• 한국재료학회지
• /
• 제13권7호
• /
• pp.478-483
• /
• 2003

The crystallographic characteristics of the $(Bi, La)_4$$Ti_3$$O_{12}$ thin film, which is considered as an applicable dielectrics in the ferroelectric RAM device due to a low crystallization temperature and a good fatigue property, were investigated at the atomic scale by high resolution transmission electron microscopy and the high resolution Z-contrast technique. The analysis showed that a (00c) preferred orientation and a crystallization of the film were enhanced with the diffraction intensity increase of the (006) and (008) plane as the annealing temperature increased. It indicated a change of the atomic arrangement in the (00c) plane. Stacking faults on the (00c) plane were also observed. Through the comparison of the high-resolution Z-contrast image and the $Bi_4$$Ti_3$$O_{12}$ atomic model, it was evaluated that the intensity of the Bi atom was different according to the atomic plane, and it was attributed to a substitution of La atom for Bi at the specific atom position.

• 한국정밀공학회지
• /
• 제21권11호
• /
• pp.69-74
• /
• 2004

This paper presents ESPI system for the measurement of thermal expansion coefficient of STS430 up to 1,00$0^{\circ}C$ . Existing methods, strain gauge and moire have the limitation of contact to object and do not supply the coefficient up to 80$0^{\circ}C$ . There needs to measure the data up to 80$0^{\circ}C$, because heat resistant materials have high melting temperature up to 1,000'E In previous studies related to thermal strain analysis, the quantitative results have not reported by ESPI at high temperature, yet. In-plane ESPI and vacuum chamber for the reduction of air turbulence and oxidation are designed for the measurement of the coefficient up to 1,00$0^{\circ}C$ and speckle correlation fringe pattern images are processed by commercial image filtering tool-smoothing, thinning and enhancement- to obtain quantitative results, which is compared with references data. The comparison shows two data are agreed within 4.1% blow $600^{\circ}C$ however, there is some difference up to $600^{\circ}C$. Also, the incremental ratio of the coefficient is changed up to 80$0^{\circ}C$ . The reason is the phase transformation of STS430 probably begins at 80$0^{\circ}C$

• 한국자기학회지
• /
• 제14권3호
• /
• pp.94-98
• /
• 2004

MgCCo$_3$에서 Mg와 Co로 이루어진 (001)표면(MgCo-Term) 또는 C와 Co로 이루어진 (001표면(CCo-term)의 전자구조와 자성을 FLAPW 에너지띠 방법을 이용하여 이론적으로 계산하였다. MgCo-Term의 경우 표면에서 Co원자의 자기모멘트는 1.00$\mu$$_{B}$로서 가운데층에 비하여 많이 증가하였고 표면 바로 밑층에서는 가운데층과 비슷한 값을 보였다. CCo-Term의 경우 Co원자의 자기모멘트는 표면에서 뿐만 아니라 표면 바로 밑층에서도 증가하여 각각 0.75와 0.80$\mu$$_{B}$의 값을 나타내고 있다. C와 Mg원자는 두 경우 모두 Co원자와 반대방향으로 스핀분극되었다. 계산된 상태밀도로부터 이러한 표면에서의 자기모멘트의 증가는 Co-3d 띠의 국소화에 의함을 알 수 있었고 여기서 Co-3d와 C-2p 사이의 띠 혼성이 중요한 역할을 하였다.

• 대한수학회지
• /
• 제42권4호
• /
• pp.723-747
• /
• 2005

In this paper, we consider the quartic moment problem suggested by Curto-Fialkow[6]. Given complex numbers $\gamma{\equiv}{\gamma}^{(4)}\;:\;{\gamma00},\;{\gamma01},\;{\gamma10},\;{\gamma01},\;{\gamma11},\;{\gamma20},\;{\gamma03},\;{\gamma12},\;{\gamma21},\;{\gamma30},\;{\gamma04},\;{\gamma13},\;{\gamma22},\;{\gamma31},\;{\gamma40}$, with ${\gamma00},\;>0\;and\;{\gamma}_{ji}={\gamma}_{ij}$ we discuss the conditions for the existence of a positive Borel measure ${\mu}$, supported in the complex plane C such that ${\gamma}_{ij}=\int\;\={z}^i\;z^j\;d{\mu}(0{\leq}i+j{\leq}4)$. We obtain sufficient conditions for flat extension of the quartic moment matrix M(2). Moreover, we examine the existence of flat extensions for nonsingular positive quartic moment matrices M(2).

• 대한수학회보
• /
• 제37권1호
• /
• pp.91-102
• /
• 2000

Let ${\gamma}{\equiv}{\gamma}^{(2n)}$ denote a sequence of complex numbers ${\gamma}{00},{\gamma}{01},\cdots,{\gamma}0, 2n,...,{\gamma}{2n},0\;with\; {\gamma}{00}\;>\;0,{\gamma}{ji}={{\overline}{\gamma_{ij}}}$,and let K denote a closed subset of the complex plane C. The truncated K complex moment problem entails finding a positive Borel measure $\mu$ such that ${\gamma}{ij}={\int}{{\overline}{z}}^{i}z^{j}d{\mu}\;(0{\leq}\;i+j\;{\leq}\;2n)$ and supp ${\mu}{\subseteq}\;K$. If n=2, then is called the quartic moment problem. In this paper, we give partial solutions for the singular quartic moment problem with rank M(2)=5 and ${{\overline}{Z}}Z{\in}\;<1,Z,{{\overline}{Z}},Z^{2},{{\overline}{Z}}^2>$.

• 한국초전도ㆍ저온공학회논문지
• /
• 제4권2호
• /
• pp.5-10
• /
• 2002

Deposition condition of NiO that is one of Possible buffer layers for YBCO coated conductors was studied. NiO was deposited on textured Ni substrates by a MOCVD (metal-organic chemical vapor deposition) method. The degree of texture, and the surface roughness were analyzed by X-ray Pole figure, atomic force microscope and scanning electron microscope. The (111) and (200) textures were competitively developed , depending on an oxygen partial Pressure(PO2) and deposition temperature (Tp). The (200) textured NiO layer was deposited at Tp=450~47$0^{\circ}C$ and PO2= 1.67 Torr Out-of-Plane ($\omega$-scan) and in-plane ($\Phi$-scan) textures of the (200) NiO films were as good as 10.34$^{\circ}$ and 10.00$^{\circ}$ respectively The AFM surface roughness of NiO was in the range of 3~4.5 nm at PO2=0.91~3.34 Torr and at Tp=47$0^{\circ}C$ , and in the range of 3~13 nm at TP=450~53$0^{\circ}C$ and at PO2=1.67 Torr.

• 한국초전도저온공학회:학술대회논문집
• /
• 한국초전도저온공학회 2002년도 학술대회 논문집
• /
• pp.119-122
• /
• 2002

The NiO buffer layers for YBCO coated conductor were prepared on textured Ni substrates by MOCVD method and the degree of texturizing and the surface roughness were analyzed X-ray pole figure and AFM and SEM. Processing variables were oxygen partial pressure and substrate temperature. (200) textured NiO layer was formed at 450~$470^{\circ}C$ and oxygen partial pressure of 1.67 Torr. Out-of-plane($\omega$-scan) and in-plane($\Phi$-scan) texture were $10.34^{\circ}$ and $10.00^{\circ}$ respectively. The surface roughness estimated by atomic force microscopy was in the range of 3.1~4.6 nm.

• 한국진공학회:학술대회논문집
• /
• 한국진공학회 2011년도 제40회 동계학술대회 초록집
• /
• pp.119-120
• /
• 2011

Kawazoe는 1997년 p-type TOS를 만들기 위해서는 3가지가 충족되어야 한다고 언급한바 있다. 첫 번째, 가시광영역에서 투명하기 위해서 cation의 d10s0이 가득 차야 한다. 가득 차지 않은 d10 shell은 광 흡수가 가능하여 투과도를 떨어뜨린다. N-type을 예로 들어 ZnO, TiO, In2O3가 각각 Zn2+, Ti4+, In3+가 되어 d shell을 가득 차게 만드는 것을 볼 수 있다. 두 번째, cation d10s0 shell은 산소의 2p shell과 overlap 되어야 한다. 이 valence band는 홀 전도를 더욱 좋게 한다. 예를 들어 Cu1+(3d), Ag1+(4d)가 해당한다. 세 번째로, 양이온과 산소간의 공유결합을 강하게 하기 위해서 결정학적 구조는 매우 중요하다. Delafossite 구조는 산소가 pseudo-tetrahedral 구조로서 공유결합에 유리하다. 이러한 환경은 O2- (2p6)을 형성하고 홀의 이동도를 증가시킨다. 예를 들어 Cu2O의 경우 앞의 2가지를 만족시키지만 광학적 특성에서 좋지 않다. 그 이유가 3번째 언급한 결정학적인 요인에 있다. 결정 계의 환경은 Cu2O를 따라가면서 3차원적인 연결을 2차원적으로 변형된 delafossite 구조에서는 quantum well이 형성되어 band gap이 커진다. 본 연구에서는 전기적 이방성을 가지고 있는 delafossite CuCrO2 상에서 우선배향을 일으키는 인자 중 기판을 변화시켜 실험을 진행하였다. 결과적으로 기판변화를 통해 우선배향조절이 가능하였으며 CuCrO2 박막을 시켰으며, 결정방향에 따른 전기적 물성의 이방성에 관한 연구는 계속 진행 중에 있다. c-plane sapphire 기판위에는 [00l]로 성장하는 반면, c-plane STO 기판 위에는 [015] 방향으로 성장하는 것을 확인하였다. 이러한 원인은 기판과 증착되는 박막간의 mismatch를 최소화 하여 strain을 줄이고, 계면에서의 Broken boning 수를 줄여 계면에너지를 낮추는 방법이기 때문일 것으로 예상된다. C-plane sapphire 기판위에 증착될 경우 증착온도가 증가함에 따라 c-축으로의 성장이 온전해지며 이에 따라 캐리어농도의 감소와 모빌리티의 증가가 급격하게 변하는 것을 확인할 수 있다. 반면 c-plane STO 기판에서는 증착온도에 따른 박막의 배향변화가 없으며 전기적 물성 변화 또한 비교적 작은 것을 간접적으로 확인하였다.

• Nuclear Engineering and Technology
• /
• 제18권3호
• /
• pp.218-227
• /
• 1986

가상적인 냉각제 상실 사고시의 조건하에 일어날 수 있는 취약화 현상에 대한 자료를 얻기 위하여 고온의 수중기 분위기에서 Zircaloy-4 핵연료피복관의 산화거동과 기계적성질 변화에 대한 연구를 수행하였다. 시편은 캔두형핵연료 피복관으로 사용되는 질칼로이 튜브를 사용하였으며 냉각제 상실 사고시 야기될 수 있는 수중기 분위기속 90$0^{\circ}C$와 1,00$0^{\circ}C$에서 유지시간을 변경하여 가면서 산화시켰다. 질칼로이 피복관의 표면과 내부에서 ZrO$_2$ 및 $\alpha$상의 형성속도 E는 온도와 시간의 함수인 E=1.1√Dt+0.002로 나타났다. 여기서 D는 온도에 의존하는 화산계수임. 시편에 대한 인장강도, 후프강도 및 연신율을 측정한 결과 단시간 산화된 시편의 인장강도는 원래의 피복관에 비해 처음에는 약간 증가하다가 계속되는 유지 시간에 따라 감소하였다. 후프강도는 유지 시간에 따라 많이 감소하지 않았으며 외경 방향의 인장율을 급격히 감소하였다. 피복관의 선택 방위 측정 결과 원래의 피복관 입자는 대부분이 기저면(0001)에 대한 극축이 외경 방향에 평행하게 놓였었으나 1,00$0^{\circ}C$에서 열처리한 경우는 극축이 외경 방향에 수직으로 변경됨을 알 수 있었으며 이러한 결정면의 방위분포 결과가 후프강도의 유지에 기여하는 것으로 추측되었다.

• 한국추진공학회:학술대회논문집
• /
• 한국추진공학회 2008년 영문 학술대회
• /
• pp.160-167
• /
• 2008

The effects of squealer rim height on three-dimensional flows and aerodynamic losses downstream of a high-turning turbine rotor blade have been investigated for a typical tip gap-to-chord ratio of h/c=2.0%. The squealer rim height-to-chord ratio is changed to be $h_{st}/c$=0.00(plane tip), 1.37, 2.75, 5.51, and 8.26%. Results show that as $h_{st}/c$ increases, the tip leakage vortex tends to be weakened and the interaction between the tip leakage vortex and the passage vortex becomes less severe. The squealer rim height plays an important role in the reduction of aerodynamic loss when $h_{st}/c{\leq}2.75%$. In the case of $h_{st}/c{\geq}5.51%$, higher squealer rim cannot provide an effective reduction in aerodynamic loss. The aerodynamic loss reduction by increasing $h_{st}/c$ is limited only to the near-tip region within a quarter of the span from the casing wall.