• Journal of the Korean Crystal Growth and Crystal Technology
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• v.5 no.4
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• pp.400-407
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• 1995

A Abstract Buried contact solar cell is a very high efficiency silicon solar cell having over 19 % conversion effciency. In this paper, we investigated the process and characteristic of buried c contact solar cell. Manufacturing pro않sses of buried contact solar cell consist of three high temperature processes, one high vacuum deposition process, one laser application process and other wet chemical processes.

• Proceedings of the Materials Research Society of Korea Conference
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• 2012.05a
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• pp.85-85
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• 2012

NiO는 니켈 공공과 침입형 산소 이온에 의한 비화학적양론 특성 때문에 자발적으로 p-형 반도체 특성을 나타내는 것으로 알려져 있다. NiO는 3.7 eV 의 넓은 밴드갭을 가지고 있어 투명소자를 위한 hole injection layer 나 hole transport layer로 사용하기 위한 연구가 많이 이루어지고 있다. 또한, 안정적인 p-형 반도체 특성은 n-형 산화물 반도체와의 접합을 통해 복합소자의 구현이 용이하기 때문에, ZnO 등과의 접합을 통한 소자 구현이 가능하다.[1] 하지만, 기존의 많은 연구에서는 내부의 결함이 많이 존재하는 다결정 박막을 사용하였기 때문에, 전하의 이동에 제한이 발생해, 충분한 소자 특성을 나타내지 못하였다. 최근 Dutta의 연구에 의하면, 결정질 사파이어 기판위에 박막을 성장할 경우 [111] 방향으로 우선 배향성을 가진 NiO 박막을 얻을 수 있다고 알려져 있다.[2] 본 실험에서는 NiO 박막을 이용한 PN 접합소자 구현을 위해 사파이어 위에 p-NiO 박막을 에피택셜하게 성장한 후 구조적 특성을 분석하였으며, n-ZnO 박막을 그 위에 성장하여 소자를 제작하였다. 그 결과 ZnO 또한 에피택셜한 성장을 하는 것을 확인할 수 있었다. 성장순서에 따른 PN 접합구조 특성을 확인하기 위해 사파이어 위에 ZnO 를 성장시킨 후 NiO 를 성장시킨 결과 NiO 박막의 우선성장 방향이 [100]으로 변하는 것을 확인할 수 있었다.

• Proceedings of the Korean Institute of Intelligent Systems Conference
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• 1997.10a
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• pp.127-130
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• 1997

신경망은 입출력 관계가 명시적으로 표현되기 어려운 경우에 수집된 데이터를 이용하여 원래의 함수를 근사할 수 있느 특성이 있다. 최근에는 신경망의 모델링 성능을 향상시키기 위하여 여러개의 모듈을 기반으로 신경망을 구성하는 모듈형 신경망이 활발히 연구되고 있다. 본 논문에서는 린덴마이어 시스템(L-시스템)의 문법적 적용을 통하여 이러한 모듈형 신경망의 구조를 결정하는 방법을 제시하고자 한다. L-시스템은 본래 식물의 성장과정을 기술하기 위하여 제안된 방법인데, 본 논문에서는 신경망의 모듈형 구조가 L-시스템의 문법을 통하여 적절히 결정됨을 보인다.

• Journal of the Korea institute for structural maintenance and inspection
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• v.24 no.1
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• pp.59-66
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• 2020

In this study, self - healing solid capsules of crystal growth type which can be mixed directly with repair mortar were prepared, and the quality and crack healing performance of repair mortar with self - healing solid capsules were evaluated. The table flow and the air flow rate of the repair mortar material mixed with self-healing solid capsules were found to have no significant influence on table flow and air volume regardless of mixing ratio. Compressive strength tended to decrease with increasing capsule mixing ratio. As a result of evaluation of crack healing properties according to constant water head permeability test, initial water permeability decreased, and reaction products were generated over time and cracks were healed.

• Journal of the Korea institute for structural maintenance and inspection
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• v.25 no.2
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• pp.16-22
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• 2021

In this paper, a solid capsule was prepared using a crystal growth type inorganic material capable of hydration reaction. The solid capsules were mixed at 3, 5, and 10% according to the composition ratio of 8:2, 7:3, 6:4 based on the cement mass, and the self-healing mortar was mixed, Durable healing properties were evaluated through the water permeability test. As a result of the water level permeability test, the effect of optimally improving the natural healing performance was shown by mixing the solid capsules prepared in a composition ratio of 7:3 of the solid capsules. In the case of a crack width of 0.3mm or less, it is estimated that more than 90% of the self-healing performance can be secured. As a result, it was judged that the self-healing performance of the solid capsule had an effect on the durable healing properties through the water permeability test, It is judged that there is a tendency to improve self-healing performance according to the mixing of solid capsules.

• Resources Recycling
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• v.15 no.3 s.71
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• pp.20-29
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• 2006

This study was carried out for to recover the purified crystalline gypsum from phosphogypsum by means of using it's crystallographical Properties. The dehydration of hydrated phosphogypsum to $\alpha$-hemihydrate is completed with the 2 hours treatment of it in $99^{\circ}C$ waterrs. The purified crystalline gypsum having the maximum size of $200{\mu}m$ was obtained by 325# wet screening after recrystallization of the $\alpha$-hemihydrate gypsum at the condition of $Na_2SO_4$ 10 wt%, slurry density 20%, $pH\;5{\sim}6,\;65^{\circ}C$ and 4hr. In this process, the yield of gypsum was 93.9% and its grade was 99%.

• Korean Journal of Crystallography
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• v.8 no.2
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• pp.75-80
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• 1997

A perovskite relaxor ferroelectrics PMN is used as an important material to investigate the diffusive phase transition phenomena. In this study PMN single crystals were grown and the microstructure were observed. For the growth of PMN single crystals, the spontaneous nucleation technique and the TSSG technique were used. 2-5mm single crystals were grown from PbO self flux and it was observed that only PMN crystals were grown when excess MgO was added over 100% as flux. Single crystals with well developed (001) faces were obtained from PbO-B2O3 flux. single crystals larger than 1 cm were grown from PbO-B2O3 flux by TXXG technique. For higher quality crystals, optimization of the variables such as the rotation speed of seed crystal, the orientation of seed crystal, and cooling rate is needed. With grown crystals, it was confirmed by TEM diffraction pattern of thin plate crystal that the 1:1 ordering of Mg2+ and Nb5+ with small volume exists.

• Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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• 2011.02a
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• pp.108-108
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• 2011

최근 에너지 위기와 환경 규제 강화 및 친환경, 녹색성장 등의 이슈가 대두되면서 에너지 절감과 환경보호 분야에 그린 전력반도체 수요가 날로 증가되고 있다. 이러한 그린 전력반도체는 휴대용컴퓨터, 이동통신기기, 휴대폰, 조명, 자동차, 전동자전거, LED조명 등 다양한 종류의 전력소자들이 사용되고 있으며, 전력소자의 수요증가는 IT, NT, BT 등의 융복합기술의 발달로 새로운 분야에 전력소자의 수요로 창출되고 있다. 특히 환경오염을 줄이기 위한 고전압 대전류 전력소자의 에너지 효율을 높이는 연구 개발이 활발히 진행되고 있다. 종래의 전력소자는 평면형의 LDMOS나 VDMOS 기술을 이용한 소전류 주로 제작되어 수십 암페어의 필요한 대전류용으로 사용이 불가능하다. 반면 수직형 전력소자인 트렌치를 이용한 power 소자는 집적도를 증가 시킬 수 있을 뿐만 아니라 대전류 고전압 소자 제작에 유리하다. 특히 평면형 소자에 비해 약 30%이상 칩 면적을 줄일 수 있을 뿐만 아니라 평면형에 비해 on-저항을 낮출 수 있기 때문에 수요가 날로 증가하고 있다. 트렌치 게이트 power MOS의 중요한 게이트 산화막 형성 기술은 트렌치 내부에 균일한 두께의 산화막 형성과 높은 신뢰성을 갖는 게이트 산화막 형성이 매우 중요하다. 본 연구에서는 전력소자를 제조하기 위해 트렌치 기술을 이용하여 수직형 전력소자를 제작하였다. 트렌치형 전력소자는 게이트 산화막을 균일하게 형성하는 것이 매우 중요한 기술이다. 종래의 수평형 소자 제조시 게이트 산화막 형성 후 산화막 두께가 매우 균일하게 성장되지만, 수직형 트렌치 게이트 산화막은 트렌치 내부벽의 결정구조가 다르기 때문에 $1000^{\circ}C$에서 열산화막 성장시 결정구조와 결정면에 따라 약 35% 이상 열산화막 두께가 차이가 난다. 본 연구는 이러한 문제점을 해결하기 위해 트렌치를 형성한 후 트렌치 내부의 결정구조를 변화 및 산화막의 종류와 산화막 형성 방법을 다르게 하여 균일한 게이트 산화막을 성장시켜 산화막의 두께 균일도를 향상시켰다. 그 결과 고밀도의 트렌치 게이트 셀을 제작하여 제작된 트렌치 내부에 동일한 두께의 게이트 산화막을 여러 종류로 산화막을 성장시킨 후 성장된 트렌치 내벽의 산화막의 두께 균일도와 게이트 산화막의 항복전압을 측정한 결과 약 25% 이상 높은 신뢰성을 갖는 게이트 산화막을 형성 할 수 있었다.

• Journal of the Korean Crystal Growth and Crystal Technology
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• v.10 no.4
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• pp.302-308
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• 2000

Stable amorphous calcium carbonate were synthesized from the serial work for the synthetic conditions such as concentration of solution, reaction temperature, aging time and pH of mother liquor. By using this as a precusor, calcite, aragonite and vaterite crystal particles were obtained in the water from adequate crystallization conditions. Furthermore, characterization for flourescence were performed by using crystals which were crystallized from the Sn dopped amorphous calcium carbonate. Calcite showed the most intensive emission and the center of emission wavelength was 464 nm with pure blue color. Calcite is expected to be used as phosphor for flourescent lamp because the maximum emission intensity was obtained from the excitation with 255 nm wavelength.

• Korean Journal of Crystallography
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• v.1 no.1
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• pp.19-28
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• 1990

6H-SiC is a promising material (Eg=3.0eV) for blue light-emitting doide and high-temperature semiconducting device. In the experiment, single crystals of a-SiC have been grown by the sublimation method to fabricate blue light~emitting diode. During the growth of a-SiC single crystals, a temperature Vadient, yonh temperature and pressure ranges were kept 44℃/cm , 1800-1990℃ and 50-1000 mTorr, respectively. Single crystals obtained in Acheson furnace were used as seed crystals. Polarizing microscopy and back-reflection X-ray Laue diffraction showed that the a-SiC crystal was epitaxially and on the seed crytal. It was found by XRD analysis that when other growth conditions were the same, a-SiC was grown at the temperature above 1840℃ and 3C-SiC was gown at lower temperature or under low supersaturation of vapor. The carrier type. concentration and mobility were measured be hole(p-type), 7.6x1014cm-3 and 19cm2V-1sec-1, respectively, by van der Pauw method.