In order to increase the magnetic properties of a Nd-Fe-B sintered magnet, the general factors including particle size and its distribution, volume fraction of Nd$_2$Fe$_{14}$B phase, degree of alignment of Nd$_2$Fe$_{14}$B grain, oxygen content and grain size etc. should be optimized by controlling the composition of Nd-Fe-B alloy as well as the manufacturing process. In this study, fabrication of the Nd-Fe-B sintered magnet was carried out in a laboratory scale by controlling the composition of Nd-Fe-B alloy and the manufacturing process. The optimum milling condition was found by investigating the milling media, milling time and ball size. The addition of FeGa was effective to increase the coercivity of the Nd-Fe-B sintered magnet. A remanence of 14.4 kG, a coercivity of 9.4 kOe and a maximum energy product of 47 MGOe were obtained from the sintered magnet.
In this research, n-based 4H-MOS Capacitor was fabricated with PECVD (plasma enhanced chemical vapor deposition) process for improving SiC/$SiO_2$ interface properties known as main problem of 4H-SiC MOSFET. To overcome the problems of dry oxidation process such as lower growth rate, high interface trap density and low critical electric field of $SiO_2$, PECVD and NO annealing processes are used to MOS Capacitor fabrication. After fabrication, MOS Capacitor's interface properties were measured and evaluated by hi-lo C-V measure, I-V measure and SIMS. As a result of comparing the interface properties with the dry oxidation case, improved interface and oxide properties such as 20% reduced flatband voltage shift, 25% reduced effective oxide charge density, increased oxide breakdown field of 8MV/cm and best effective barrier height of 1.57eV, 69.05% reduced interface trap density in the range of 0.375~0.495eV under the conduction band are observed.
Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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2010.08a
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pp.97-97
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2010
많은 플라즈마 공정 중에 건식 식각은 복잡하고 표면반응이 잘 알려지지 않은 등의 이유로 가장 어려운 분야 중의 하나이다. 이러한 이유로 식각 장치 디자인뿐만 아니라 플라즈마를 이용한 건식 식각의 공정 조건은 수많은 시행착오를 통해 시도되어 왔다. 이런 문제들을 극복하기 위해 많은 연구자들에 의해서 다양한 방법과 tool을 이용해 모델링이 시도되고 있다. 본 연구에서는 $CF_4$ 가스를 이용한 유도결합 플라즈마에 의해 Si와 $SiO_2$를 식각하는 것을 상용 프로그램인 전산모사 유체역학 시뮬레이터인 CFD-ACE+를 이용하여 모델링했다. 150 mm 직경의 웨이퍼에 대한 모델은 식각 속도 실험결과와 비교 하였다. Ar의 경우 20 mTorr에서 13.56 MHz, 500 W인가 시 2.0 eV의 전자온도와 $7.3{\times}10^{11}\;cm^{-3}$의 전자밀도가 계산결과와 상당히 일치하게 측정되었고, $CF_4$를 이용한 $SiO_2$ 식각에서도 식각 속도가 평균 190 nm/min로 일치했고 식각 균일도는 3% 였다. 450 mm 웨이퍼 공정용 장치의 모델 계산 결과에서는 안테나와 기판의 거리, 챔버의 단면적, 기판 지지대와 배기구와의 높이 등 기하학적인 구조와 각 안테나 턴의 위치 및 전류비가 플라즈마 균일도에 많은 영향을 주었으며, 안쪽부터 4 turn이 있는 경우 2번째, 4번째 turn에만 1:4의 전류비를 인가했을 때, 수십%의 전자밀도의 불균일도를 4.7%까지 낮출 수 있었다. 또한, Si 식각에서는 식각 속도의 분포가 F radical의 분포와 같은 경향을 보임을 확인했고, $SiO_2$ 식각에서는 전자 밀도의 분포와 일치함을 확인함으로써 균일한 식각을 위해서 두 물질의 식각 공정에서는 다른 접근의 시도가 필요함을 확인했다. 플라즈마의 준중성 조건을 이용해서 Poisson 방정식을 풀지 않고 sheath를 해석적 모델로 처리하는 방법과, Poisson 식으로 정전기장을 푸는 방법을 통해서 입사 이온의 에너지 분포를 비교하였다. 에너지 범위는 80~120 eV로 같지만, 실험에서는 IED가 낮은 에너지 쪽이 더 높게 측정됐고, 계산 결과에서는 높은 에너지 쪽이 높았다.
Kim, In-Kwon;Kwon, Tae-Young;Cho, Byoung-Gwun;Kang, Bong-Kyun;Park, Jin-Goo;Park, Hyung-Soon
Proceedings of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers Conference
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2007.06a
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pp.85-85
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2007
최근 귀금속중의 하나인 Ruthenium(Ru)은 높은 일함수, 누설전류에 대한 높은 저항성등의 톡성으로 인해 캐패시터의 하부전극으로 각광받고 있다. 하부전극으로 증착된 Ru은 일반적으로 각 캐패시터의 분리와 평탄화를 위해 건식식각이 이루어진다. 하지만, 건식식각 공정중 유독한 $RUO_4$ 가스가 발생할 수 있으며, 불균일한 캐패시터 표면을 유발할 수 있다. 이러한 문제점들을 해결하기 위해 CMP 공정이 필요하게 되었다. 하지만, Ru은 화학적으로 매우 안정하기 때문에 Ru CMP 슬러리에 대한 연구가 필요하게 되었으며, 이에 대한 연구가 활발히 진행되고 있다. 본 연구에서는 Ru CMP 공정에서 Chemical A가 에칭제 및 산화제로 사용된 슬러리의 pH 변화와 pH 적정제에 따른 영향을 살펴보았다. Ru wafer를 이용하여 static etch rate, passivation film thickness와 wettability를 pH와 pH 적정제에 따라 비교해 보았다. 또한, pH 적정제로 $NH_4OH$와 TMAH를 이용하여 pH별 슬러리를 제작하고 CMP 공정을 실시하여 Ru의 removal rate을 측정하였다. $NH_4OH$와 TMAH의 경우 각각 130. 100 nm/min의 연마율이 측정된 pH 6에서 가장 높은 연마률을 보였으며, TMAH의 경우가 pH 전 구간에서 $NH_4OH$에 비해 낮은 연마율이 측정되었다. TEOS 에 대한 Ru의 선택비를 측정해 본 결과, $NH_4OH$의 경우 pH 8~9. TMAH의 경우 pH 6~7에서 높은 selectivity를 얻을 수 있었다.
Primary and secondary amine-based sorbents were synthesized to investigate the operation capacity for the carbon dioxide separation TSA process. (3-Aminopropyl) triethoxysilane was used as a primary amine precursor as a crosslinking agent to synthesize a secondary amine precursor in which amine groups were crosslinked with a crosslinking agent. Carbon dioxide absorbed by primary amines is completely separated above 170 ℃. The working capacity of the primary amine absorbent was less than 2% when regenerated at 130℃. The secondary amine absorbent has a higher carbon dioxide separation capacity at a lower regeneration temperature than the primary amine absorbent. The secondary amine absorbent could predict process operation performance of about 6.5% with 2% carbon dioxide absorption and 100% carbon dioxide regeneration conditions. Therefore, it was found that the working capacity of the secondary amine absorbent was higher than that of the primary amine.
On the paved track, the ballast is used as aggregate for the filling layer using the pre-packed concrete technique. The most important condition of aggregate is adhesive strength with mortar. To satisfy this condition, surface of aggregate should be cleaned by water or others. In a paved-track method to be introduced domestically, an environment-friendly dry-washing technology which will replace the water-washing method has been developed. A dry-washing method was designed to blast the crushed weight material with a diameter of 0.3~0.5mm at high pressure to peel the surface of the aggregate. The study was intended to enhance the washing efficiency of dry-blasting technology and to that end, the tests including blasting material, content of fine aggregate depending on time elapsed, content of chloride, LA abrasion rate and compressive strength were conducted to recommend the efficient washing material and the process.
Park, Jae-Hyeok;Lee, Seul-Gi;Park, Jun-Mu;Mun, Gyeong-Man;Yun, Yong-Seop;Jeong, Jae-In;Lee, Myeong-Hun
Proceedings of the Korean Institute of Surface Engineering Conference
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2018.06a
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pp.115-115
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2018
철강재는 대량 생산이 가능하며 경제성이 뛰어나고 기계적 성질도 우수하므로 다양한 산업 분야에서 널리 사용되고 있다. 그러나 철강재는 부식 환경에 취약하기 때문에 그 용도에 따라 다양한 내식성을 부여하는 표면처리를 적용하고 있다. 일반적으로 이러한 철강 재료에 대한 내식성 표면처리로는 습식공정을 이용한 아연(Zn)도금 표면처리가 널리 적용되고 있다. 그러나 최근에는 이러한 습식공정으로 인해 발생하는 자원소모 및 환경적인 문제와 더불어 고내식성 표면처리 소재에 대한 수요가 증가함에 따라 이러한 단점을 극복할 수 있는 새로운 소재 및 기술 개발에 대한 관심이 증대되고 있다. 이러한 관점에서 기존의 습식표면처리 공정을 건식으로 대체 또는 병행하고, 현행 아연소재를 대체할 수 있는 코팅소재로써 알루미늄(Al) 이나 마그네슘(Mg)으로 대체하는 방법이 시도되고 있다. 본 연구에서는 강판의 내식성을 향상시키기 위한 방법으로 기존의 습식 표면처리 공정에서 용이하지 않은 마그네슘을 이용하여 건식 PVD 프로세스에 의해 코팅막의 제작을 시도하였다. 그리고 코팅막 제작 조건 중에서 공정압력이 코팅막의 결정배향성에 미치는 영향과 내식성과의 상관관계를 규명하고자 하였다. 즉, 여기서는 강판 및 용융알루미늄 도금강판 상에 스퍼터링법에 의해 Ar 가스에 의한 공정압력을 2, 10 및 50 mTorr로 조절하면서 마그네슘 코팅막을 $2{\mu}m$ 두께로 각각 제작하였다. 이때 제작한 막의 표면 모폴로지 관찰(SEM) 및 결정구조 분석(XRD) 결과에 의하면, 강판 및 용융알루미늄도금강판 상에 제작한 코팅막들은 공통적으로 공정압력이 증가할수록 그모폴로지의 결정립의 크기가 작고 치밀한 구조로 변하였다. 또한 그때 형성된 코팅막의 결정구조는 표면에너지가 상대적으로 높은 Mg(002)면 피크의 점유율이 감소하고 표면에너지가 낮은 Mg(101)면 피크의 점유율이 증가하는 경향을 나타내었다. 그리고 공정압력이 증가할수록 Mg 격자 간 면 간격(d-value)이 증가하는 경향을 나타내었다. 이상에서 제작한 마그네슘 코팅막의 결정성장 과정은 본 진공 플라즈마 PVD 공정중 증착가 더불어 흡착역할을 하는 Ar의 움직임에 따라 설명 가능하였다[1,2]. 코팅막의 양극분극(Polarization)측정 결과에 의하면, 공정압력이 높은 조건에서 제작한 막일수록 부동태 특성이 우수하여 내식성이 향상되는 경향을 나타내었다. 특히, 공정압력이 상대적으로 높은 50 mTorr 조건에서 제작된 코팅막이 표면 마그네슘 결정의 크기가 조밀하고 결정구조는 Mg(002)면과 Mg(101)면의 상대강도 비가 유사하여 내식성 가장 우수하였다.
Proceedings of the Korean Institute of Surface Engineering Conference
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2008.11a
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pp.79-80
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2008
최근 질화물 계 발광다이오드의 광추출효율을 향상시키기 위하여 발광다이오드의 발광면을 texturing하는 연구가 진행되고 있다. 본 연구에서는 직접 패터닝 방식인 나노 임프린팅 공정을 이용하여 blue 발광다이오드의 indium tin oxide (ITO) 투명전극 층에 sub-micron 크기의 hole이 주기적으로 정렬된 구조의 폴리머 패턴을 형성하였으며 임프린팅 공정 후 건식 식각 공정을 통해서 ITO 층을 식각하였다. 그 결과 ITO 투명전극 층에 발광다이오드의 광추출효율을 향상시키기 위한 sub-micron 급의 주기적인 hole 패턴이 형성되었다.
$SF_6$ gas is widely used for dry etching process of semiconductor and display fabrication process. But $SF_6$ gas is considered for typical greenhouse gas for global warming. So it is necessary to research relating to $SF_6$ alternatives reducing greenhouse effect in semiconductor and display. $C_3F_6$ gas is one of the promising candidates for it. We studied about etch characteristics by performing Reactive Ion Etching process of dry etching and reduced gas element exhausted on etching process using absorbent Zeolite 5A. $Si_3N_4$ thin film was deposited to 500 nm with Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition and we performed Reactive Ion Etching process after patterning through photolithography process. It was observed that the etch rate and the etched surface of $Si_3N_4$ thin film with Scanning Electron Microscope pictures. And we measured and compared the exhausted gas before and after the absorbent using Gas Chromatograph-Mass Spectrophotometry.
Journal of the Korean Recycled Construction Resources Institute
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v.6
no.3
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pp.61-68
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2011
The pH of recycled aggregate is over 12 because of high alkalinity of cement. This high alkalinity give circumstance harmful effect. The high alkalinity of recycled aggregate can appear variously according to aggregate properties, elution time of alkalinity, aggregate size, and so on. This study analyzed recycled aggregate properties according to wet and dry type manufacture process; different test methods: waste official test, soil contamination official test, BS EN 1744-3 standard; elution time and different size to test effects of various condition. These test results can contribute to solving environmental problems by recycled aggregate. In the test results, pH of recycled aggregate was as higher as smaller particle size and as time elapsed. There was no difference between dry and wet type recycled aggregate except for difference according to elapsed time. Waste official test method got the highest pH value between pH test methods. So unified pH test method need to test recycled aggregate pH.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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