Proceedings of the Korea Association of Crystal Growth Conference
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1997.10a
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pp.69-74
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1997
MCFC(Molten Carbonate Fuel Cell) Ni anode의 기계적 특성을 개선시키기 위해서 Ni-W복합재료를 기계적 합금법으로 제조하였다. 기계적 합금화한 분말을 XRD, SEM으로 관찰한 후 두께 1mm, 직경 8mm의 원반형으로 성형하였다. 소결은 120$0^{\circ}C$의 수소 분위기내에서 10시간 행하였다. 이렇게 제조한 시편의 절단된 면을 연마하여 SEM 및 EDX로 관찰하였으며 XRD로써 성분분석 하였다. 기계적 합금화 시간이 증가함에 따라 불충격에 의한 결정립 미세화가 이루어졌으며 80시간 기계적 합금시 재료의 규칙적인 결정이 파괴되어 비결정질화 되었다. 기계적합금으로 Ni 기지내에 균일하게 분포된 W은 분산강화효과를 통해 Ni anode의 기계적 특성을 개선시킬 것으로 기대된다.
Role of CaO in the sintering of 12Ce-TZP ceramics was studied. The addition of small amounts of CaO increase the densification rate of 12Ce-TZP by altering lattice defect structure and the diffusion coefficient of the rate controlling species, namely cerium and zirconium cations. CaO also inhibits grain growth during sintering and allows the sintering process to proceed to theoretical density by maintaining a high diffusion flux of vacancies from the pores to the grain boundaries. The inhibition of grain growth is accomplished by the segregation of solute at the grain boundaries, causing a decrease in the grain boundary mobility. The segregation of calcium was revealed by AES study.
Metallurgical factors influencing toughness of the Intercritically Reheated Coarse-Grained Heat Affected Zone (ICCG HAZ) of multiple welded SA508-cl.3 Reactor Pressure Vessel Steel were evaluated. The recrystallized austenite formed along the prior austenite grain boundaries and late interfaced on heating to the intercritical range was transformed to bainite and/or martensite during cooling. The newly formed martensite always included some retained austenite(M-A constituents). The characteristics(amount, hardness, density, and size) of M-A constituents were found to be strongly associated with both peak temperature and cooling time(△t8/5(2)) of last pass. Toughness in the ICCG HAZ was deteriorated with increasing amount of M-A constituents which was increased with increasing the last peak temperature within the intercritical temperature range. Meanwhile, for the same intercritical peak temperature, toughness was decreased with increasing cooling time. When cooling time was short, the dominant factor influencing toughness of the ICCG HAZ was amount of M-A constituents. However, when cooling time was lengthened, the hardness difference between M-A constituents and softened matrix(tempered martensite) was found to be the dominant factor.
Transactions of the Korean Society of Mechanical Engineers A
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v.33
no.7
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pp.673-680
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2009
In this study, die cooling system using the nitrogen gas has been applied to hot aluminum extrusion process for refining grains and reducing of grain growth. Computational fluid dynamics(CFD) has been carried out to evaluate die cooling effect by nitrogen gas, and the results of CFD have been used to FE-simulation for the prediction of the extrudate temperature in hot extrusion process. Experimental hot extrusion has been performed to observe microstructure and to measure temperature of extrudate. The results of FE-Simulation have been good agreement with those of experiment. Finally, process condition of hot extrusion can be established to reduce grain growth of Al6061 through the experiment.
Journal of the Korean Crystal Growth and Crystal Technology
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v.6
no.4
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pp.552-557
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1996
Microstructural development of $Si_3N_4$/20 vol% SiC nanocomposites doped 2 wt% $Al_2O_3$ and 6 wt% $Y_2O_3$ as sintering additives were analyzed by sintering interruption. Density of samples was significantly increased between $1500^{\circ}C$ and $1700^{\circ}C$, and near full density was achieved at $1800^{\circ}C$. Transformation rate from $\alpha-Si_3N_4$ to $\betha-Si_3N_4$ was increased at $1700^{\circ}C$ and $1800^{\circ}C$, and then elongated matrix grains were appeared. Small size SiC particles had suppressive effect on densification rate and transformation of $Si_3N_4$ phase.
baking 전후의 금선의 접합강도 변화를 연구하였다. 금선을 이용하여 Si 칩의 AI 패드와 은도금된 리드프레임 사이를 thermosonic 방법으로 본딩하였다. 본딩된 금선을 $175^{\circ}C$에서 시간을 변화시키면서 baking 처리하였다. 접합강도는 와이어 풀 테스트, 볼 전단 테스트, stud 풀 테스트로 평가하였다. 와이어 풀 접합강도는 baking 처리를 거쳐도 크게 변화하지 않았지만 파괴 유형이 baking 전에는 볼목 파괴에서 baking 후 스티치 파괴로 바뀌었다. 본딩과 baking 중 금선의 결정립이 크게 성장하였는데 이런 결정립 크기 변화와 금선 접합 부위의 기하학적인 모양에 따라 파괴 유형이 바뀌었다.
Ni 및 AI단원소 분말을 혼합하여 attrition mill을 사용하여 분위기 속에서 기계적 합금화 NiAI 기 산화물 분산강화 금속간화합물을 제조하였다. 제조된 분말은 여러 가지 다른 미세조직을 얻기 위하여 각기 다른 공정으로 열간성형을 하였으며, 연이어 이차 재결정 조직을 얻기 위한 가공열처리(thermomechanical treatment)를 실시하였다. 이차 재결정이 일어날 수 있는 선수조건으로서의초기 미세조직과 가공열처리와의 상관관계를 조사하였다. 정상 결정립 성장의억제와 접합조직의 존재가 이차 재결정을 일으키기 위한 필요조건으로 판명되었다. 이 재료에 있어서, 잔류 변형에너지를 공급할 수 있고 결정립을 미세화 할 수 있는 특정 공정하에서 항온 열처리 후 이차 재결정이 생성됨을 알 수 있었다.
The purpose of this study is to investigate the degradation of soft magnetic properties of Fe-Hf-N thin films after annealing in vacuum. They were annealed at 450℃∼650℃. The microstructure and crystal phase of the selected area of the thin films were analyzed by TEM and SAD. After annealing at 450℃-600℃, the coercivity of the films increased by 0.2 Oe and the effective permeability decreased by 1500 as compared with them before annealing due to the growth of α-Fe crystallites. The saturation magnetic flux density of the films increased by 0.5 KG after annealing under 600℃. However, the soft magnetic properties of the film annealed at 650℃ degraded abruptly, which was attributed to the destruction of nano-crystalline microstructure of the film due to the rapid growth of α-Fe crystallites with the segregation of N sited in the α-Fe lattice into HfN.
Proceedings of the Korea Association of Crystal Growth Conference
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1996.06b
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pp.281-283
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1996
전자제품의 경박 단소화에 필수 부품인 칩저항기, HIC 등의 제조 기술은 급속한 성장을 이룬 반면에 가장 중요한 특성을 발현하는 전극 재료 및 저항 재료의 제조는 기술적으로 취약한 부분이다. RuO2와 Pb2Ru2O5.5는 저항 페이스트의 가장 중요한 원재료로서 저항 편차, 온도저항계수(TCR), 전압저항계수(VCR), NOISE 등의 전기적 특성과 페이스트이 흐름성, 보존 안정성 등의 작업성에 큰 영향을 미친다. 외국에서 산화 루테늄 분말 제조에 대한 많은 연구가 진행되어 오고 있으나 대부분 출발 물질을 염화 루테늄을 사용하여 RuO2 분말을 제조하고 있다. 이렇게 제조된 RuO2 분말은 전자 재료에 악영향을 미치는 염소이온이 잔류할 가능성이 높다. 본 연구에서는 Ru metal에서 루테늄산염을 만들어 위의 문제를 최소화 하였고, 전기적 특성이 우수한 고분산 초미립의 RuO2를 얻기 위해 산화, 환원, 정제, 배소 등의 제조 공정에 있어서 최적 조건을 고찰 하였다.
Proceedings of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers Conference
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2009.04b
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pp.9-11
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2009
열전박막은 유비쿼터스 센서 네트워크에서 사용될 초소형 자가발전 장치로 각광받고 있다. 본 실험에서 는 상온에서 주로 사용되는 $BiSbTe_3$ 열전물질을 유기 금속화학 증착법(MOCVD)을 이용하여 (0001) Sapphire기판 위에 성장하였다. 일반적으로 사용되는 기판의 세척 및 에칭과정을 거쳐 성장된 $BiSbTe_3$ 박막의 표면형상은 부분적으로 성장되지 않으며 불규칙한 결정립을 포함하는 박막의 형상을 나타내었으나 성장 전 기판의 표면처리 통하여 성장된 박막의 표면 형상을 크게 개선시킬 수 있었다. 이는 표면처리를 통하여 기판표면에 미세 결함을 형성 시켜 초기 박막성장 시 핵생성이 용이하도록 하였기 때문으로 해석되었다. 이러한 표면 처리기법은 성장된 박막의 열전 특성에 크게 영향을 끼치지 않았다. 따라서 다양하고 저가의 박막형 열전소자의 제작에 응용될 수 있을 것으로 기대된다.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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