Abstract
InGaAs eqitaxial layers have been selectively grown on patterned GaAs(100) substrates by chemical beam epitaxy (CBE) using triethylgallium (TEGa), trimethylindium (TMIn), and unprecracked monoethylarsine (MEAs). Facet growth of InGaAs epilayers has also been investigated at the various growth temperatures and Si4N4 dielectric pattern directions. In [011] jirection of mask, the change from (311), (377) and (111) facets to (311) facet with increasing growth temperature was observed. In [011] direction, however, the change from (011) and (111) facets to (111) facet with increasing growth temperature was observed. These results are attributed to the sidewall growth caused by different surface migration lengths of reactants. The formation of U-shaped (100) top surface is also discussed in terms of dangling bond model.
InGaAs 박막의 facet 성장을 연구하기 위하여 triethygallium(TEGa), trimethylindium (TMIn)과 사전 열분해하지 않은 monoethylarsine (MEAs)을 사용하여 chemical beam epitaxy (CBE) 법으로 InGaAs 박막을 선택적으로 성장시켰다. 성장 온도와 패턴의 방향에 따라 facet 형성이 매우 다르게 나타났다. 마스크를 [11] 방향으로 제작한 기판에서는 facet의 면이 (311), (377)과 (11)의 여러 면이 형성되었으나 성장 온도가 올라감에 따라 (311)한 면으로 발전하였다. 또한 마스크를 [011]방향으로 하였을 때는, 성장 온도가 증가함에 따라 facet은 (11)h가 (111)면에서 (111)면으로 변하였다. 이러한 결과들은 측면에서 원료가스의 표면 이동 거리가 성장 온도에 따라서 변화하는 차이에 기인하는 것으로 믿어진다. U자 형태를 가지는 (100)의 윗면은 간단한 dangling bond 모형으로 설명할수 있었다.
