스템에서 Diocotron instability의 연구가 재조명 되고 있다. 환형의 전자 빔 사이로 프로톤 빔을 통과시키는 구조로써 자기장과 회전하는 전자빔의 상호작용에 기초를 두고 있으며 이 환형의 전자 빔이 고에너지의 프로톤 빔을 집속하는 역할을 한다. 하지만 전자빔이 진행함과 동시에 왜곡되는 현상이 발생하는데 이 왜곡되는 현상을 충분히 조절하지 못한다면 프로톤 빔의 손실과 가속하는 빔의 에너지 저하를 초래하게 될 것이고 또한 실험장치 자체에도 큰 결함을 발생 시킬 수 있다. 따라서 Diocotron instability는 가속기를 활성화 하는데 주요한 테마가 될 것이다. 환형의 전자 빔 층은 정전기적 효과로 인해서 안쪽과 바깥쪽의 속도차가 발생하게 되고 이로 인하여 drift instability 가 발생하게 되어서 왜곡이 발생하고 결국에는 몇 개의 소용돌이를 생성하게 된다. 본 연구에서는 이를 2차원 원통형 구조의 Particle-in-cell 시뮬레이션을 통하여 연구하였으며 자기장의 효과에 따른 환형의 전자빔의 왜곡현상을 지연시키는 방안에 중점을 두었다. 특히 자기장의 세기, 전자빔의 밀도, 전자빔 층의 두께, 전자빔의 프로필의 차이에 의한 결과로 연구하였다.

• Journal of Korea Foundry Society
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• v.22 no.6
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• pp.309-314
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• 2002

The effect of mold density and evacuation on surface defect of high chromium cast iron upon EPC process was investigated. Under evacuation of $0.1{\sim}0.3$ atm, surface defects were carbon defect, burn on and misrun. Carbon defect was augmented by increasing mold density from 0.011 g/$cm^3$ to 0.03 g/$cm^3$ under evacuation of $0.1{\sim}0.3$ atm, but carbon defect was decreased by increasing evacuation from 0.1 to 0.3 atm. Burn-on wasn't found under evacuation of 0.1 atm regardless of mold density, but burn-on was augmented by increasing evacuation from 0.2 to 0.3 atm and decreased by reducing mold density. Misrun was only found under 0.1 atm evacuation and 0.011 g/$cm^3$ mold density.

• Electrical & Electronic Materials
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• v.8 no.5
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• pp.640-647
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• 1995

In this study, the BaTiO$\sub$3/ capacitor add to MnO$\sub$2/ like depressor and shifter were investigated for temperature or voltage compensation by structural and electrical analysis. The relative density of BCTM, generating poly crystall and formation of lattice defect, has a 90[%] over as the CaTiO$\sub$3/ come out to control grain size. The current density of BCTM2 increased non-ohmic in high-electric field but that BCTM3 and BCTM4 had a few changing. The BCTM3 and BCTM4 unformated grain boundary shown temperature compensation properties, so that the dielectric constant was low value. The curie point was near 140[.deg. C] in BCTM1 and BCTM4, but BCTM3 and BCTM4 not shown the curie point. It is found that the charging energy of BCTM4 was changed 6[%] according to rising temperature from room temperature to 417[K]. The formation of BaMnO$\sub$3/ was low dielectric constant to change frequency and temperature.

• Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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• 2014.02a
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• pp.311-311
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• 2014

III-N계 물질로 이루어진 GaN 기반의 광 반도체는 직접 천이형 넓은 밴드갭 구조를 갖고 있기 때문에 적외선부터 가시광선 및 자외선까지를 포함한 폭 넓은 발광파장 조절이 가능하여 조명 및 디스플레이 관련 차세대 광원으로 많은 관심을 받고 있다. 하지만, GaN기반의 발광 다이오드는 많은 연구기관들의 오랜 연구에도 불구하고 고출력을 내는데 있어 여전히 많은 문제들이 존재한다. 그 중, 주입전류 증가에 따른 효율감소 현상은 출력을 저해하는 대표적인 요소로 알려져 있는데, 이전의 연구 결과에서 알려진 효율감소 현상의 원인으로 결정결함에 의한 누설전류, Auger 재결합, 이송자 넘침 현상 그리고 p-n접합부의 온도 상승 등의 현상이 알려져 있다 [1-2]. 하지만 여전히 주입 전류 증가에 따른 효율 감소 현상의 원인에 대해 명확한 해답은 없으며 아직도 많은 논의가 이루어 지고 있다. 따라서, 본 연구에서는 GaN기반의 청색 및 녹색 LD와 LED소자를 이용하여 주입전류 밀도의 변화에 따른 자발 발광 영역에서의 효율감소 현상의 원인을 규명하고 한다. 유기금속화학증착법(MOCVD)를 이용하여 c면 사파이어 위에 서로 다른 발광파장을 가지는 InGaN/GaN 다중양자우물구조의 질화물계 LED와 LD 박막을 제작하였으며 성장 구조에 의한 특성으로 인해 발생하는 효율 저하 현상을 방지하고자 InGaN/GaN으로 이루어진 다중양자우물층의 조성만 제어하여 청색과 녹색으로 발광하도록 하였다. 청색 및 녹색 LD 웨이퍼들을 이용하여 주입전류 증가에 따른 발광특성을 조사하기 위해 LD와 LED는 표준 팹 공정에 의해 제작되었다. 전계 발광 측정을 위해 상온에서 직류 전류를 주입하여 GaN계 청색 및 녹색 LED와 LD에 각 5 mA/cm2에서 50 mA/cm2까지 전류밀도를 증가시킴에 따라 LD 및 LED칩 형태에 상관없이 청색 LD와 LED의 파장은 약 465nm에서 약 458nm로 감소하였고 녹색 LD와 LED의 파장은 약 521nm에서 약 511~513 nm까지 단파장화가 발생했다. 이는 동일한 웨이퍼에 동일한 전류 밀도를 주입하였기 때문에 발생하는 것으로 판단된다. 그러나, 청색 LED의 효율은 50 mA/cm2에서 약 70%정도로 감소하고 반면 녹색 LED의 경우 동일한 전류밀도 하에 약 52%정도로 감소하였지만, 청색과 녹색 LD의 경우 동일한 전류 밀도의 범위 내에서 더욱 낮은 효율저하 현상을 나타내었다. 또한, 접합 온도를 측정한 바 청색소자가 녹색 소자에 비하여 낮은 접합 온도를 나타낼 뿐아니라, 청색 및 녹색 LD의 경우 LED 보다 낮은 접합 온도를 나타내고 있었다. 이는 InGaN 활성층의 In 조성이 증가할수록 비발광 센터에 의한 접합온도 상승 뿐 아니라, LD ridge 구조에서 더 많은 열이 방출되어 접합 온도가 감소될 수 있는 것으로 판단된다. 우리는 동일한 웨이퍼에 LED와 LD를 제작하였고, 동일한 전류 주입밀도를 인가하였기 때문에 LD와 LED의 효율 감소 현상의 차이는 이송자 넘침 현상, 결정 결함, 오제 재결합 등이 원인보다 활성층의 접합 온도 상승이 가장 큰 영향이 될 수 있을 것으로 판단된다.

• Journal of the Korean Wood Science and Technology
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• v.34 no.1
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• pp.23-31
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• 2006

X-ray transit materials with straight path and the its intensity is proportional to the density of materials. Therefore, X-ray has been extensively used as a nondestructive evaluation (NDE) method in various fields. This study was carried out for development of a portable X-ray CT (computed-tomography) system to detect deteriorations of wood members in buildings. Based on the results of our previous study, a procedure of CT image reconstruction was established In order to verify the applicability of developed system, CT images of three wood disks were reconstructed by newly developed procedure and compared with the prototypes. From the results of this study, it was shown that the newly developed system could be used not only to determine the shape, size, and position of defects, but also to find the density distribution in cross section of wood structure members. The density distribution may be utilized to clarify the reason of wood deterioration and to provide the preventive method on how to treat or repair wood buildings. Because it was initial stage of system development, there were some limitations concerned with measuring equipment and image reconstruction algorithm. Especially, measuring time including equipment setup time was longer and measuring accuracy was lower than we expected. Therefore, we planned some additional studies on improvement of equipment and algorithm to enhance the capability of X-ray CT system.

• Journal of the Korean Chemical Society
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• v.31 no.6
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• pp.491-497
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• 1987

$ThO_2-Tm_2O_3$ (TDT) solid solutions containing 1,3,5,8,10, and 15 mol% $Tm_2O_3$ were synthesized from spectroscopically pure $ThO_2$ and $Tm_2O_3$ polycrystalline powders. The TDT solid solutions were indentified to the fluorite structure by the X-ray powder technique. The values of the lattice parameter were decreased with increasing amount of $Tm_2O_3$ incorporated. But, there was no linearity for the samples containing 8, 10, and 15 mol% $Tm_2O_3$. It was concluded that these samples became incomplete solid solutions. From the intensity analyses of X-ray diffraction patterns, the residual factor was found below 0.13 even for the 15 mol% TDT system. lt was confirmed from the DTA and TGA analyses that any phase transitions did not occur under the experimental condition executed. Comparing the pycnometric density with the lattice parameter obtained from XRD, it was suggested that the predominant defect model be an oxygen vacancy.

• Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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• 2010.08a
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• pp.154-155
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• 2010

최근 Stranski-Krastanov (SK) 성장법을 이용한 자발형성 (Self-assembled) InAs/GaAs 양자점 (Quantum Dot) 연구가 기초 물리학뿐만 아니라 응용에 있어 활발하게 진행되고 있다. 그러나 기존 보고에 따르면 SK 성장법을 통한 InAs/GaAs 양자점은 크기, 균일도, 및 밀도 등의 성장거동 제어에 한계가 있다. 예로, 성장속도 및 증착양이 감소하더라도 상대적으로 크기가 큰 InAs/GaAs 클러스터 (Cluster)를 형성하여 크기분포의 불균일 및 결함을 야기하여 결과적으로 전기/광학적 특성을 저해하는 요인이 된다. 이를 개선하기 위한 방안으로 SK 성장법을 변형한 다양한 수정자발형성법이 제안되어 연구되고 있다. 본 논문에서는 기존 SK 성장법과 Arsenic-interruption Technique(AIT), In Pre-deposition (IPD)법을 각각 접목한 수정자발형성법을 이용하여 상대적으로 크기가 큰 InAs/GaAs 양자점 또는 클러스터 형성을 감소시켜 공간적 크기 균일도 및 밀도를 제어한 결과를 보고한다. 성장된 InAs/GaAs 양자점 시료의 구조 및 광학적 특성을 원자력간현미경 (Artomic Force Microscopy, AFM)과 Photoluminescence (PL) 분광법을 이용하여 분석하였다. 기존 SK 성장법을 이용하여 형성한 기준시료의 AFM 이미지에서 InAs/GaAs 양자점과 클러스터의 공간밀도는 각각 6.4*1010/cm2와 1.4*109/cm2로 관찰되었다. 그러나, AIT를 이용한 양자점 시료의 경우 상대적으로 크기가 큰 InAs/GaAs 클러스터는 관찰되어지지 않았고, 양자점 밀도는 8.4*1010/cm2로 SK 양자점에 비하여 30% 정도 개선되었다. 또한, InAs/GaAs 클러스터를 제외한 공간 균일도는 SK-InAs/GaAs 양자점의 15.6%에 비하여 8%로 크게 개선된 결과를 얻었다. AIT 성장법을 이용한 InAs/GaAs 양자점에서 원자의 이동거리 (Migration Length)의 제어로 양자점의 형성특성이 개선된 것으로 설명할 수 있으며, Arsenic 차단 시간이 임계점 이상으로 길어지면 다시 InAs/GaAs 클러스터들이 형성되는 것을 관찰할 수 있었다. InAs/GaAs 양자점과 클러스터 형성 특성이 초기 표면 조건에 어떻게 영향을 받는지 분석하기 위해, InAs 양자점 성장 이전에 V족 물질 공급 없이 Indium의 공급시간을 1초(IPDT1S 시료), 2초 (IPDT2S 시료), 3초 (IPDT1S 시료)로 변화시키면서 증착하고 기존 SK 성장법으로 양자점을 성장하였다 (IPD성장법). 그 결과 IDP1S 양자점 시료의 공간밀도가 10*1010/cm2로 SK InAs/GaAs 양자점 시료에 비해 약 60% 정도 증가하였고, 클러스터도 관찰 할 수 없었다. 그러나 IPD 시간이 증가할수록 다시 InAs/GaAs 클러스터들이 형성되는 것을 관찰할 수 있었다. 이러한 결과는 InAs/GaAs 양자점 성장초기에 InAs 핵생성 사이트 (Nucleation site)의 크기 및 상태를 제어하는 것이 양자점의 밀도 및 균일도를 제어하는 중요한 요소임을 알 수 있다.

• Journal of the Korean Crystal Growth and Crystal Technology
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• v.32 no.3
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• pp.89-95
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• 2022

In this study, glassy carbon coating was performed on the graphite using a phenolic resin and a curing agent was mixed with ethylene glycol as an additive to form the uniform surface. The phenolic resin was dried and cured under the environments of hot air, then converted into a glassy carbon layer by pyrolysis at 500~1,500℃. FTIR, XRD, SEM analysis, and density/porosity/contact angle measurement were performed for characterization of glassy carbon. The pyrolysis temperature for high-quality glassy carbon was optimized to be about 1,000℃. As the content of the additive increased, the effect of reducing surface defects on the coated surface, reduction of porosity, increase of contact angle, and increase of density were investigated in this study. The method of forming a glassy carbon coating layer through an additive is expected to be applicable to graphite coating and other fields.