• Korean Journal of Crystallography
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• v.5 no.2
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• pp.93-99
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• 1994

Growth form and surface morphology of NYAB single crystal grown by TSSG technique using a K2O/3MoOS/0.5B203 flux was investigated. In the crystal grown from <100> or <120> seed, prismatic and (101) faces were well developed with different size each other. (001) face was also developed in the crystal grown from <001> seed. While growth hillocks were observed on the prismatic face of the crystal grown from <100> seed, surface striations parallel to neighbor (101) faces were formed on that face of the crystal grown from <001> seed. The (101) faces were grown by two dimensional nucleation growth. (001) face which was developed at slow growth velocity of [001] direction was grown by screw dislocation Anisotropy of growth velocity as to seed orientation affected on crystal morphology and surface morphology.

• Proceedings of the Korean Institute of Surface Engineering Conference
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• 2018.06a
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• pp.113-113
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• 2018

환경 친화형 전기자동차, 하이브리드 자동차, 전철 등에서는 고내압 및 소형으로 전력손실을 감소시킬 수 있는 파워 디바이스가 필수이다. 최근, 실리콘 카바이드(SiC, silcon carbide)는 기존 실리콘(Si)보다 스위칭 손실의 저감 및 고온환경에서의 동작 특성이 우수하여, 차세대 저 손실 전력반도체 재료로서 기대를 받고 있다. 용액 성장 법에서 고품질 SiC 결정을 만들 수 있다. 그러나 늦은 성장 속도 때문에 SiC의 양산을 어렵게 하고 있다. 현재까지 성장 속도 향상을 위한 Si용매에 Cr을 첨가하여 탄소 용해도를 높이는 방법이 사용되고 안정된 성장을 위한 Si-Cr용매에 Al를 첨가하는 등 다양한 금속을 첨가하는 방법이 이용되고 있다. 선행 연구에서는 다양한 용매인 탄소 용해도를 실측하고 특히 큰 탄소 용해도를 보인 것은 Co이었다. 본 연구에서는 $Si_{0.6}Cr_{0.4}$원료와 Co를 첨가한 $Si_{0.56}Cr_{0.4}Co_{0.04}$의 용매에 의한 SiC용액 성장을 실시하고 결정 성장 속도 및 표면 상태의 변화를 검토했다. on-axis 4H-SiC(000-1)을 사용한 Top-seeded solution growth(TSSG)법과 원자 비율로 $Si_{0.6}Cr_{0.4}$와 $Si_{0.56}Cr_{0.4}Co_{0.04}$의 용매를 이용하여 SiC 용액 성장을 실시했다. Ar가스에서 저항 가열로 내를 치환 후에 $1800^{\circ}C$까지 가열하고 종자화 후에 120분간 유지하고 결정 성장을 실시했다. 냉각 후에 성장의 표면에 남은 용매를 $HF+HNO_3$에서 제거했다. 광학 현미경을 이용하여 결정면과 두께를 관찰 측정했다. Co를 첨가한 $Si_{0.56}Cr_{0.4}Co_{0.04}$의 경우는 $Si_{0.6}Cr_{0.4}$의 경우보다 결정 성장 속도가 향상됐다. 또한 $Si_{0.6}Cr_{0.4}$보다 step-flow의 성장을 나타낸 결정의 표면이 전반적으로 관찰됐으며 안정된 결정성장을 나타냈다. 본 연구에서 실시한 연구 방법과 결과는 고품질 및 고속의 SiC 용액성장을 위한 매우 유용한 자료로 활용 될 수 있을 것으로 판단한다.

• Journal of the Korean Ceramic Society
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• v.11 no.2
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• pp.38-49
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• 1974

운모기판에 증착한 비정형 셀레니움 박막의 결정성장의 형태와 그 변태속도에 대하여 연구하였다 열처리된 박막에서 비정질성분은 CS2에 용해되나 결정질은 아무 변화없이 남아 있으므로 쉽게 현미경을 이용하여 그 모양을 조사할 수 있다. 결정은 (30$^{\circ}$~10$0^{\circ}C$ 온도 범위에서) 박막과 운모기관의 경계면을 따라서 원형상(구상 결정의 이차원 적 모양) 중심으로 부터 일정 속도로 자란다. 또한 필라멘트 형태의 결정이 원형상 결정의 비 규칙적인 부분에서 박막을 뚫고 위로 자란다. 이들 필라멘트형 결정은 자유표면에 도달하여 새로이 자유표면을 따라서 원형상으로 자라게 된다. 경계에 있는 원형상 결정의 두께는 약 500$\AA$정도이고 이것이 비정질 세레니움 박막에서 보이는 "어두어 지는" 현상의 원인이 되고 있음이 밝혀졌다. 원형상 결정은 아주 조그마한 결정 "도메인"으로 구성되어 있으며 이들 "도메인"의 축 방향은 경계면과 나란하고 반경방향에 수직으로 되어 있다. 고온처리에서 얻어지는 규칙적인 결정은 이들 "도메인"이 모여서 "라멜라"를 형성하여 중심부에서부터 뻗어나가고 이들 "라멜라"간의 공간은 불규칙적으로 나열된 "도메인"으로 연결되어 있으며, 고분자 결정에 비하여 훨씬 두껍다. 반경 방향으로의 결정성장 속도는 아주 순도가 높은 박막에서는 시간에 따라 일정하고 주어진 온도에서 재현성이 아주 좋다. 이 실험에서 측정된 성장속도는 지금까지 발표된 어느 실험에서 관측된 것보다 빠르고 또 자유표면에서 자라는 속도에 비해서 약 백 여배나 빠르다. 결장 성장의 온도 의존은 u=6$\times$1015 exp[-32.7(kcal/mol)/RT] cm/sec로 표시할 수 있다.

• Journal of the Korean Crystal Growth and Crystal Technology
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• v.10 no.2
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• pp.166-170
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• 2000

Amorphous calcium carbonate was prepared by wet chemical method and performed the control of their shape using crystalline calcium carbonate that prepared from oyster shell by the $CO_2$ gas blowing method. As a result, amorphous calcium carbonate was obtained by the dissolution process of crystalline calcium carbonate in the dil-HC1 solution, mixing of sodium carbonate solution, precipitation and filtering with high speed. And using the amorphous calcium carbonate of mud type, crystalline calcium carbonates with cubic, needle, spindle, spherical and plate shape were obtained in the temperature rang of 2~$85^{\circ}C$ and reaction time range of 5~60 minute.

• Journal of the Korean Crystal Growth and Crystal Technology
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• v.2 no.1
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• pp.43-50
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• 1992

$ LiNbO_3$ single crystals were grown using the Czochralski Method at various pulling speeds. Macroscopic defects such as cracks, bubbles and cellular structures were observed in some crystals. Cracks and bubbles observed in the crystals depended on the pulling speed and cooling rate. $ LiNbO_3$ crystals of about 15mm diameter could be grown properly at 6-7mm/h pulling speed and $ 20^{circ}C/h$ cooling rate. In order to investigate dielectric properties and optical properties for device application, these properties were measured for the sample cut along a axis and c axis at different temperatures.

• Proceedings of the Korea Association of Crystal Growth Conference
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• 1997.10a
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• pp.81-85
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• 1997

철질화물 및 Mo-Si계 규화물을 합성하기 위하여 실온 메카노케미칼 공정을 적용하였다. 메카노케미칼 처리는 고에너지 유성형 볼밀장치를 사용하였고 용기는 진공배기 후 암모니아 혹은 아르곤 가스로 충전시킨 후 벌밀처리를 행하였다. 분말의 특성평가는 XRD, DTA/DSC, SEM 및 EPMA 등에 의하여 행하였다. 철질화물의 경우 실온에서 최대 23.3 at.%N의 $\varepsilon$상 질화물을 얻을 수 있었다. 또한 Mo-SirP의 경우 100시간 메카노케미칼 처리시킴으로서 MiSi$_2$규화물을 합성할 수 있었으며 얻어진 분말의 결정립은 25cm로 매우 미세한 결정립의 분말재료임이 확인되었다.

• Proceedings of the Korean Nuclear Society Conference
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• 1995.05a
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• pp.668-673
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• 1995

$UO_2$-CeO$_2$ 모의혼합분말에 첨가제를 미량 첨가하여 소결체의 미세구조 변화를 $UO_2$분말의 경우와 비교, 관찰하였다. 소결 첨가제로서 Ta, Ti 및 Nb를 사용하였으며, 이들을 미세한 산화물의 형태로 $UO_2$ 및 $UO_2$-CeO$_2$에 첨가하여 환원성 및 산화성 분위기에서 각각 소결하였다. Ta, Ti 및 Nb는 환원소결에서 $UO_2$의 결정립을 성장시켰으나 산화소결에서는 첨가효과가 크게 나타나지 않았다. $UO_2$-0.lw%TiO$_2$와 $UO_2$-0.6w%Ta$_2$O$_{5}$의 환원소결체에서 eutectic phase가 관찰되었으나 산화소결체에서는 나타나지 않았다. $UO_2$-4wt%CeO$_2$의 환원소결에서는 Ti만이 결정립성장에 기여하는 것으로 나타났으며 Ta, Nb와 같이 $UO_2$에 치환형으로 고유되는 원소는 Ce 이온과 Cluster를 형성함으로 결정립성장에 거의 기여하지 못하고, Ti와 같이 UO2$_2$ 침입형으로 고용되는 원소는 일부가 인접한 Ce$_{U}$' 이온과 cluster를 형성하더라도 나머지가 V$_{U}$'의 형성에 기여하므로서 결정립을 성장시킬 수 있다.

• Journal of the Korean Crystal Growth and Crystal Technology
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• v.7 no.2
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• pp.271-275
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• 1997

We have successfully grown Cl-doped ZnSe epitaxial layers on GaAs(100) sub-strates by HWE using $ZnCl_2$ as a doping source. The Cl-doped ZnSe layers showed mirrorlike morphology and good crystallinity. It has been found that the layer exhibited an n-type conduction with low resistivity. The carrier concentration is, obtained about $10^{16}\textrm {cm}^{-3}$, where a resistivity reached 10 $\Omega \textrm {cm}$. The layer with an appropriate doping level exhibited blue photoluminescence at room temperature. The strong blue PL was obtained at the hall mobility of $100^2\textrm {cm}$/Vㆍsec.

• Proceedings of the Korea Crystallographic Association Conference
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• 2003.05a
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• pp.21-21
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• 2003

Pb(Zn/sub 1/3/Nb/sub 2/3/)O₃(PZN)은 전형적인 완화형 강유전체로서 급격하게 상전이를 일으키는 것이 아니라 온도에 따라 완만하게 변화하는 물질이다. 완화형 강유전체의 경우, 저온에서는 ㎛ 이상의 거시분역이 존재하고 일반적인 강유전체와 유사한 특성을 가지지만, 온도가 증가하면서 거시분역이 불안정해 지고 크기가 자가져서 수 nm 크기의 미소 극성 영역으로 나뉘는데, 이때 결정구조, 유전율, 유전 손실등의 온도와 주파수에 따른 변화를 관찰하여 강유전 상전이 현상의 특징을 살펴보고자 하였다. 이를 위해 본 연구에서는 융제법에 의해 PZN-xPT 단결정을 성장시킨 후 온도에 따른 결정구조를 변화를 측정하고, 이러한 결정구조의 변화가 강유전 특성에 미치는 영향에 대해 알아보았다. 순수한 PZN은 전형적인 완화형 강유전체의 상전이거동을 나타내었으며, PT의 함량이 증가하면서 점차 일반적인 강유전체로 전이하는 것이 관찰되었다. 그러나 PZN-0.12PT의 경우도 완전한 일반적 강유전체는 아니었으며 완화형거동을 일부 나타내었다. 모든 조성에서 온도가 감소하면서 국부적인 응력의 증가가 관찰되었으며, 응력의 인가 정도는 H 함량에 따라 증가하였다. 이상의 변화는 순수한 PEW에서 나타나는 미소분역들이 온도의 감소와 H 양의 증가에 따라 정전기적 상호작용을 일으키면서 강유전분역으로 성장하기 때문이었으며, Vogel-fulture식에 따른 유전율 최대온도와 측정주파수간의 관계는 분역들간의 상호작용을 됫받침해주었다.

• Journal of Sensor Science and Technology
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• v.12 no.6
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• pp.282-288
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• 2003

We report the growth of HgCdTe by metal organic vapor phase epitaxy (MOVPE), using (211)B CdTe/Si substrates grown by molecular beam epitaxy (MBE). The surface morphology of these films is very smooth with hillock free. The etch pit densities (EPD) and full widths at half maximum (FWHM) of x-ray rocking curves exhibited that the crystalline quality of HgCdTe epilayer on MBE grown CdTe/Si was improved compare to HgCdTe on GaAs substrate. The Hall parameters of undoped HgCdTe layers on CdTe/Si showed n-type behavior with carrier concentration of $8{\times}10^{14}/cm^3$ at 77K. But HgCdTe on GaAs showed p-type conductivity due to in corporation of p-type impurities during GaAs substrate preparation. It is thought that these results are applicable for large area HgCdTe forcal plane arrays of $1024{\times}1024$ format and beyound.