• Proceedings of the Korean Institute of Information and Commucation Sciences Conference
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• 2011.10a
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• pp.425-428
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• 2011

This paper presents a micro-scale solar energy harvesting circuit with a simple MPPT control. Solar Energy is harvested using a small off-chip PV cell generating output voltages under 0.5V instead of an on-chip PV cell. A simple MPPT is implemented using a pilot PV cell and utilizing the relationship between the open-circuit voltage of a PV cell ($V_{OC}$) and its MPP voltage ($V_{MPP}$). With applying the MPPT control, the designed circuit delivers the MPP voltage to load even though the loads is heavy such that the load circuit can operate properly. The proposed circuit is designed in TSMC 0.18um CMOS process.

• Proceedings of the KIPE Conference
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• 2017.11a
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• pp.103-104
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• 2017

영구자석 전동기는 전력 밀도가 높고 효율이 좋은 특징으로 견인, 의료, 군사 분야 등 다양한 산업 분야에서 사용되고 있다. 이러한 분야에서 사용되는 전동기 구동 시스템은 높은 신뢰성이 요구되므로 인버터에서 발생하는 전력 반도체 스위치 고장을 빠르게 감지해야한다. 본 논문에서는 제어기 상전압 지령과 추정된 상전압 사이의 오차를 통해 전력 반도체 개방 고장을 감지하고 진단하는 방법을 제시하였다. 제안된 방법은 추가적인 측정 회로 없이 제어기 내부 값을 사용하여 개방 고장을 감지하고 개방된 스위치를 진단할 수 있다. 특히 부하 변동을 고려한 감지 방법을 제안하여 고장 감지의 신뢰성을 개선한다.

• Proceedings of the Korean Nuclear Society Conference
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• 2004.10a
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• pp.655-656
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• 2004

1) 제어봉의 전자 클러치는 직류전원 공급 장치에 의해 12V의 직류 전력을 공급받으며 전압 강하에 대한 내성이 좋다. 제어봉은 10V의 전압이 525msec 이상 지속될 때 전자력 상실로 낙하한다. 완전정전(0V)이 발생하여도 직류전원 공급 장치는 500msec 동안 전자클러치에 직류전력을 공급하여 제어봉의 연결 상태를 유지하도록 한다. 2) 정지봉 계통에 대한 전압강하의 영향은 제어회로를 구성하는 전자접촉기의 개방에 의하여 펌프의 전원공급이 차단되고, 그 결과 정지봉이 낙하한다. 정지봉은 펌프의 전원이 상실되면 수압 실린더의 압력 상실로 약 1000msec 후에 낙하한기 시작한다. 그림 2는 제어봉 및 정지봉에 대한 정전 영향을 시간에 따라 표시한 것이다. 3) 1차 및 2차 냉각계통의 부족전압 계전기에 의해 펌프가 정지할 때까지 저유량 신호 및 N/T mismatch 신호에 의한 원자로 정지신호는 발생되지 않는다. 따라서 정지봉 및 제어봉 계통에 적용하고자 하는 순간정전 보상장치는 부족전압 계전기 동작시간 이내의 보상시간에서만 가능할 것이다.

• Proceedings of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers Conference
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• 2008.11a
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• pp.448-449
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• 2008

HIT(Heterojunction with intrinsic thin layer) solar cell은 결정 실리콘 (c-Si)을 n-type으로 제작시 수율이 어렵고 결정 실리콘 (c-Si)을 p-type위에 제조하는 것이 보다 보편적인 방법이므로 베이스의 결정 실리콘에는 p-type을, 그 위에는 진성 층(intrinsic layer) 그리고 반투명 전극의 아래에 제조되는 비정질 실리콘 (a-Si)을 n-type으로 하여 베이스 층과 TCO 후면 층의 두께, 도핑 농도 (doping concentration)와의 관계를 확인하여 본다.

• Proceeding of EDISON Challenge
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• 2015.03a
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• pp.354-356
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• 2015

본 논문에서는 일본의 Sanyo사에서 발표한 HIT(Heterojunction with Intrinsic Thin layer)구조를 기반으로 하여 태양전지의 output특성을 분석하고자 한다. HIT 태양전지 구조의 경우 a-Si층이 태양전지의 효율과 개방전압 $V_{oc}$의 향상에 중요한 역할을 한다. 본 연구를 통해 a-Si층 내에서의 두께변화가 태양전지 output특성에 어떠한 영향을 주는지 비교해보고, 최고 효율을 낼 수 있는 구조를 찾고자 한다.

• Proceedings of the Korean Institute of Information and Commucation Sciences Conference
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• 2015.10a
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• pp.397-400
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• 2015

In this paper a solar energy harvesting system with low-cost MPPT control for low duty-cycled sensor nodes is proposed. The targeted applications are environment, structure monitoring sensor nodes that are not required successively to operate, and MPPT(Maximum Power point Tracking) control using simple circuits is low-cost differently than existing MPPT control. The proposed MPPT control is implemented using linear relationship between the open-circuit voltage of a solar cell. The designed MPPT circuit traces the maximum power point by sampling periodically the open circuit voltage of the solar cell and delivers the maximum available power to the load. The proposed circuit is designed in 0.35um CMOS process. The designed chip area is $975um{\times}1025um$ including pads. Measured results show that the designed system can track the MPP voltage by sampling periodically the open circuit voltage of solar cell.

• Journal of the Korea Institute of Information and Communication Engineering
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• v.15 no.6
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• pp.1349-1354
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• 2011

In this work, we fabricated the CdZnS/CdTe heterojunction and investigated the C-V characteristics to determine the depletion width and the charge density distribution. A parallel experiment on CdS/CdTe heterojunction was also carried out for comparison. The depletion region width, for CdZnS/CdTe heterojunction, was nearly constant, regardless of bias voltage. However, the depletion region was wider than that of CdS/CdTe heterojunction due to high resistivity of CdZnS film. The interface charge density of CdZnS/CdTe heterojunction was increased linearly with the bias voltage and showed lower values than those for CdS/CdTe junction. The open circuit voltage of CdZnS/CdTe heterojunction solar cells increased with zinc mole ratio due to reducing of the electron affinity difference between CdZnS and CdTe films. However, the increase of series resistance due to the high resistivity of Cd1-xZnxS films results in reducing conversion efficiency.

• The Journal of Korean Institute of Electromagnetic Engineering and Science
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• v.17 no.12 s.115
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• pp.1143-1149
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• 2006

The microstrip square open loop resonator has been employed to reduce the phase noise in VCO. The microstrip square open loop resonator has the large coupling coefficient value, which makes a high Q value, and has reduced the phase noise of VCO. To increase the tuning range of VCO, varactor diode has been connected at the tunable negative resistance in VCO. The output power and harmonic characteristics of VCO has been obtained 4.83 dBm and -28.83 dBc, respectively. The phase noise of VCO has been $-112.33{\sim}-116.16dBc/Hz$ @ 100 kHz in the tuning range, $5.735{\sim}5.845GHz$.

• Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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• 2012.02a
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• pp.210-210
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• 2012

Ge 기판을 이용한 GaInP/GaAs/Ge 삼중접합 태양전지는 43.5%의 높은 광전효율을 기록하고 있으며, 이를 지상용 태양광 발전시스템에 이용하려는 연구가 진행 중이다[1]. 그러나, 이러한 다중접합 태양전지는 셀 제작 비용에 있어 Ge기판의 가격이 차지하는 비중이 높고 대면적 기판을 이용하기 힘든 단점이 있다. 한편, 무게, 기계적 강도와 열전도도 측면에서 Si 기판은 Ge 기판에 비해 장점이 있다. 아울러, 상대적으로 낮은 가격의 대면적 기판을 사용할 수 있기 때문에 Si 기판으로 Ge 기판을 대체할 경우 다중접합 태양전지의 높은 제작 비용을 낮추는 효과도 기대할 수 있다. Si 기판의 장점을 취하며 고효율 태양전지를 제작하기 위해, 이번 실험에서 우리는 Ge 에피층이 성장된 Si 기판 위에 GaAs 태양전지를 제작하였다. GaAs, GaInP와 비슷한 격자상수를 갖고 있는 Ge과 달리, Si은 이들 물질(GaAs, GaInP)과 4%의 격자상수 차이를 갖고 있으며 이로 인해 성장과정에서 관통전위가 발생하게 된다. 이러한 관통전위는 소자의 개방전압을 감소시키는 원인으로 작용한다. 실제로 Si 기판 위에 제작된 GaAs/Ge 이중접합 태양전지에서 관통전위 밀도에 따른 개방전압 감소를 확인할 수 있었다. 관통전위로 인한 영향 이외에, Si 기판위에 제작된 태양전지에서는Ge 기판 위에 제작된 태양전지에 비하여 낮은 fill factor가 관찰되었다. 이것은 Si 기판 위에 제작된 GaAs/Ge 이중접합 태양전지가 높은 직렬저항을 가지고 있기 때문이다. 따라서 이번 실험에서는 Si 기판 위에 제작한 GeAs/Ge 이중접합 태양전지의 직렬저항의 원인을 전산모사와 실험을 통하여 규명하였다. TCAD (APSYS-2010)를 이용한 전산모사 결과, Si 기판의 낮은 불순물 농도 ($1{\times}10^{15}/cm^3$)에 따른 직렬저항의 원인으로 파악되었으며, 전류-전압 특성을 측정하여 실험적으로 이를 확인하였다. 이러한 직렬저항 성분을 줄이기 위하여 Si 기판의 p형 불순물 농도가 전류 전압 특성 곡선에 미치는 영향을 전산모사를 통하여 알아보았으며, Si 기판의 불순물 농도가 $1{\times}10^{17}/cm^3$ 이상으로 증가할 경우, 직렬저항 성분이 크게 감소 하는 것을 전산모사 결과로 예상할 수 있었다.

• Journal of the Korea Institute of Information and Communication Engineering
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• v.18 no.10
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• pp.2503-2508
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• 2014

This study is about the selection and noise test of electronic sensor which is preceded by electric Operating Cell(EOC) development using electronic sensor technology to solve the structural weakness of Mechanism Operated Cell(MOC) in VCB, and has a final target in product development minimizing contact malfunction of the chattering or rebounce states caused by existing MOC. In this test results, when opening and closing VCB, rising velocity of surge voltage in opening time was measured 4.2 times faster than closing time and noise decibel value was measured respectively 120dB and 110dB. When supplying 60kV power frequency overvoltage, we found that sensor output graph in VCB opening and closing times operated stably without distortion. When supplying 150kV $1.2{\times}50{\mu}s$ impulse frequency voltage, we found that voltage graph of output contact in sensor opening and closing sides maintained a normal condition without distortion, and when supplying 2500A current, we found that tested result of electric field noise operated stably without distortion.