• Title/Summary/Keyword: 결정화도

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Surface Crystallization of Polycarbonate by Mixed Solvents (혼합 용매에 의한 폴리카보네이트의 표면 결정화)

  • Yoo, Youngjae;Park, Changhyun;Won, Jong Chan;Lee, Sung-Goo;Choi, Kil-Yeong;Lee, Jae Heung
    • Journal of Adhesion and Interface
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    • v.5 no.4
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    • pp.17-23
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    • 2004
  • In this study, we prepared the polycarbonates with various molecular weights by melt polymerization and investigated the crystallization by solvent induced crystallization. Effects of the types and compositions of solvents, crystallizing temperatures and molecular weights on crystallinity and melt temperatures of polycarbonates were evaluated by DSC, XRD and SEM. In case of low molecular weight polycarbonates and high crystallization temperature, the crystallinity of the polycarbonate was increased. As the increase of the crystallization temperature and the solution concentration, relatively uniform crystalline structures were obtained. Also, by treating with mixed solvents, the control of desired surface areas and crystallinity could be possible.

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The study for the crystallization of a-Si by using the Ni-solution (Ni-solution을 이용한 a-Si 결정화에 관한 연구)

  • Son, Hyuk-Joo;Kim, Jae-Hong;Lee, Jeoung-In;Yi, Jun-Sin
    • Proceedings of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers Conference
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    • 2007.06a
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    • pp.95-96
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    • 2007
  • 유리 기판 상부에 버퍼 층을 형성 한 후 플라즈마 화학 기상 증착 법을 이용하여 비정질 실리콘을 증착하고 Ni-solution을 이용하여 앓게 Ni 코팅한다. 그 시료를 약 $600^{\circ}C$의 RTA 열처리 공정을 이용하여 비정질 실리콘을 다결정 실리콘으로 결정화 시키는 연구를 진행하였다. Ni 코팅 과정에서 온도를 달리하며 실험한 결과 약 70 에서 $80^{\circ}C$의 온도에서 진행을 하여야 가장 결정화가 잘 일어나는 것을 알 수 있다. Ni 코팅은 15 초, RTA 공정은 40분간의 진행 시간을 거쳐야 최적의 결정화 정도를 만들어 낸다.

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He-SiH4혼합가스를 이용하여 RF-PECVD에 의해 증착된 수소화된 나노결정질 실리콘 박막의 재료적 특성에 관한 연구

  • Kim, In-Gyo;Jeong, Ho-Beom;Im, Jong-Hyeok;Kim, Gyeong-Nam;Yeom, Geun-Yeong
    • Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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    • 2011.02a
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    • pp.170-170
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    • 2011
  • 태양전지와 박막 트랜지스터를 위한 유망한 재료로서 수소화된 비정질 실리콘과 나노결정 실리콘 박막이 관심을 받아 왔다. 특히, 수소화된 나노결정 실리콘 박막은 비정질 대비 높은 방향성과 조밀한 구조 덕에 박막 태양전지나 TFT(Thin film transistor) 소자의 성능 향상에 기여할 수 있는 물질로 연구되고 있다. 이러한 박막들은 보통 $SiH_4$같은 Si을 포함한 가스에 다량의 $H_2$를 희석시켜 플라즈마 화학 증착법(PECVD, Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition)에 의해 성장된다. 이러한 CVD증착 방식을 이용하여 결정화된 박막을 얻기 위해서는 대개 높은 수소 희석비를 이용하는 것이 일반적이나, 이러한 공정 방식은 실리콘이 결합되어야 할 결합위치에 bonding energy가 더 높은 수소의 결합을 촉진하게 된다. 이러한 특성은 박막 태양전지에서 효율을 떨어뜨리는 주요 요소로 작용하고 있다.(1) 본 연구에서는 수소의 결합 확률을 낮춘 결정화된 박막을 성장시키기 위해 수소를 대신하여 헬륨을 희석가스로 사용하여 박막을 증착하고 그 특성을 분석해 보았다. 박막의 구조적 특성, 결정화도(Xc), 플라즈마 내 활성 라디칼(Active radical in plasma), Si-H결합 특성, 전도도(Conductivity)와 같은 박막 특성을 알아보기 위해 주사전자현미경(SEM, Scanning Electron Microscopy), 라만 분광기(Raman spectroscopy), 광 방출 분광기(OES, Optical Emission Spectrocopy), 적외선 분광기(FT-IR, Fourier Transform-Infrared Spectroscopy), Keithley measurement kit이 사용되었다. 수소를 대신하여 헬륨을 사용함으로써 동일 결정화도 대비 10%이상 낮은 microstructure factor 값을 얻을 수 있었으며 인가되는 RF 전력을 140W까지 증가시켰을 때 약 80%의 결정화도를 관찰할 수 있었다.

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Non-isothermal Crystallization Behavior of Poly(glycolide-co-ε-caprolactone-co-L-lactide) Block Copolymer (생체분해성 Poly(glycolide-co-ε-caprolactone-co-L-lactide) 블록 공중합물의 비등온 결정화 거동에 관한 연구)

  • Choi, Sei-Young;Song, Seung-Ho
    • Elastomers and Composites
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    • v.49 no.1
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    • pp.13-23
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    • 2014
  • In this work, glycolide, L-lactide and ${\varepsilon}$-caprolactone monomers were polymerized into the triblock copolymers by two step polymerization method and their non-isothermal crystallization behaviors were studied by combination of modified Avrami and Ozawa formula for further analysis of their behaviors. The result showed that PGCLA21 gave the highest value for supercooling analysis and super cooling degree increased with L-lactide content. Crystallization velocity constant, however, showed no significant change. The result of cooling function in specific relative crystallization degree showed that the increase of L-lactide content made an effect on the more enhancement of crystallization velocity of the PGCLA than PGCL. The result of big logF(T) value with the L-lactide content above critical point for PGCLA41 and PGCLA21 showed that bigger cooling velocity needed to gain same crystal size compared with PGCL. This means that it gives negative effect in the increase of crystallization velocity.

Infrared Spectroscopic Study on the Effect of an External Electric Field on the Crystallization Behavior of PVDF (적외선분광분석을 통한 외부 전장이 PVDF 결정화 거동에 미치는 영향에 관한 연구)

  • 김갑진;조항원;이종순
    • Proceedings of the Korean Fiber Society Conference
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    • 2002.04a
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    • pp.97-100
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    • 2002
  • PVDF를 전장하에서 용융결정화 하는 경우에 전장의 세기가 증가할수록 전기적으로 불활성인 $\alpha$-결정의 핵생성속도는 지연되는 반면에 전기적으로 활성을 갖는 ν-결정의 핵생성은 빨라지는 것으로 Stein 연구그룹이 일찍이 보고한 바 있다. [1,2] 그러나 실제로 PVDF를 용응 결정화하는 경우에는 결정화온도가 그다지 낮지 않는 경우에는 $\alpha$-결정과 ν-결정이 혼재되어 나타나기 때문에 외부 전장하리서의 용융결정화시에 외부전장의 세기가 $\alpha$-결정과 ν-결정의 핵생성속도 및 성장속도에 미치는 영향을 분리하여 해석한 논문은 거의 없다. (중략)

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Properties of Glass-Ceramic in ${Nd_2}{O_3}-{Al_2}{O_3}-{SiO_2}$System (${Nd_2}{O_3}-{Al_2}{O_3}-{SiO_2}$ 계의 결정화유리의 물성)

  • Choi, Woo-Hyeong;Kim, Hyeong-Sun
    • Korean Journal of Materials Research
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    • v.11 no.7
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    • pp.545-549
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    • 2001
  • Glass-ceramics were prepared and evaluated for the properties to expand the scope of application of the rare earth aluminosilicate glasses, A glass-ceramic added with $TiO_2$as a nucleating agent, which was crystallized internally and it was characterized for physical, thermal and mechanical properties of crystal and residual glass in the glass-ceramic, X-ray diffractometer reveals an unknown crystal as $Nd_{4.6}Si_{7.6}Al_{4.0}Ti_{2.4}O_{32}$ which was found in surface and internal crystals dependent on composition and heat treatments. The thermal expansion coefficients of glass-ceramics were $5.4~6.2{\times}10^{-6}/^{\circ}C$, which increased with increasing crystal growth. Considering that the hardness and the elastic constant of crystal in glass-ceramics are 12GPa and 220GPa, respectively, the application of the glass-ceramics would be applicable for structural materials at elevated temperature.

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The study on the cystallization and electrical properties of Ge-Se-Bi system chalcogenide glasses (Ge-Se-Bi chalcogenide glass의 비정질 및 결정화에 따른 전기전도도의 변화)

  • 이명원;강원호;박창만;이기암
    • Electrical & Electronic Materials
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    • v.6 no.2
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    • pp.175-183
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    • 1993
  • Amorphous Semicondyctor로서 Chalcogenide계의 Ge-Se-Bi계 비정질화와 결정화 실험을 통하여 전기전도도를 평가코자 하였다. 시료의 조성범위는 G $e_{15-25}$S $e_{65-85}$B $i_{2.5-15B}$의 범위에서 5N의 Ge, Se, Bi metal분말을 사용하였다. 시료는 석영관에 진공 장입후 용융시켜 비정질화 하였다. 이때 열처리 조건은 1000.deg.C에서 10시간 동안 가열하였으며 급냉 조건은 3834.deg.C/sec로 처리하였다. 비정질 sample의 결정화는 결정핵을 형성 시킨 후 온도 변화 및 시간의 변화를 주면서 결정을 성장시켰으며 이때 B $i_{2}$S $e_{3}$와 GeS $e_{2}$ 결정상을 관찰 할 수 있었다. 박막화는 위의 실험에 사용된 Bulk sample을 사용하여 박막을 제작하였으며 유리화 영역은 Ge 15 at%, Se 70 at% 이상, Bi가 10 at% 이하일 때 비정질화가 용이하였다. Bulk의 경우 Ge를 20 at%로 고정시 Bi의 at% 함량이 증가함에 따라 전기전도도가 증가했으며 Bi가 7.5 at%이상일때 급격한 전도도의 증가를 가져왔다. 박막의 경우엔 Bulk sample보다 Bi의 함량이 증가시 더욱 큰 전도도의 증가를 가져왔다. G $e_{20}$S $e_{77.5}$B $i_{2.5}$ 저성의 결정화 경우 330.deg.C에서 4hr 유지시킨 경우가 가장 양호하였다.다.하였다.다.

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Assessment of the Struvite Crystallization Process for Phosphate Removal and Recovery from a Sludge Treatment System of a Domestic Wastewater Treatment Plant (하수처리장 슬러지처리 계통에서의 인 제거 및 회수를 위한 Struvite 결정화 공정 적용성 평가)

  • Baek, Seung Ryong;Lee, Byung Joon
    • Journal of Korean Society of Environmental Engineers
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    • v.39 no.8
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    • pp.462-469
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    • 2017
  • Eutrophication and shortage of phosphate ore raise the necessity of phosphate removal and recovery from wastewater treatment plants. Especially, a sludge treatment system containing highly concentrated phosphate should be targeted for phosphate removal and recovery. This study thus aimed to evaluate the capability of the struvite crystallization process for phosphate removal and recovery from a sludge treatment system of a wastewater treatment plant. Analysis on phosphate concentrations and masses in the sludge treatment system revealed that digested sludge and centrate have phosphate concentrations and masses, high enough to adopt the struvite crystallization process. Chemical equilibrium modeling indicated that the struvite crystallization reaction substantially occurred with pH higher than 8 and $Mg^{2+}$ concentration 1.2 times higher than its theoretical requirement. A series of batch tests with digested sludge and centrate indicated that the phosphate removal reaction by struvite crystallization followed a first-order kinetics and reached over 80% removal efficiency at equilibrium. Aeration in the batch tests was found to purge $CO_2$ in sludge or centrate and increase pH up to 8.7, without adding NaOH. Thus, we concluded that the struvite crystallization process could be an efficient and economical process for phosphate removal and recovery from a wastewater treatment plant.

Crystallization and high purification of aluminium chloride hexahydrate from kaolin leaching solution (고령토 침출용액으로부터 고순도 염화알루미늄 결정화 분리)

  • 김우식;장희동
    • Journal of the Korean Crystal Growth and Crystal Technology
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    • v.6 no.4
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    • pp.584-594
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    • 1996
  • For the separation and purification of aluminium chloride hexahydrate crystals from kaolin leaching solution the effects of crystallization conditions, such as crystallization temperature, concentration of aluminium chloride concentration in the leaching solutin and gas flow rate of HCl into the leaching solution, on purity of the aluminium chloride hexahydrate crystals were investigated. The supersaturation level of aluminium chloride in the leaching solution gave great influence on the purity of the crystals. When supersaturated concentration of the aluminium chloride in the leaching solution was generated in low level, the aluminium chloride hexahydrate crystals were produced with high purity ; that is, the crystals hving a low Fe-ion concentration. The supersaturation level of aluminium chloride in the leaching solution was mainly determined by crystallization temperature, concentrations of aluminium chloride and hydrochloric acid in the solution. However, in spite of changes of the above crystallization coditions, a needle shape morphology of aluminium chloride hexahydrate crystals did not modified. To measure hydrochloric acid concentration in the kaolin leaching solution, we applied the oxalate titration method, which was suggested by shank [9] and it was prove that this method could titrate hydrochloroic acid concentration in multi-component ionic solution such as kaolin leaching solution.

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Electric characteristics of poly-Si TFT using High-k Gate-dielectric and excimer laser annealing (Excimer laser annealing에 의한 결정화 및 High-k Gate-dielectric을 사용한 poly-Si TFT의 특성)

  • Lee, Woo-Hyun;Koo, Hyun-Mo;Oh, Soon-Young;Ahn, Chang-Geun;Jung, Jong-Wan;Cho, Won-Ju
    • Proceedings of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers Conference
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    • 2007.06a
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    • pp.19-19
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    • 2007
  • Excimer laser annealing (ELA) 방법을 이용하여 결정화하고 게이트 절연체로써 high-k 물질을 가지는 다결정 실리콘박막 트랜지스터의 전기적 특성을 평가하였다. 다결정 실리콘 박막 트랜지스터는 비결정질 실리콘 박막 트랜지스터 보다 높은 전계 효과 이동도와 운전 용이한 장점을 가진다. 기존의 결정화 방법으로는 다결정 실리콘 박막 트랜지스터의 높은 열 공급을 피할 수 없기 때문에, 매몰 산화막 위의 비결정질 박막은 저온에서 다결정 실리콘 결정화를 위해 KrF excimer laser (248nm)를 이용하여 가열 냉각 공정을 했다. 게다가 케이트 절연체로써 atomic layer deposition (ALD) 방법에 의해 저온에서 20 nm의 고 유전율을 가지는 $HfO_2$ 박막을 증착하였다. 알루미늄은 n-MOS 박막 트랜지스터의 게이트 전극으로 사용되었다. 금속 케이트 전극을 사용하여 게이트 공핍 효과와 관계되는 케이트 절연막 두께의 증가를 예방할 수 있고, 게이트 저항의 감소에 의해 소자 속도를 증가 시킬 수 있다. 추가적으로, 비결정질 실리콘 박막의 결정화 기술로써 사용된 ELA 방법은 SPC (solid phase crystallization) 방법과 SLS (sequential lateral solidification) 방법에 의해 비교되었다. 결과적으로, ELA 방법에 의해 결정화된 다결정 실리콘 박막의 결정도와 표면 거칠기는 SPC와 SLS 방법에 비해 개선되었다. 또한, 우리는 ELA 결정화 방법에 의한 다결정 실리콘 박막 트랜지스터로부터 우수한 소자 특성을 얻었다.

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