Facet Growth of InGaAs on GaAs(100) by Chemical Beam Epitaxy Using Unprecracked Monoethylarsine (GaAs(100) 기판에 사전 열분해하지 않은 Monoethylarsine을 사용하는 Chemical Beam Epitaxy방법에 의한 InGaAs박막의 Facet 성장에 관한 연구)
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- Journal of the Korean Vacuum Society
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- v.5 no.3
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- pp.199-205
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- 1996