• 한국축산식품학회지
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• 제28권1호
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• pp.27-31
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• 2008

본 연구는 사료내 형태별 구리와 아연 첨가가 비육돈의 생산성, 영양소 소화율 도체 및 육질 특성에 미치는 영향을 알아보기 위해 실시하였다. 3원 교잡종(Landrace x Yorkshire x Duroc) 비육돈 64두를 공시하였으며, 시험개시 시의 체중은 55.60 kg이었다. 1) 무기태 구리 $(CuSO_4{\cdot}5H_2O$ 30 ppm), 2) 유기태 구리(Cu-methionine, 30 ppm), 3)무기태 아연(ZnO, 80 ppm) 및 4) 유기태 아연(Zn-methionine, 80 ppm)으로 4개 처리를 하여 처리당 4반복, 반복당 4두씩 완전임의 배치하였다. 0-5주 동안 일당 사료 섭취량은 무기태 아연 처리구가 유기태 구리 및 아연 처리구와 비교하여 유의적으로 높게 나타났다(p<0.05). 그러나 전체 시험기간 동안 일당 증체량, 사료 섭취량 및 사료 요구율은 처리구간에 유의적인 차이를 보이지 않았다(p>0.05). 시험 5주째의 건물 및 질소 소화율은 처리구간에 유의적인 차이를 보이지 않았으나(p>0.05), 시험 10주째의 건물 및 질소 소화율은 유기태 아연을 첨가한 처리구가 다른 처리구와 비교하여 유의적으로 낮게 나타났다(p<0.05). 육의 pH는 Cu-Met처리구가 아연을 첨가 급여한 처리구와 비교하여 유의적으로 높게 나타났으며, 관능검사에서 육색은 Cu-met과 $CuSO_4$ 처리구가 Zn-met과 ZnO처리구와 비교하여 유의적으로 높게 나타났고(p<0.05), 근내지방도는 Cu-met 처리구가 다른 처리구와 비교하여 유의적으로 낮게 나타났으며(p<0.05), 경도에 있어서는 Zn-met 처리구가 유기태 구리 및 무기태 아연 처리구와 비교하여 유의적으로 높게 나타났다(p<0.05). 결론적으로 환경오염을 야기 시키는 무기태 구리 및 아연의 첨가 대신 유기태 구리 및 아연의 첨가는 성장 능력, 등심 단면적 및 육색에 영향을 미치지 않았다.

• 보존과학회지
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• 제35권4호
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• pp.373-383
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• 2019

We characterized the smelting process and smelting furnace through scanning electron microscopy-energy dispersive spectroscopy, wavelength dispersive X-ray fluorescence, X-ray diffraction, and raman micro-spectroscopy with 13 relics including slags and furnace walls excavated from square-shaped building sites and pits of the Three Kingdoms site at the Ungyo site section I. Our results revealed that the principal components were FeO and SiO₂; and CuO, PbO, and ZnO were contained in small quantities. Furthermore, fayalite, magnetite, augite, copper, and cuprite were found. High contents of FeO or SiO₂ components seem to have been added to form fayalite to remove gangue in the smelting process. The relatively low content of S detected in the copper prills suggests that roasting was performed well. Cristobalite and mullite, which are minerals that indicate high-temperature found in the furnace wall, show that the smelting temperature was higher than 1,250℃. The findings of this study show a high possibility that the Wanju Ungyo site is smelting remains of copper ores, which are nonferrous metals, rather than iron. Various smelting byproducts excavated in this area in the future will help us better understand the copper smelting process that may have been performed since ancient times.

• 한국진공학회:학술대회논문집
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• 한국진공학회 2014년도 제46회 동계 정기학술대회 초록집
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• pp.391.2-391.2
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• 2014

Solution-processible hybrid bipolar field effect transistors (HBFETs) with balanced hole and electron mobilities were fabricated using a combination of the organic p-type poly (3-hexylthiophene) (P3HT) layer and inorganic n-type ZnO material. The hole and electron mobilities were first optimized in single layer devices by using acetonitrile as a solvent additive to process the P3HT and annealing to process the ZnO layer. The highest hole mobility of the P3HT-only-devices with 5% acetonitrile was 0.15 cm2V-1s-1, while the largest electron mobility was observed in the ZnO-only-devices annealed at $200^{\circ}C$ and found to be $7.2{\times}10-2cm2V-1s-1$. The inorganic-organic HBFETs consisting of P3HT with 5% acetonitrile and ZnO layer annealed at $200^{\circ}C$ exhibited balanced hole and electron mobilities of $4.0{\times}10-2$ and $3.9{\times}10-2cm2V-1s-1$, respectively. The effect on surface morphology and crystallinity by adding acetonitrile and thermal annealing were investigated through X-ray diffraction and atomic force microscopy (AFM). Our findings indicate that techniques demonstrated herein are of great utility in improving the performance of inorganic-organic hybrid devices

• 한국진공학회:학술대회논문집
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• 한국진공학회 2013년도 제45회 하계 정기학술대회 초록집
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• pp.200.2-200.2
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• 2013

Yttrium (Y)이 도핑 된 ZnO 나노 구조물을 수열합성법으로 제작하였다. 먼저 졸겔법으로 SiO2/Si 기판 위에 seed layer (Y-doped ZnO ; Y0.02Zn0.98O)를 제작하였으며 5번의 코팅을 진행하여 박막의 두께는 약 180 nm로 측정이 되었다. 그 후 진공 분위기에서 RTA를 이용하여 $500^{\circ}C$에서 3분간 열처리가 진행되었다. 이어서 수열합성법으로 mole 농도를 0.5~1.0 M 범위에서 변화시키며 YZO 시료를 제작하였다. X-ray diffraction (XRD)을 통해서 Y2O3 또는 결함과 관련된 피크는 관찰이 되지 않았으며, 모든 구조물에서 압축응력이 존재하는 알 수 있었으며, field emission scanning electron microscope (FESEM)에서 나노 구조물의 크기와 형태는 수열합성법의 mole 농도에 많은 영향을 받는 것으로 나타났다. Hall effect 측정을 통해서 모든 구조물은 n-type 전도 특성을 가지는 것으로 나타났다. 또한 광학적 특성인 photoluminescence (PL)에서는 수열합성법의 화학식을 고려할 때 Zn가 rich한 상태에서는 Zn interstitial로 존재하는 것으로 나타났고, mole 농도가 높아 질수록 free exciton에 의한 재결합인 UV emission이 우세하게 나타났다.

• 한국전기전자재료학회:학술대회논문집
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• 한국전기전자재료학회 2008년도 추계학술대회 논문집 Vol.21
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• pp.355-356
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• 2008

In this work, ZnO films doped with different contents of Indium (0.1at.%, 0.3at.%, 0.6at.%, respectively) were deposited on Si (111) substrate that has 1~20 $\Omega$cm by pulsed laser deposition (PLD) at $600^{\circ}C$ for 30min. The thickness of the films are about 250 nm. The structural, optical and electrical properties of the films were investigated using X-ray Diffraction (XRD), Atomic force microscope (AFM), Photoluminescence (PL) and Hall measurement. It has been found that RMS of the films is decreased and grain size is increased with increasing the contents of doped Indium. The results of the Photoluminescence properties were indicated that the films have UV emission about 380nm and shows a little red shitf with increasing contents of doped indium. The result of the Hall measurement shows that the concentration and resisitivity in doped ZnO are as changing as one order, respectively ${\sim}10^{18}/cm^2$, ${\sim}10^{-2}cm{\Omega}cm$.

• 한국지구과학회지
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• 제25권6호
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• pp.443-473
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• 2004

고흥 북부지역에는 화강암질 편마암, 반상변정질 편마암 및 미그마타이트질 편마암이 널리 분포하고 있다. 편마암류는 실리카-알카리 lUGS 분류도에 의하면 화강섬록암 영역에 해당된다. 미량원소는 $SiO_2$ 양이 증가함에 따라 Li,Zn, Sc, Sr, Ni, V, Y등 대부분이 감소하는 경향을 보인다. 사장석 성분은 안데신으로 상당한 범위($An_{32-48}$)를 보여주며 석류석 성분에서 $X_{alm}$과 $X_{sps}$은 석류석 입자의 주변부에서 높고 $X_{pyp}$는 중심부에서 높으며, XFe는 석류석 입자 주변부에서 높은 변화를 보인다. 본 역의 편마암류의 모암인 화강암류는 대륙의 동시 충돌형과 후기 조산대 및 후 조산대 영역에서 형성되었을 것으로 예상되며 S형과 I형 화성암류가 모두 나타난다. 변성작용은 저압 내지 중압형의 고온 변성작용(803-913$^{\circ}C$, 6.1-7.3kb) 받은 후 저압, 중온의 후퇴 변성작용(570-726$^{\circ}C$, 2.2-5.1 kb) 및 녹니석화 작용 등의 중첩된 후퇴 변성작용이 수반되었다.

• 한국진공학회:학술대회논문집
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• 한국진공학회 2012년도 제43회 하계 정기 학술대회 초록집
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• pp.301-301
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• 2012

Amorphous In-Ga-Zn-O (a-IGZO)는 광학적으로 투명하고 높은 전자이동도를 가지고 있어서 차세대 thin-film-transistor의 channel layer 물질로 각광받고 있다. 이러한 a-IGZO를 TFT channel layer로 사용하기 위해서는 소스 드레인 전극물질과 IGZO박막의 계면에서 ohmic contact을 만드는 것도 중요하다. 하지만 산화물 반도체의 특성상 금속물질을 증착시킬 때 산화금속계면을 형성하기 때문에 ohmic contact이 형성되기 어려운 것으로 알려져 있다. Au는 보통 전극물질로 많이 사용되는데, 이는 전기전도도가 매우 높고, 독특한 산화환원반응 특성을 보이지만, 화학반응을 잘 일으키지 않는 안정성을 가지는 성질에 기인한다. 본 연구진은 Au가 a-IGZO에 증착 시에 일어나는 표면의 화학적 상태변화를 이해하기 위해 방사광을 이용한 고분해능 광전자 분광법을 이용하여 표면변화를 분석하였다. Au는 (Au 4f) 증착 초기엔 약간의 gold oxide가 함께 형성되지만, 주로 metal gold의 형태로 존재하였다. In 3d, Ga 3d, O 1s, Zn 3d 각각의 스펙트럼에서는 Au 증착으로 인해 낮은 결합에너지에 새로운 state가 나타났다. 한편, In은 상대적으로 다른 원소들에 비해 Au와 좀 더 결합을 잘 하는 것으로 나타났는데 이는, In 5s 전자궤도가 전도메커니즘에서 중요한 역할을 하기 때문에, In-Au의 상대적인 강한 결합은 a-IGZO의 전기적 특성 변화에 기여할 수 있음을 의미한다.

• 한국전기전자재료학회:학술대회논문집
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• 한국전기전자재료학회 2008년도 추계학술대회 논문집 Vol.21
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• pp.11-11
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• 2008

ZnO has a very large exciton binding energy (60 meV) as well as thermal and chemical stability, which are expected to allow efficient excitonic emission, even at room temperature. ZnO based electronic devices have attracted increasing interest as the backplanes for applications in the next-generation displays, such as active-matrix liquid crystal displays (AMLCDs) and active-matrix organic light emitting diodes (AMOLEDs), and in solid state lighting systems as a substitution for GaN based light emitting diodes (LEDs). Most of these electronic devices employ the electrical behavior of n-type semiconducting active oxides due to the difficulty in obtaining a p-type film with long-term stability and high performance. p-type ZnO films can be produced by substituting group V elements (N, P, and As) for the O sites or group I elements (Li, Na, and K) for Zn sites. However, the achievement of p-type ZnO is a difficult task due to self-compensation induced from intrinsic donor defects, such as O vacancies (Vo) and Zn interstitials ($Zn_i$), or an unintentional extrinsic donor such as H. Phosphorus (P) doped ZnO thin films were grown on c-sapphire substrates by radio frequency magnetron sputtering with various Ar/ $O_2$ gas ratios. Control of the electrical types in the P-doped ZnO films was achieved by varying the gas ratio with out post-annealing. The P-doped ZnO films grown at a Ar/ $O_2$ ratio of 3/1 showed p-type conductivity with a hole concentration and hole mobility of $10^{-17}cm^{-3}$ and $2.5cm^2/V{\cdot}s$, respectively. X-ray diffraction showed that the ZnO (0002) peak shifted to lower angle due to the positioning of $p^{3-}$ ions with a smaller ionic radius in the $O^{2-}$ sites. This indicates that a p-type mechanism was due to the substitutional Po. The low-temperature photoluminescence of the p-type ZnO films showed p-type related neutral acceptor-bound exciton emission. The p-ZnO/n-Si heterojunction LEO showed typical rectification behavior, which confirmed the p-type characteristics of the ZnO films in the as-deposited status, despite the deep-level related electroluminescence emission.

• 한국자기학회지
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• 제5권5호
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• pp.858-863
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• 1995

$Th_{2}Zn_{17}$ 구조를 갖는 $Sm_{2}Fe_{17}$ 화합물을 이용하여 $250^{\circ}C$에서 $500^{\circ}C$까지 16시간 질화처리를 함으로써 $Sm_{2}Fe_{17}N_{x}$의 질화과정 및 질소함량에 따른 자기특성을 조사하였다. 질화초기에는 모든 온도구간에서 질소함량(${\Delta}W$)이 시간($\sqrt{t}$)에 대하여 직선적으로 증가하고, 이 관계를 이용하여 구한 질화과정의 활성화에너지, Q=102.4 kJ/mol이다. $Sm_{2}Fe_{17}N_{x}$의 자기특성은 질소함량에 크게 의존하며 $Sm_{2}Fe_{17}N_{2.8}$이 최적의 자기특성을 나타내었다. 이 질화물의 포화자화, 이방성상수, 이방성자장 및 큐리온도는 각각 $M_{s}=1147\;emu/cm^{3},\;K_{1}=4.6{\times}10^{7}erg/cm^{3},\;K_{2}=6.0{\times}10^{7}erg/cm^{3},\;H_{A}=290\;kOe\;및\;450^{\circ}C$이다.

• 한국결정학회지
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• 제13권1호
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• pp.17-20
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• 2002

[Zn(L)₂(H₂O)₄] (1) (L = isonicotinate) 착물을 합성하고 구조를 규명하였다 이 착물은 삼사정계, 공간군 P1, a = 6.9062(4) , b = 9.2618(7) , c = 6.3313(3) , α = 104.986(6)°, β = 112.865(4)°, γ = 96.213(6)°, V : 350.41(4) ³, Z = 1로 결정화 되었다. 이 착물의 구조는 최소자승법으로 정밀화하였으며, 최종신뢰도 R₁(wR₂)값은 1225개의 회절반점에 대하여 0.0209및 0.0591이었다. Zn 원자의 배위환경은 isonicotinate 리간드가 서로 trans에 위치한 팔면체 구조를 갖는다 . 또한 화합物 1은 수소결합에 의한 이차원의 사슬 구조로 연결되어 있다