• 한국세라믹학회지
• /
• 제35권10호
• /
• pp.1107-1112
• /
• 1998

We could obtan c-axis oriented $SrBi_2$$Ta_2$$O_9$ thin films on usual Pt(111)/Ti/$SiO_2$/Si(100) substrate using a r. f. magnetron sputtering technique. According to the increase of sputtering pressure from 250 to 300 mTorr the Bi content and degree of the c-a xis preferred orientation of $SrBi_2$$Ta_2$$O_9$ thin films were increased. By controlling Bi(or $Bi_2O_3$) loss from $SrBi_2$$Ta_2$$O_9$ thin films during post annealing and by inserting $Bi_2O_3$ layer in $SrBi_2$$Ta_2$$O_9$ thin films the effect of Bi content on the c-axis oriented growth of $SrBi_2$$Ta_2$$O_9$ thin films could be investigated without the effect of sputtering pressure. The degree of the c-axis preferred orientation of $SrBi_2$$Ta_2$$O_9$ thin films was increased with increasing with increasing Bi content by control of Bi(or $Bi_2O_3$) loss of $SrBi_2$$Ta_2$$O_9$ thin films. But the c-axis oriented growth of $SrBi_2$$Ta_2$$O_9$ thin films disappeared by the inserting of $Bi_2O_3$ lay-er in $SrBi_2$$Ta_2$$O_9$ thin films.

• 지식경영연구
• /
• 제25권1호
• /
• pp.111-134
• /
• 2024

다양한 업계에서 한 번에 여러 가지 기능을 수행하는 '다목적' 제품을 출시하는 브랜드들이 늘고 있다. 그러나 소비자들이 다목적 제품과 이를 제공하는 브랜드에 대한 인식 관련 연구는 아직 많이 이루어지지 않았다. 본 연구에서는 소비자들이 미(美) 에 대해 갖고 있는 암묵적 이론이 다목적 제품 관련 지식과 브랜드 지식에 미치는 영향을 연구한다. 외모 지향성이 높은 소비자들 사이에서, 미(美)에 대한 증가(vs. 실체) 이론(즉, 본인의 아름다움은 타고난 것이 아닌, 노력에 의해 변화시킬 수 있는 것이라는 믿음)이 강할 수록 다목적 제품에 대한 선호도가 감소한다는 것을 발견하였다. 또한, 이는 전반적인 브랜드 평가에도 부정적인 영향을 미치는 것으로 나타났다. 이 연구 결과는 제품/브랜드 관련 지식경영에 있어, 소비자들의 암묵적 이론과 그에 따른 선호도를 고려해야 한다는 것을 시사한다.

• 대한전기학회:학술대회논문집
• /
• 대한전기학회 1998년도 추계학술대회 논문집 학회본부 C
• /
• pp.801-803
• /
• 1998

We investigated Pt and $RuO_2$ as a bottom electrode and PZT thin film for ferroelectric applications. XRD examination shows that a mixed phase of (111) and (200) Pt peak for the temperature ranged from RT to $200^{\circ}C$, and a preferred (111) orientation for the substrate temperature of $300^{\circ}C$. From the XRD and AFM results, we recommend the substrate temperature of $300^{\circ}C$, 80 W for the Pt bottom electrode growth. From the study of an oxygen partial pressure from 0 to 50%, we learned that only Ru metal was grown with $0{\sim}5%$, a mixed phase of Ru and $RuO_2$ for $10{\sim}40%$, pure $RuO_2$ at 50%. Having optimized the bottom electrode growth conditions, we employed two step process in PZT film capacitor: PZT film growth at the low substrate temperature of $300^{\circ}C$ and then post RTA anneal treatments. PZT films were randomly oriented on $RuO_2$ and (110) preferentially oriented on Pt electrode. Leakage current density of PZT film demonstrated two to three orders higher for $RuO_2$ bottom electrode. From C-V results we observed a dielectric constant of PZT film higher than 1200. This paper presents the optimized process conditions of the bottom electrodes and properties of PZT thin films on these electrodes.

• 한국재료학회지
• /
• 제2권6호
• /
• pp.417-427
• /
• 1992

저압화학기상증착(LPCVD)법에 의해 비정질 실리콘 박막을 증착한 후, 자기 이온주입 (self-implantation)과 저온 열처리에 의해 결정화와 입자성장을 유도하였다. 그리고 여러가지 공정변수의 변화에 따른 결정화 양상을 관찰함으로써 최적의 물리적 성질 즉, 입자크기 및 분포를 갖는 공정조건을 도출하였다. 다결정 성장막의 균일성은 광학현미경 분석에 의존하였으며, 이를 위해 KOH : (IPA) : $H_2$O $K_2$C${r_2}{O_7}$, 에칭용액을 개발하였다. 비정질 박막의 결정화 양상에 있어서는 XRD와 TEM 분석결과 결정들이 (111) 우선방위를 갖고 수지상(dendrite) 형태로 성장하였으며, 이온 주입량의 증가에 따라 입자 크기는 증가하였다. 최대 입자는 3${\times}{10^{15}}$c$m^2$의 농도로 Si 이은주입한 비정질 Si박막을 55$0^{\circ}C$에서 40시간 이상 결정화시켜 얻었으며, 이때의 최대 입자크기는 3.2${\mu}$m로 측정되었다.

• Nuclear Engineering and Technology
• /
• 제52권2호
• /
• pp.337-343
• /
• 2020

Oxide dispersed strengthened (ODS) steel is an important candidate for Gen-IV reactors. Oxide embedded in Fe can help to trap irradiation defects and enhances the strength of steel. It was observed in this study that the size of oxide has a profound impact on the depinning mechanism. For smaller sizes, the oxide acts as a void; thus, letting the dislocation bypass without any shear. On the other hand, oxides larger than 2 nm generate new dislocation segments around themselves. The depinning is similar to that of Orowan mechanism and the strengthening effect is likely to be greater for larger oxides. It was found that higher shear deformation rates produce more fine-tuned stress-strain curve. Both molecular dynamics (MD) simulations and BKS (Bacon-Knocks-Scattergood) model display similar characteristics whereby establishing an inverse relation between the depinning stress and the obstacle distance. It was found that (110)_oxide || (111)_Fe (oriented oxide) also had similar characteristics as that of (100)_oxide || (111)_Fe but resulted in an increased depinning stress thereby providing greater resistance to dislocation bypass. Our simulation results concluded that critical depinning stress depends significantly on the size and orientation of the oxide.

• 한국진공학회:학술대회논문집
• /
• 한국진공학회 1999년도 제17회 학술발표회 논문개요집
• /
• pp.79-79
• /
• 1999

The varous techniques for fabrication of si or metal tip as a field emission electron source have been reported due to great potential capabilities of flat panel display application. In this report, 240nm thermal oxide was initially grown at the p-type (100) (5-25 ohm-cm) 4 inch Si wafer and 310nm Si3N4 thin layer was deposited using low pressure chemical vapor deposition technique(LPCVD). The 2 micron size dot array was photolithographically patterned. The KOH anisotropic etching of the silicon substrate was utilized to provide V-groove formation. After formation of the V-groove shape, dry oxidation at 100$0^{\circ}C$ for 600 minutes was followed. In this procedure, the orientation dependent oxide growth was performed to have a etch-mask for dry etching. The thicknesses of the grown oxides on the (111) surface and on the (100) etch stop surface were found to be ~330nm and ~90nm, respectively. The reactive ion etching by 100 watt, 9 mtorr, 40 sccm Cl2 feed gas using inductively coupled plasma (ICP) system was performed in order to etch ~90nm SiO layer on the bottom of the etch stop and to etch the Si layer on the bottom. The 300 watt RF power was connected to the substrate in order to supply ~(-500)eV. The negative ion energy would enhance the directional anisotropic etching of the Cl2 RIE. After etching, remaining thickness of the oxide on the (111) was measured to be ~130nm by scanning electron microscopy.

• 한국재료학회지
• /
• 제5권7호
• /
• pp.820-828
• /
• 1995

초청정 Si 기판위에 Ti을 증착하여 형성시킨 Ti-silicide의 상전이와 각상의 표면 및 계면형상을 Ti 증착두께, 열처리 온도, 기판의 방위에 따라 조사하였다. 초 고진공 챔버에서 각각 400$\AA$ 및 200$\AA$의 Ti를 50$0^{\circ}C$부터 90$0^{\circ}C$까지 10$0^{\circ}C$간격으로 가열되어 있는 Si(100) 및 Si(111) 기판에 증착하여 Ti-silicide를 형성하였다. 형성된 Ti-silicide를 XRD, SEM, TEM으로 상전이와 각상의 표면 및 계면 형상을 관찰하였다. 관찰결과 C49에서 C54상으로의 상전이 온도는 $650^{\circ}C$정도이었고, 기판의 방위와 박막의 증착 두께에 따라 상전이 온도의 변화가 관찰되었으며, 이 상전이 온도의 변화를 표면에너지와 체적에너지에 기초를 둔 고찰을 통해 설명하였다. 그리고 C49상은 증착한 박막에서의 Si 원자의 비균질한 확산 특성으로 인해 거친 계면을 나타내고 있으나, C54상은 비교적 균질한 계면을 나타내고 있으며 응집화에 의해 island가 형성된 것이 관찰되었다.

• 한국진공학회지
• /
• 제12권2호
• /
• pp.123-129
• /
• 2003

다공질 실리콘(PS)기판 위에 rf-스퍼터링법으로 10~40 nm의 두께의 반 투과성 구리박막을 증착하였다. PS는 p형 (100) 실리콘 웨이퍼를 기판으로 50㎃/$\textrm{cm}^2$의 전류밀도를 사용하여 전해 에칭법으로 양극 산화하여 제작하였다. PS층과 Cu박막의 미세구조를 분석하기 위하여 SEM, AFM 그리고 XRD 분석을 시행하였다. AFM 분석결과 Cu 박막의 RMS roughness 값은 약 1.47nm로 Volmer-Weber 유형의 결정립 성장을 보였으며, 결정립의 성장은 (111) 배향성을 나타냈다. PS층의 PL 스펙트럼은 blue green 영역에서 관찰되었고, Cu 박막 증착 후 0.05eV의 blue shift가 나타났으며, 약간의 강도저하를 보였다. PS/Cu접합구조의 FTIR스펙트럼은 주 피크변화는 없으나 전반적인 강도의 감소를 보였다. I-V 특성곡선으로 본 PS/Cu 접합구조는 ideality factor가 2.77이고 barrier의 높이가 0.678eV인 Schottky 유형의 다이오드 특성을 보였다. PS/Cu 접합구조로 만든 다이오드 제조로 EL특성을 관찰할 수 있었다.

• 한국진공학회지
• /
• 제6권1호
• /
• pp.28-35
• /
• 1997

급속열처리에 따른 (hfac)Cu(VTMS)구리원으로 증착한 구리 박막의 특성개선 효과 와 TiN층의 확산방지 특성의 변화를 고찰하였다. 구리 박막의 특성 변화는 열처리 시간보 다 열처리 온도의 변화에 더 민감하며, 후열처리에 의해 Cu/TiN구조의 전기적 특성과 더불 어 미세구조 변화가 뚜렷하게 나타났다. $400^{\circ}C$이상에서 면저항의 증가가 시작되어 $600^{\circ}C$이 상에서 구리와 TiN의 상호 반응과 구리박막 표면에서의 산화물 형성이 관찰되었다. 후열처 리에 의한 결정립 성장은 (111)배향을 나타내었고, $500^{\circ}C$에서 결정립의 성장이 가장 활발하 게 나타났다. MOCVD-Cu/PVD-TiN구조에서 TiN층의 확산방지 특성을 충분히 유지시키면 서 구리 박막의 전기적 특성을 개선시킬 수 있는 열처리 공정 온도는 $400^{\circ}C$정도가 적정한 것으로 판단되었다.

• 한국표면공학회지
• /
• 제51권1호
• /
• pp.62-70
• /
• 2018

Sulfamate plating solution containing a small amount of chloride bath was fabricated to study the properties of the electrodeposited Ni thin films. Effects of the changes of current density and additive concentration on current efficiency, residual stress, surface morphology and microstructure of Ni thin films electrodeposited from Ni sulfamate-chloride baths were investigated. The current efficiency was measured to be more than about 95%, independent of the changes of current density and saccharin concentration in the baths. Residual stress of Ni thin film was appeared to be the compressive stress modes in the range of $5{\sim}30mA/cm^2$ current density. Maximum compressive stress was observed at the current density of $10mA/cm^2$. Compressive stress values of Ni thin/thick films were increased to be about -85~-100 MPa with increasing saccharin concentration from 0 to 0.0195 M(4 g/L). Surface morphology was changed from smooth to nodule surface appearance with increasing the current density. Smooth surface morphology of Ni thin films electrodeposited from the baths containing saccharin was observed, independent of the saccharin concentration. Ni thin/thick films consist of FCC(111), FCC(200), FCC(220), FCC(311) and FCC(222) peaks. It was revealed that the FCC(200) peak of Ni thin films is the preferred orientation in the range of $5{\sim}30mA/cm^2$ current density. The intensity of FCC(200) peak was gradually decreased and the intensity of FCC(111) peak was increased with increasing saccharin concentration in the baths.