Proceedings of the Korea Air Pollution Research Association Conference
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2001.11a
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pp.199-200
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2001
최근 연료 가격의 상승으로 자동차용 연료에 벤젠, 톨루엔 등을 혼합한 가짜휘발유가 많이 유통되고 있다. 가짜휘발유는 벤젠, 톨루엔 등의 방향족물질을 혼합하거나 경유, 등유 등을 혼합하여 사용한다. 방향족 화합물이 많이 함유된 휘발유를 장기간 사용할 경우 차량의 고무부품을 팽윤시켜 연료의 누출 등에 따른 화재 발생의 가능성이 높으며, 톨루엔은 열함량이 작기 때문에 연소효율 저하로 연비를 악화시킨다. 또한 자동차 연료의 조성은 배출가스에도 많은 영향을 주는 것으로 알려져 있다. 본 연구에서는 이러한 가짜휘발유 사용에 따른 배출가스 영향을 정확히 파악하기 위해 휘발유 중 방향족 함량이 다른 세종류의 연료를 사용하여 배출가스 및 연비에 대한 영향을 조사하였다. (중략)
III족 원료 가스로 triethylgallium(TEGa)과 trimethylindium(TMIn)을 사용하고 V족 원료 가스로 사전 열 분해하지 않은 arsine(AsH3)과 monoethylarsine(MEAs)을 사용하여 ultrahigh vacuum chemical vapor deposition(UHVCVD)법으로 Si3N4로 패턴된 GaAs(100)기판 위에 GaAs와 InGaAsqkr막을 선택적으로 에피택시 성장을 하였다. V족 원료 가스를 사전 열 분해하지 않으므로 넓은 성장 온도 구간과 V/lll 비율에서도 선택적으로 박막이 성장되었다. 또한 선택 에피택시의 성장 메카니즘을 규명하기 위하여 다양한 filling factor(전체면적중 opening된 면적의 비율)를 가지는 기판을 제작하여 성장에 사용하였다. UHVCVD법에서는 마스크에 면적중 opening된 면적의 비율)를 가지는 기판을 제작하여 성장에 사용하였다. UHVCVD법에서는 마스크에 입사된 분자 상태의 원료 기체가 탈착된 후 표면 이동이나 가스 상태의 확산과정 없이 마스크로부터 제거되므로 패턴의 크기와 모양에 따른 성장 속도의 변화나 조성의 변화가 없을 뿐만 아니라 chemical beam epitaxy(CBE)/metalorganic molecular beam epitaxy(MOMBE)법에서 알려진 한계 성장온도 이하에서 선택 에피택시 성장이 이루어졌다.
본연구에서는 HCl 또는 NH4OH로 산화막을 식각학 GaAs 표면에 H2S 가스를 이용하여 유황처 리하였다. 표면의 화학적 조성 및 결합상태를 측정하기 위하여 AES 및 XPS를 사용하였다. 시편들은 30,200 및 $350^{\circ}C$로 가열하면서 H2S가스와 반응시켰다. 이때 유황은 GaAs 표면의 Ga 원자 및 As 원자 와 화학결합을 형성하고 있음이 밝혀졌다. 또한 $350^{\circ}C$로 가열된 시편이 $30^{\circ}C$ 또는 $200^{\circ}C$로 가열된 시편 보다 표면에 결합된 유황의 양이 많은 것으로 나타났다. 아울러 (NH4)2S 수용액 또는 Na2S 수용액으로 유황처리된 경우와 동일하게 H2S 가스로 유황처리된 GaAs 표면에서는 Ga 산화막 및 As 산화막이 거 의 관측되지 않았다.
Proceedings of the Korea Society for Energy Engineering kosee Conference
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1993.11a
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pp.92-95
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1993
실험실 규모의 유동층 반응기(0.8 m H $\times$ 0.08 m I.D.) 에서 반응온도(700 -80$0^{\circ}C$), 유동화속도(1.5 - 3 Umf)의 영향에 따른 생성물의 수율, 생성가스의 조성, 생성가스의 발열량의 변화를 질소 분위기하에서 조사하였다. 반응온도를 700 에서 850 $^{\circ}C$로 증가시킬 때 촤의 수율은 36% 정도로 온도에 따라 큰 차이를 보이지 않은 반면 가스의 수율은 온도가 증가함에 따라 22 %에서 800 $^{\circ}C$까지 30%가량 증가하다 그 이상의 온도에서는 증가하지 않았다. 또한 수소와 메탄은 온도가 증가함에 따라 그 생성량이 증가하는 반면 에탄과 프로펜은 감소하였으며 단위 부피당 가스의 발열량은 감소하였다.
Proceedings of the Korean Institute of Surface Engineering Conference
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2007.11a
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pp.157-158
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2007
AISI316L강의 내식성과 표면경도를 동시에 향상시키기 위한방법으로 저온 플라즈마 침탄과 저온 플라즈마 질화를 동일한 로 내에서 연속적으로 실시하였다. 여러 가지 공정인자 중 저온 플라즈마 질화 시 $N_2$가스가 표면에 미치는 영향을 조사 하였다. 모든 시편의 표면에 N에 의해 확장된 오스테나이트 (${\gamma}_N$)가 형성되었으며, 형성된 ${\gamma}_N$로 인하여 표면경도가 약 $3{\sim}4$배 증가하였다. $N_2$가스가 증가할수록 ${\gamma}_N$층의 두께가 증가 하였다.
Park, Young Cheol;Moon, Jong-Ho;Lee, Seung-Yong;Lee, Dong-Ho;Jin, Gyoung Tae
Korean Chemical Engineering Research
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v.50
no.3
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pp.511-515
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2012
In this study, we used a commercial simulator to investigate the gasification characteristics of Roto coal in the partitioned fluidized-bed gasifier, which consists of 4 parts such as coal pyrolysis, char gasification, tar/oil gasification and char combustion. The heating medium was exchanged between the combustion part and the gasification part in order to supply the energy needed for pyrolysis and gasification. The correlation model from experimental data in relation to the reaction temperatures, the reaction gases and the coal feed rates was derived for the coal pyrolysis. The equilibrium model was used for the gasification and the combustion model for the char combustion. In order to compare the reaction behavior of the partitioned fluidized-bed gasifier, the single-bed gasifier was also simulated. The cold gas efficiency of both partitioned fluidized-bed gasifier and single-bed gasifier was almost the same. The $H_2$ and $CH_4$ contents of the syngas in the partitioned fluidized-bed gasifier slightly increased and the CO and $CO_2$ contents slightly decreased, compared with the singlebed gasifier. In order to verify the model, ten cases of the single-bed gasification experiment have been simulated. The contents of CO, $CO_2$, $CH_4$ in the syngas from the simulation corresponded with the experimental data while those of $H_2$ was slightly higher than experimental data, but the tendency of $H_2$ content in the syngas was similar to the experiments. In the coal conversion, the simulation results were higher than the experiments since equilibrium model was used for the gasification so that the residence time and contact time in the model is different from the experiments.
Proceedings of the Korea Society for Energy Engineering kosee Conference
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2000.11a
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pp.33-38
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2000
IGCC(Integrated Gasification Combined Cycle) BSU(Bench Scale Unit) 석탄 가스화공정은 정상상태 조업시 약 145$0^{\circ}C$, 25기압의 고온 및 고압의 조건하에서 운전되기 때문에 설정된 운전조건을 안정하게 유지하기 위해서 이러한 조건에 상응하는 안정된 제어로직의 구성은 매우 중요한 요소이다.(중략)
Proceedings of the Korea Air Pollution Research Association Conference
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1999.10a
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pp.445-446
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1999
근래 여천과 울산 석유화학 단지에서의 유해가스 및 폐수에 의한 환경공해는 심각하여 이제 본격적으로 규제에 진입하였다. 국내외의 환경에 대한 관심이 고조되고 생산 환경 변화에 따라 기존 생산 공정에서도 광해물질 배출과 사용 에너지를 최소화하는 공정 개선이 시급하게 되었다. 특히 기존의 제천 공장이나 석유화학 공장 등에서 배출하였던 가연성 악취 공해 부생가스들은 재처리를 의무화하고 있어 이를 효율적으로 이용 또는 처리할 수 있는 공정 개선이 꼭 필요하다.(중략)
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[게시일 2004년 10월 1일]
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