• Proceedings of the Korea Association of Crystal Growth Conference
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• 1996.06a
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• pp.449-461
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• 1996

• Journal of the Korean Crystal Growth and Crystal Technology
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• v.30 no.4
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• pp.136-142
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• 2020

Crystallization of zinc crystalline glaze requires demanding conditions such as the formation of a nucleating agent and the amount of nucleating agent, and growth of crystalline. Zinc crystalline glaze is hard to utilize in the industry because of its narrow range of the firing temperature, and the crystallization's dependency on the quality of zinc. Stimulation of zinc crystallization and formation of frit enable zinc crystalline glaze to be reconstituted in a various range of firing schedules, leading to the development of a competitive industrial glaze.

• Journal of the Korean Vacuum Society
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• v.3 no.3
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• pp.355-359
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• 1994

Cd1-xCoxIn2Se4(X=0.50) 결정을 수직 Bridgman 방법으로 성장시키고 성장된 결정의 결정구조 및 XPS 특성을 연구하였다. 성장된 결정은 pseudocubic 구조이고 격자상수는 a=5.778$\AA$으로 주어졌다. Cd1-xCoxIn2Se4 결정의 각 성분원소인 cadmium cobalt indium 그리고 selenium에 대한 XPS spectrum으 로부터 결합에너지와 결합상태를 조사하였다. Cd1-xCoxIn2Se4결정과 결합하지 안는 각 성분원소인 cadium cobalt imdium 그리고 selenium에 대한 core level의 XPS spectrum과 비교하면 각 성분원소상 이의 결합에 의한 chemical shift 현상 때문에 core level의 결합에너지가 0.10~4.87 eV 차이가 있다. Cd1-xCoxIn2Se4 결정에서 Co 2P3/2 core level의 주 peak와 statellite peak와의 결합에너지 차이로부터 cadmium과 치화된 cobalt는 Co2+ ion으로 Td symmetry 점에 위치함을 알 수 있다.

• Korean Journal of Crystallography
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• v.1 no.1
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• pp.19-28
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• 1990

6H-SiC is a promising material (Eg=3.0eV) for blue light-emitting doide and high-temperature semiconducting device. In the experiment, single crystals of a-SiC have been grown by the sublimation method to fabricate blue light~emitting diode. During the growth of a-SiC single crystals, a temperature Vadient, yonh temperature and pressure ranges were kept 44℃/cm , 1800-1990℃ and 50-1000 mTorr, respectively. Single crystals obtained in Acheson furnace were used as seed crystals. Polarizing microscopy and back-reflection X-ray Laue diffraction showed that the a-SiC crystal was epitaxially and on the seed crytal. It was found by XRD analysis that when other growth conditions were the same, a-SiC was grown at the temperature above 1840℃ and 3C-SiC was gown at lower temperature or under low supersaturation of vapor. The carrier type. concentration and mobility were measured be hole(p-type), 7.6x1014cm-3 and 19cm2V-1sec-1, respectively, by van der Pauw method.

• Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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• 2010.02a
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• pp.158-158
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• 2010

본 연구에서는 분자선 박막성장 장비를 (MBE) 이용하여 droplet epitaxy 방법으로 성장시킨 GaAs/AlGaAs 양자점구조의 표면전기장변화에 관하여 photoreflectance spectroscopy (PR)를 이용하였다. 본 실험에 사용된 GaAs/AlGaAs 양자점 구조는 undoped-GaAs (001) 기판을 위에 성장온도 $580^{\circ}C$에서 GaAs buffer layer를 100 nm 성장 후 장벽층으로 AlGaAs을 100 nm 성장하였다. AlGaAs 장벽층을 성장한 후 기판온도를 $300^{\circ}C$로 설정하여 Ga을 3.75 원자층를 (ML) 조사하여 Ga drop을 형성하였다. Ga drop을 GaAs 나노구조로 결정화시키기 위하여 $As_4$를 beam equivalent pressure (BEP) 기준으로 $1{\times}10^{-4}$ Torr로 기판온도 $150^{\circ}C$에서 조사하였다. 결정화 직후 RHEED로 육각구조의 회절 페턴을 관측하여 결정화를 확인하였다. GaAs 나노 구조를 성장한 후 AlGaAs 장벽층을 성장하기위해 10 nm AlGaAs layer는 MEE 방법을 이용하여 $150^{\circ}C$에서 저온 성장 하였으며, 저온성장 후 기판온도를 $580^{\circ}C$로 설정하여 80 nm의 AlGaAs 층을 성장하고 최종적으로 GaAs 10 nm를 capping layer로 성장하였다. 저온성장 과정에서의 결정성의 저하를 보상하기위하여 MBE 챔버내에서 $650^{\circ}C$에서 열처리를 수행하였다. GaAs/AlGaAs 양자점의 광학적 특성은 photoluminescence를 이용하여 평가 하였으며 780 nm 근처에서 발광을 보여 주었다. 특히 PR 실험으로부터 시료의 전기장에 의한 Franz-Keldysh oscillation (FKO)의 변화를 관측하여 GaAs/AlGaAs 양자점의 존재에 의한 시료의 표면에 형성되는 표면전기장을 측정하였다. 또한 시료에 형성된 전기장의 세기를 계산하기위해 PR 신호로부터 fast Fourier transformation (FFT)을 이용하였다. 특히 온도의 존성실험을 통하여 표면전기장의 변화를 관측 하였으며 양자구속효과와 관련성에 대하여 고찰 하였다.

• Journal of the Korean Crystal Growth and Crystal Technology
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• v.15 no.2
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• pp.45-50
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• 2005

During oxidation process, several type of defects are formed on the surface of the silicon crystal which was damaged mechanically before oxidation. As the size of abrasive particle increases multiple dislocation loops are produced favorably over oxidation-induced stacking faults, which are dominantly produced when ground with finer abrasive particle. These defects are not related with the crystal growth process like Czochralski or directional solidification. During directional solidification process, twins and stacking faults are the two major defects observed in the bulk of the silicon crystal. On the other hand, slip dislocations produced by the thermal stress are not observed. Thus, not only in single crystalline silicon crystal but also in multi-crystalline silicon, extrinsic gettering process with programmed production of surface defects might be highly applicable to silicon wafers for purification.

• Proceedings of the Korean Institute of Surface Engineering Conference
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• 2016.11a
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• pp.139-139
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• 2016

반도체 다마신배선용 도금용 구리도금첨가제는 대표적으로 accelerator, suppressor 및 leveler 첨가제를 사용하여 다마신 패턴을 채우고 평탄화를 시킬 수 있다. Si 반도체 공정기술에 기반한 정확한 구조분석을 통해 각각의 첨가제의 기능이 비교적 체계적으로 연구되었으며, 최근에는 유속영향을 많이 받는 것으로 알려진 leveler 첨가제에 대한 연구가 활발히 진행되고 있다. 본 연구는 대표적 leveler 첨가제의 하나인 Janus Green B(JGB, $C_{30}H_{31}ClN_6$)를 0 ~ 1 mM을 첨가하여 Si 기판위에 증착된 Cu 씨드층 상의 도금후 표면상태 및 불순물의 농도를 분석하고, 이 박막층들의 결정립 성장 경향성을 electron backscattered diffraction(EBSD) 분석을 통해 진행하였다. C, H, N 등의 불순물이 JGB 농도와 선형적 관계를 가지고 증가하는 것을 알 수 있었으며, S와 O의 불순물도 JGB 농도 증가에 따라 증가하는 것을 알 수 있었다. 또한 0.1 mM 첨가한 경우에 60% 정도 결정립 성장이 진행된 것을 알 수 있었으며, 0.2 mM을 넣은 경우에는 결정립 성장이 일어나지 않은 것을 알 수 있었다. 흥미로운 점은 4 point probe를 통한 면저항 측정을 통해 EBSD를 통한 결정립성장이 관찰되지 않은 0.2 mM JGB를 첨가한 경우에 대해서도 면저항의 감소가 관찰되며, 오히려 JGB 농도가 높을수록 이러한 면저항의 감소가 빠르게 시작되는 것을 관찰할 수 있었다. 이는 JGB 농도 증가에 따라 박막층의 불순물의 농도가 증가하고 막내에 존재하는 불순물의 농도가 증가하면 내부응력장이 커짐으로 인해 더욱 빠른 속도로 불순물의 재배치가 일어난 것으로 보인다. 이러한 불순물이 결정립계면에 편석되는 경우에 pinning을 통해 결정립계면의 이동을 저하시킬 수 있으므로 결정립의 성장 억제가 가능해진 것으로 판단된다.

• Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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• 1999.07a
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• pp.143-143
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• 1999

Co/Ti 다층 박막을 제조하기 위해 직류원 마그네트론 스퍼터링 시스템을 이용하여 (100)실리콘 단결정 기판위에 Co와 Ti층을 각각 2/2, 5/5, 10/10 nm 정도의 두께로 조절하여 세가지 조성의 Co/Ti 다층 박막을 제조하였다. 이러한 Co/Ti 다층 박막의 후속 열처리는 Ar 가스분위기 하에서 Tube furnace를 이용하여 20$0^{\circ}C$와 30$0^{\circ}C$, 40$0^{\circ}C$의 온도에서 진행하였다. 증착초기에서부터 후속 열처리 공정을 진행하는 동안, Co/Ti 다층 박막에서의 계면반응을 미세 구조 변화 및 전기, 자기적 특성변화와 연관지어 관찰하였다. Co/Ti 다층 박막의 결정 구조와 미세 구조 변화를 관찰하기 위해 각각 X-선 회절기와 투과 전자 현미경을 사용하였고, 다층 박막의 전기적, 자기적 특성 변화를 관찰하기 위해 각각 4점 탐침기, 진동 시료형 자속계를 이용하였다. Co/Ti 다층 박막을 20$0^{\circ}C$의 저온에서 열처리를 한 경우에는 증착 초기의 계면반응에 의해 형성된 비정질 층이 성장하였고, 30$0^{\circ}C$와 40$0^{\circ}C$의 고온에서 열처리를 하는 경우에는 비정질 측의 성장보다는 새로운 화합물 CoTi 결정상이 형성되면서 비정질상은 오히려 감소하였다. 즉, Co/Ti 다층 박막의 계면 반응은 결정질 Co와 Ti을 계면 반응물로 소모시키면서 비정질 층을 성장시키는 비정질화 반응이 활발히 일어났다. 특히, 소모된 계면 반응물로 소모시키면서 비정질 층을 성장시키는 비정질화 반응일 활발히 일어났다. 특히, 계면 반응물로 소모시키면서 비정질 층을 성장시키는 비정질화 반응일 활발히 일어났다. 특히, 소모된 계면 반응물 Co와 Ti 중에서 Ti의 소모속도가 더 빠르게 관찰되었다. 이로부터 Ti 이 증착초기에서 저온 열처리 과정동안 Co/Ti 다층 박막의 계면에서 일어나는 비정질화 반응의 주 확산자로 작용했다는 것을 알 수 있다. 한편, 30$0^{\circ}C$와 40$0^{\circ}C$의 고온에서 열처리한 Co/Ti 다층 박막의 계면 반응은, 비정질 반응에 의한 비정질층의 형성보다는 새로운 화합물 결정질 CoTi상을 형성시키는 결정화 반응이 우세했다. Co/Ti 다층 박막의 전기적 저항은, 열처리에 의한 비정질 층의 생성 및 성장으로 인해 증가하였고 새로운 저저항 CoTi 결정상의 형성으로 인해 감소하는 것을 알 수 있었다. 또한 Co/Ti 다층 박막의 포화 자화값은, 열처리에 의한 계면에서의 비정질화 반응과 CoTi 결정화 반응으로 인해 강자성체인 Co 결정상이 감소됨에 따라 감소하는 경향을 나타냈다.

• Proceedings of the KIEE Conference
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• 2006.07c
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• pp.1303-1304
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• 2006

본 연구에서는 ICP-CVD (inductively coupled plasma chemical vapor deposition)를 이용해 미세결정 실리콘 (nanocrystalline silicon thin film transistor, ns-Si TFT) 초기 성장 단계에 발생하는 비정질의 Incubation layer를 줄이기 위한 실험을 수행하였다. ICP-CVD를 사용하여 증착한 Si-rich $SiN_x$ Seed layer 상의 미세절정 실리콘의 성막조건을 알아보고 특성을 평가하였다. 미세결정 실리콘 박막은 Raman Spectroscopy를 이용해 분석하였다. 미세결정 실리콘의 초기 성장 단계에 발생하는 비정질 Incubation layer를 줄이기 위하여 Si-rich $SiN_x$를 Seed layer로 사용하는 것이 효과적임을 확인하였다. 또한 Si-rich $SiN_x$ 위에서의 미세결정 실리콘 표면 형태와 Seed 성장 기회의 관계를 알아보았다. 높은 전압의 수소 플라즈마 처리는 Seed 성장 기회를 늘이고, 박막의 결정화도를 높임을 확인하였다. 얇은 Incubation layer를 가지는 35nm 이하 두께의 미세결정 실리콘이 성공적으로 증착되었다. 본 연구 결과는 bottom 게이트 방식 박막 트랜지스터에 증착되는 미세결정 실리콘의 전기적 특성 향상에 유용할 것으로 판단된다.

• Journal of the Korean Crystal Growth and Crystal Technology
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• v.3 no.1
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• pp.31-36
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• 1993

Na-Fe Tourmalene ($NaFe_3Al_6B_3Si_6O_{27}F_4$)single crystals were grown by FZ method. The Growth conditions are counter rotation 20~30rpm, growth rate 1~5mm/hr in the atmospheric environment. The transition elements as Fe(in this research), Mn, Co, etc, are exist in the theoretical fomulae so that dopants were not added. The feed rod was sintered between $1000^{\circ}C$ and $1l00^{\circ}C$, but at higher temperature, it was difficult to manufacture the feed rod because of evaporation of the elements such as F. As grown crystals had a black color and the length of 50~60mm, the diameter of 5~6mm. X-ray powder diffraction pattern indicated that the composition of the feed rod was right to the Tourmaline composition. By FT-IR spectra, the state of bonding of each element was charaterized.