• 폴리머
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• 제31권5호
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• pp.374-378
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• 2007

Acrylamide(AM), diacetone acrylamide(DAAM) 및 acrylic acid(AAc)를 사용하여 수용성 삼원공중합체를 제조하고, 4-azidoaniline을 반응하여 azido기를 고분자 곁사슬에 도입한 일성분계 포토레지스트를 제조하였다. AM을 주성분으로 하고 DAAM을 공단량체로 사용한 공중합체를 합성하구 광가교제로 4,4'-diazidostilbene 2,2'-disulfuric acid sodium salt(DAS)를 혼합한 이성분계 포토레지스트를 제조하여 두 종류 포토레지스트의 감광특성을 비교하였다. 포토레지스트의 azido기 1 mol에 대한 감광특성은 고분자 곁사슬에 azido기를 가진 일성분계의 경우가 bis-azido기를 가진 이성분계보다 약 4배정도 우수한 감광성을 나타내었다. 직경 $110{\mu}m$ 크기의 원형패턴을 낮은 광세기에서 일성분계 포토레지스트를 사용하여 얻었으며, 노광부와 비노광부 계면에 잔존물이 없이 원형 패턴이 형성되어 블랙 매트릭스용 negative 포토레지스트로 활용이 기대된다.

• ETRI Journal
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• 제11권1호
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• pp.123-135
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• 1989

본 논문에서는 $0.5\mum$의 최소선폭을 가지는 초고집적 소자제조에 필요한 레지스트 재료의 특성 및 레지스트 공정을 살펴보았다. 일반적인 레지스트 특성변수들 중에서 소자의 고집적화에 따라 중요한 미세형상 정의 및 건식식각에 의한 패턴전사에 관련된 변수들을 깊이 살펴보았다. 미세형상 정의에 필요한 레지스트 특성의 한계는 회절에 의한 분해능 한계 이론을 적용하였고, 패턴전사에 필요한 한계는 반응성 이온식각 과정을 고려하여 유추하였다. 마지막으로 굴곡이 있는 기판 상에서의 초미세 형상 정의를 위한 여러가지 레지스트 공정을 간단하게 비교 검토하였다.

• 전기의세계
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• 제36권3호
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• pp.172-182
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• 1987

• 폴리머
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• 제35권1호
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• pp.87-93
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• 2011

본 연구에서는 LCD 컬러필터 레지스트용 fluorene 단위 구조를 가지는 다기능 바인더 고분자를 개발하여 카본블랙 기반 감광성 레지스트(CBR)를 제조하고 블랙 매트릭스(BM)에 적용하였다. 다기능 바인더 고분자를 얻기 위해 bisphcnol fluorene epoxy acrylate를 함유한 불포화 폴리에스터(BFEA-polyester)를 합성하였으며 이는 $^1H$ NMR, GPC 및 FTIR을 이용하여 분석하였다. 합성된 BFEA-polyester 바인더 고분자를 상업용 아크릴 바인더와 비교 평가하기 위하여 각각 CBR 제조 후 BM 리소그래피 테스트를 수행하였다. 그 결과, 본 연구에서 합성된 BFEA-polyester 바인더 고분자는 적합한 광경화 반응성과 알칼리 용해성을 가질 뿐만 아니라 기존 아크릴 바인더보다 더 우수한 공정 마진, 패턴 특성 및 유리 가판에 대한 접착력을 나타내었다.

• 한국섬유공학회:학술대회논문집
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• 한국섬유공학회 1995년도 추계 학술발표회
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• pp.108-109
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• 1995

• 한국정밀공학회지
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• 제24권5호
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• pp.97-103
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• 2007

A novel selective metallization process to fabricate the fine conductive line based on inkjet printing has been investigated. Recently, Inkjet printing has been widely used in flat panel display, electronic circuits, biochips and bioMEMS because direct inkjet printing is an alternative and cost-effective technology for patterning and fabricating objects directly from design without masks. The photosensitive etching resist used in this process is an organic polymer which becomes solidified when exposed to ultraviolet lights and has high viscosity at ambient temperature. A piezoelectric-driven inkjet printhead is used to dispense 20-30 ${\mu}m$ diameter droplets onto the copper substrate to prevent subsequent etching. Repeatability of circuitry fabrication is closely related to the formation of steady droplets, adhesion between etching resist and copper substrate. Therefore, the ability to form small and stable droplets and surface topography of the copper surface and chemical attack must be taken into consideration for fine and precise patterns. In this study, factors affecting the pattern formation such as adhesion strength, etching mechanism, UV curing have been investigated. As a result, microscale copper patterns with tens of urn high have been fabricated.

• 한국정밀공학회:학술대회논문집
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• 한국정밀공학회 2002년도 춘계학술대회 논문집
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• pp.503-507
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• 2002

Mask manufacturing is a high COC and COO process in developing of semiconductor devices, because of the mass production tool with high resolution. Direct writing has been thought to be one of the patterning method to cope with development or small-lot production of the device. This study focused on the development of the direct, mastless patterning process using stereolithography tool for the easy and convenient application to micro and miso scale products. Experiments are utilized by three dimensional CAD/CAM as a mask and photo-curable resin as a photo-resist in a conventional stereo-lithography apparatus. Results show that the resolution of the pattern was achieved about 300 micron because of complexity of SLA apparatus settings, inspite of 100 micro of inherent resolution. This paper concludes that photo resist and laser spot diameter should be adjusted to get finer patterns and the proposed method is significantly feasible to mastless and low cost patterning with micro and miso scale.

• 한국정밀공학회지
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• 제22권1호
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• pp.199-206
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• 2005

Mask manufacturing is a high COC and COO process in developing of semiconductor devices because of mask production tool with high resolution. Direct writing has been thought to be the one of the patterning method to cope with development or small-lot production of the device. This study consists two categories. One is the additional process of the direct and maskless patterning generation using SLA for easy and convenient application and the other is a removal process using wet-etching process. In this study, cured status of epoxy pattern is most important parameter because of the beer-lambert law according to the diffusion of UV light. In order to improve the contact force between patterns and substrate, prime process was performed and to remove the semi-cured resin which makes a bad effects to the pattern, spin cleaning process using TPM was also performed. At a removal process, contact force between photo-curable resin as an etching mask and Si wafer is important parameter.

• 폴리머
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• 제28권6호
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• pp.494-501
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• 2004

시클로부탄-1,2,3,4-테트라카복실산 이무수물, 2-(메타크릴로일옥시)에틸-3,5-디아미노벤조에이트 및 1,3-비스(3-아미노프로필)-1,1,3,3-테트라메틸디실록산을 N-메틸-2-피롤리돈 하에서 용액 중합 반응시켜 알칼리 수용액에서 현상이 가능할 뿐만 아니라 가시광선 영역에서 우수한 광투과성을 보이는 신규 감광성 폴리이미드 전구체인 폴리암산 (PAA-0)을 제조하였다. 광개시제의 존재 하에서 노광 후 열경화된 폴리이미드 박막은 2.38 wt%의 테트라메틸암모니움 히드록사이드 수용액에 용해되지 않는 특성을 보였으며, 이를 이용하여 광에 의한 미세 화상 형성 연구를 수행하였다. 폴리이미드 전구체 박막의 광반응에 적합한 광개시제는 2, 2-디메톡시-2-페닐아세토페논임을 알 수 있었고, 최적 광량은 400∼600 mJ/$\textrm{cm}^2$의 범위에 있음이 확인되었다. 감광성 폴리이미드 전구체는 25$0^{\circ}C$의 온도에서 50분간 열경화시킴으로써 투명한 폴리이미드 박막으로 전환이 되었으며, 유기용제를 비롯한 포토레지스트 제거제에 대한 우수한 내용제성 및 가시광선영역에서의 우수한 광투과 특성을 나타내었다.

• E2M - 전기 전자와 첨단 소재
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• 제9권1호
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• pp.59-66
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• 1996

Polyimides containing cyclobutane ring in main chain is known to be thermally stable and able to be developed in organic solvents after photolysis with 254 nm UV light. This type of polyimides can be used as promising positive photoresist in VLSI fabrication process. In the current VLSI process, photoresist films are formed by spin coating. The film thickness is more than several hundred nano meters. It seems that there is room for improvement of film coating process by introducing Langmuir Blodgett technique. Thereby ultra thin film photoresist can be formed, and higher density of integration in VLSI be achieved. In the present work, depositing procedure of LB films of this polyimide was investigated. LB film thickness was measured by ellipsometry to evaluate deposited film status. Chemical imidization procedure was studied to avoid several problems in thermal imidization. The pattern of submicron dimension has successfully formed on LB film of 8nm thick, which found showing good contrast.