Kwak, Jun Young;Hwang, Tai Kyung;Jung, Young Hee;Park, Juyun;Kang, Yong-Cheol;Kim, Yeong Il
대한화학회지
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제62권2호
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pp.118-123
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2018
The hexagonal tungsten bronze $Cs_xWO_3$ nanoparticle was synthesized by a chemical coprecipitation method of ammonium tungstate and $Cs_2CO_3$ in acidic condition. This synthetic method for cesium tungsten bronze is reported for the first time as far as we know. The synthesized $Cs_xWO_3$ as precipitated showed a weak crystallinity of hexagonal unit cell with a crystallite size of about 4 nm without annealing. When the synthesized $Cs_xWO_3$ was annealed in $N_2$ atmosphere, the crystallinity and crystallite size systematically increased maintaining the typical hexagonal tungsten bronze structure as the annealing temperature increased. The analyzed Cs content in the bronze was about 0.3 vs W, which is very close to the theoretical maximum value, 1/3 in cesium tungsten bronze. According to XPS analysis, the reduced tungsten ions existed as both the forms of $W^{5+}$ and $W^{4+}$ and the contents systematically increased as the annealing temperature increased up to $800^{\circ}C$. The $Cs_xWO_3$ thin films on PET substrate were also prepared by a wet-coating method using the ball-milled solution of the annealed $Cs_xWO_3$ nanoparticles at various temperatures. The near-infrared shielding property of these thin films increased systematically as the annealing temperature increased up to $800^{\circ}C$ as expected with the increased contents of reduced tungsten ions.
Chemical mechanical polishing (CMP) process is one of the most useful methods for improving the surface roughness of films. The effects of CMP on the surface morphology of WO$_3$ films prepared by RF sputtering system were investigated in this paper. A removal rate of films increased, and the uniformity performance of surface decreased with the addition of an oxidizer to the tungsten slurry. Non-uniformity performance of surface was superior as its value was below 5 % when oxidizers of 5.0 vol% and 2.5 vol%, respectively, were added to the tungsten slurry. The optimized oxidizer concentration, reflected both the improved roughness values and hillock-free surface with the good uniformity performance, was 5.0 vol% as an atomic force microscopy(AFM) analysis of thin film topographies. Our CMP results will be a useful reference for advanced technology of thin films for gas sensor applications in the near future.
$Dy^{3+}$ and $Eu^{3+}$-codoped $SrWO_4$ phosphor thin films were deposited on sapphire substrates by radio frequency magnetron sputtering by changing the growth and thermal annealing temperatures. The results show that the structural and optical properties of the phosphor thin films depended on the growth and thermal annealing temperatures. All the phosphor thin films, irrespective of the growth or the thermal annealing temperatures, exhibited tetragonal structures with a dominant (112) diffraction peak. The thin films deposited at a growth temperature of $100^{\circ}C$ and a thermal annealing temperature of $650^{\circ}C$ showed average transmittances of 87.5% and 88.4% in the wavelength range of 500-1100 nm and band gap energy values of 4.00 and 4.20 eV, respectively. The excitation spectra of the phosphor thin films showed a broad charge transfer band that peaked at 234 nm, which is in the range of 200-270 nm. The emission spectra under ultraviolet excitation at 234 nm showed an intense emission peak at 572 nm and several weaker bands at 479, 612, 660, and 758 nm. These results suggest that the $SrWO_4$: $Dy^{3+}$, $Eu^{3+}$ thin films can be used as white light emitting materials suitable for applications in display and solid-state lighting.
The photoinduced hydrophilicity of $TiO_2/WO_3$ double layer films was fabricated by using a conventional rf-magnetron sputtering method. The photoinduced hydrophilic reaction of the $TiO_2$ surface was enhanced by the presence of $WO_3$ under the $TiO_2$ layer by irradiation of a 10 W cylindrical fluorescent light bulb. However, when the $TiO_2$ and $WO_3$ layers were separated by an insulating layer, the surface did not appeared high hydrophilic, under the same light bulb. The enhanced photoinduced hydrophilic reaction can be explained by the charge transfer between $TiO_2$ and $WO_3$ layers. It was also demonstrated that visible light passing through the $TiO_2$ layer could excite $WO_3$. Thus, visible light can be used for the hydrophilic reaction in the present $TiO_2/WO_3$ system.
Using the R/V converting circuit, hydrogen detecting characteristics of the $WO_3$ films were investigated. The R/V converting circuit is configured with the equivalently constant current driving method connecting an unknown resistor to be measured in the feedback loop of the or-amr rather than using a separated constant current circuit. The response time of the reference voltage for the R/V converting circuit was simulated by the circuit simulator "SABER", and it was found that the response time in the high resistance range become longer and the error amounts to 10%. From the simulation results. replacing the capacitor in the feedback loop of the second stage or-amp with a 0.001uF capacitor, when measuring in the high resistance range, the response characteristics are remarkably improved. The response time was shortened from about 10 seconds to below 1 second. Using this circuit, the effect of $WO_3$ films deposited by sputtering method on hydrogen was measured.
The electrochromic characteristics of tungsten oxide films are largely affected by deposition conditions, such as substrate temperature and gas flow rate and also post-annealing. We have considered gas flow rate and temperature as important factors having an effect on an electrical, optical phenomenon and structural variation of $WO_3$ . The tungsten oxide films were deposited onto ITO(20$\Omega\box$, 1000$\AA$) using rf magnetron sputtering method. In particular, the films deposited at room temperature were annealed at various temperatures in air. All specimens had crystal structure except one being deposited at room temperature with nearly amorphous-like structure. The specimen deposited at $100^{\circ}C$ had a structure in which the increase in deposition temperature. The specimen deposited at $100^{\circ}C$ had a structure in which the cations$(Li^+)$ are easily movable because of void boundaries induced by regularly arrayed large grains. The specimen deposited at $300^{\circ}C$ had a dense structure with small grains but it exhibited the large mobility and charge density in $WO_3$ because of distinct grain boundaries.
졸겔법 및 진공증착법으로 $WO_3$ 및 $V_2O_5$ 박막을 제조하고, 리튬이온을 이용하여 전기변색 소자를 제작한 후 광학적 특성을 조사하였다. 측정결과 졸겔법으로 제조된 $WO_3$ 박막과 $V_2O_5$ 박막을 수증기 분위기에서 $500^{\circ}C$로 1시간 열처리한 경우 가장 우수한 투과율 변화량을 나타내었다. 정.역방향 동작을 거듭할수록 $WO_3$막의 텅스텐과 ITO막의 인듐이 상호 확산하는 것을 관찰할 수 있었으며 이를 방지하기 위해 수백 $\AA$의 텅스텐 박막을 ITO와 $WO_3$막 사이에 삽입한 결과, cyclic voltamogram의 peak의 감소량이 1/10 이하로 감소하였으며, 리튬이온의 흐름에 의한 인듐과 텅스텐의 이동을 효과적으로 방지할 수 있었다.
ITO투명전극/WO$_3$박막/LiClO$_4$-PC/백금 대향전극 구조를 갖는 일렉트로 크로믹 소자를 구성하여 WO$_3$박막의 일렉트로크로믹 특성을 조사하였다. WO$_3$박막의 coloration의 LiClO$_4$-PC 유기전해질과 ITO 투명전극으로부터 Li$^{+}$이온과 전자들의 이중주입에 의하여 청색으로 나타났으며, 전기화학전인 산화반응에 의하여 bleaching 현상이 가역적으로 일어났다. Coloration 과 bleaching 현상, 광학밀도, 구동전압 및 응담속도등의 일렉트로크로믹 특성은 WO$_3$ 박막의 성장 조건, WO$_3$박막 두께, ITO 투명전극의 sheet resistance, 대향전극 및 인가전압에 크게 의존하는 것으로 밝혀졌다.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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