• 제목/요약/키워드: $TiO_2/SiO_2$

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Fabrication of multicolor photochromic thin film

  • Kang, Bonghoon
    • Journal of Ceramic Processing Research
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    • 제13권spc2호
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    • pp.373-376
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    • 2012
  • Thin films of Ag-SiO2-TiO2 composite oxides with SiO2/TiO2 of 20/80 molar compositions were prepared by the sol-gel method, using tetraethylorthosilicate (TEOS) and titanium isopropoxide (TIP) as precursors. Ag-SiO2-TiO2 films coated on commercial glass substrates have successfully been synthesized using sol-gel method. The Ag-SiO2-TiO2 film with 0.5% Ag-added concentration and 20 mol% SiO2-mixture gives optimal results on crystalline structure, optical property, surface area, and photochromic property. Absorption near the wavelength of the incident light decreased gradually. The reversibility of the two-photon writing process in Ag-SiO2-TiO2 film is clearly seen.

TiO2/SiO2 박막 코팅에 의한 폴리카보네이트 특성 개선 (Improvement of Polycarbonate Properties by Coating of TiO2 and SiO2 Thin Film)

  • 원동수;이원규
    • 공업화학
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    • 제25권1호
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    • pp.41-46
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    • 2014
  • 폴리카보네이트의 표면에 무기계 $SiO_2$ 박막을 바인더로 코팅한 후 광촉매 특성을 갖는 $TiO_2$ 박막을 추가로 형성하여 모재의 특성을 향상시키는 연구가 수행되었다. 바인더로 사용되는 $SiO_2$ 박막은 광투과 특성이 우수하며, 상압플라즈마처리를 통한 친수성의 증가로 $TiO_2$ 함유 수용액의 도포성을 향상시켜 균일한 박막을 형성시킬 수 있었다. 약 200 nm이상으로 코팅된 $TiO_2$ 박막은 180~400 nm의 자외선을 차단하여 폴리카보네이트의 황변현상을 억제하고 내열성을 크게 향상하는데 기여하였다. 최외층에 형성된 $TiO_2$ 박막은 자외선의 흡수로 활성화되는 표면산화특성으로 유기 오염물의 분해반응 촉진과 표면의 친수성의 증가에 따른 자기세정특성을 나타내었다. $TiO_2$ 박막과 폴리카보네이트 기재 사이에 $SiO_2$ 박막의 적용은 기재의 부식에 의한 코팅된 $TiO_2$ 층의 박리를 억제하여 구조 안정성을 유지할 수 있었다.

TiO2/SiOxCy 이중 박막을 이용한 투명 친수성/내마모성 반사방지 코팅 (Anti-Reflective Coating with Hydrophilic/Abraion-Resistant Properties using TiO2/SiOxCy Double-Layer Thin Film)

  • 이성준;이민교;박영춘
    • 한국표면공학회지
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    • 제50권5호
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    • pp.345-351
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    • 2017
  • A double-layered anti-reflective coating with hydrophilic/abrasion-resistant properties was studied using anatase titanium dioxide($TiO_2$) and silicon oxycarbide($SiO_xC_y$) thin film. $TiO_2$ and $SiO_xC_y$ thin films were sequentially deposited on a glass substrate by DC sputtering and PECVD, respectively. The optical properties were measured by UV-Vis-NIR spectrophotometer. The abrasion-resistance and the hydrophilicity were observed by a taber abrasion tester and a contact angle analyzer, respectively. The $TiO_2/SiO_xC_y$ double-layer thin film had an average transmittance of 91.3%, which was improved by 10% in the visible light region (400 to 800 nm) than that of the $TiO_2$ single-layer thin film. The contact angle of $TiO_2/SiO_xC_y$ film was $6.9^{\circ}$ right after UV exposure. After 9 days from the exposure, the contact angle was $10.2^{\circ}$, which was $33^{\circ}$ lower than that of the $TiO_2$ single-layer film. By the abrasion test, $SiO_xC_y$ film showed a superior abrasion-resistance to the $TiO_2$ film. Consequently, the $TiO_2/SiO_xC_y$ double-layer film has achieved superior anti-reflection, hydrophilicity, and abrasion resistance over the $TiO_2$ or $SiO_xC_y$ single-layer film.

자일렌 산화반응 촉매의 산특성과 반응성에 관한 연구 (A Study on the Acid Property and the Activity of Xylene Oxidation Catalyst)

  • 김택중;김영호;이호인
    • 공업화학
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    • 제2권4호
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    • pp.330-339
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    • 1991
  • $V_2O_5-TiO_2/SiO_2$ 촉매를 제조하여 그 산특성을 조사하였고, 동 촉매상에서 o-자일렌의 무수프탈산으로의 부분산화반응에 대한 활성측정을 병행하여 촉매의 산특성과 반응성과의 연관성을 알아보았다. $V_2O_5$ 촉매는 V=O로 추정되는 약산점과 V-O-V로 추정되는 강산점을 가지고 있었으며, 소성온도가 높아질수록 약산점의 양이 감소하였다. $V_2O_5-TiO_2/SiO_2$ 촉매의 경우 약산점이 크게 나타났으며, 그 양은 $SiO_2$의 담지량이 20 mole% 일 때 최대치를 보였고 그 이상에서 일정하였다. 한편, o-자일렌 부분산화반응에서 $V_2O_5-TiO_2/SiO_2$$V_2O_5/SiO_2$에 비해 전체 전환율 및 무수프탈산으로의 선택도를 크게 증가시켰으며, $V_2O_5-TiO_2/SiO_2$에서 $TiO_2$의 양이 증가할 경우 전체 전환율은 증가하였으나 무수프탈산으로의 선택도는 크게 변하지 않았다. V=O로 추정되는 약산점은 o-자일렌을 약하게 흡착함으로써 무수프탈산으로의 부분산화반응을, V-O-V로 추정되는 강산점은 o-자일렌을 보다 강하게 흡착하여 $C_1$으로의 완전산화반응을 각각 유도함을 알 수 있었다.

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$BaTiO_3$ 세라믹스의 전기저항에 미치는 첨가제와 냉각속도의 영향: (II) $TiO_2$, $SiO_2$$Al_2O_3$ 복합첨가 (Effect of Additives and Cooling Rates on the Electrical Resistivity of $BaTiO_3$ Ceramics: (II) Multi-Component Systems of $TiO_2$, $SiO_2$ and $Al_2O_3$ Additives)

  • 염희남;하명수;이재춘;정윤중
    • 한국세라믹학회지
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    • 제28권10호
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    • pp.803-809
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    • 1991
  • Microstructure, room temperature resistivity and temperature coefficient of resistance of BaTiO3 ceramics were characterized and measured in this study. The basic composition of the BaTiO3 cremics was formed by adding 0.25 mol% Dy2O3 and 0.07 mol% MnO2 to the BaTiO3 composition. Samples of the BaTiO3 ceramics were prepared by adding various amounts of the TiO2, SiO2 and Al2O3 to the basic composition. An addition of 1 mol% TiO2, 2 mol% SiO2 and 0.5 mol% Al2O3 to the basic composition resulted both the values of the room temperature resistivity and the temperatured coefficient being maxium. Meanwhile, an addition of 1 mol% TiO2 and 1 mol% Al2O3 to the basic composition resulted the value of the room temperature resistivity maxium and the temperature coefficient minimum. The temperature coefficient showed a maximum value as well as a minimum value when the three kinds of the additives were added together to the basic composition of the BaTiO3 ceramics. Maxed phases of BaTi3O7, BaTiSiO5 and BaAl2Si2O8 were present at the grain boundary.

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Sol-Gel법에 의한 PZT박막 제조에서 완충층의 영향 (Effect of buffer layers on preparation of Sol-Gel processed PZT thin films)

  • 김종국;박지련;박병옥
    • 한국결정성장학회지
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    • 제8권2호
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    • pp.307-314
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    • 1998
  • 졸-겔법을 이용하여 PZT박막을 제조하였다. 출발물질로는 Pb-acetate trihydrate, Zr-normal propoxide와 Ti-ispropoxide를 사용하였으며, 용매로는 2-Methoxyethanol과 iso- Propanol을 사용하였다. 기판에 따른 Pb 이온 및 Si 이온의 확산을 고찰하기 위해 bare Si와 열산화된 $SiO_2/Si$ 그리고 산화된 기판 위에 졸-겔 spin-coating법으로 $TiO_2$를 입힌 $TiO_2/SiO_2/Si$ 기판을 사용하였다. 박막의 치밀화 및 기판과의 접착상태는 SEM을 이용하였고, 상생성 온도는 XRD, 그리고 Pb 이온 및 Si 이온의 확산 정도는 ESCA를 사용하였다. 기판으로 bare Si 및 $SiO_2/Si$를 사용한 경우, $700^{\circ}C$에서 perovskite상을 얻을 수 있었으며, SiO2/Si 기판을 사용하여 Si의 막으로의 확산을 다소 방지할 수 있었다. $TiO_2/SiO_2/Si$기판을 사용한 경우, $500^{\circ}C$에서 perovskite상을 얻을 수 있었고, Pb 이온 및 Si 이온의 확산을 방지할 수 있었다.

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Sol-Gel Process를 이용한 SiO2/TiO2 복합 미립자의 합성 (Preparation of SiO2/TiO2 Composite Fine Powder by Sol-Gel Process)

  • 구상만;이동현;류창석;이용은
    • 공업화학
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    • 제8권2호
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    • pp.301-307
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    • 1997
  • 응집이 없는 단분산의 $SiO_2/TiO_2$ 복합 미립자를 얻기 위하여 $TiO_2$seed가 분산되어 있는 에탄올 수용액과 TEOS (Tetraethyl Orthosilicate)를 에탄올에 녹인 용액을 혼합하여 $TiO_2$ 주위에서 TEOS가 가수분해 및 축합 반응이 일어나도록 유도하여 복합 미분말을 제조하였다. 촉매로 암모니아를 사용하였고, 반응온도는 실온이었다. 반응변수는 TEOS의 농도, 암모니아의 농도, $TiO_2$ seed의 크기 및 양이었다. 응집이 없는 복합 미립자를 얻기 위한 최적조건은 [TEOS]=0.3M, [$NH_4OH$]=0.7M, $TiO_2$ seed의 크기가 200~300 nm이었고, 이때 $0.8{\sim}0.9{\mu}m$의 입자크기를 갖는 복합입자를 얻을 수 있었다.

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BaTiO$_3$ 세라믹스의 전기저항에 미치는 첨가제와 냉각속도의 영향(I) - TiO$_2$, SiO$_2$ 및 Al2O$_3$ 단미첨가 - (Effect of Additives and Cooling Rates on the Electrical Resistivity of BaTiO3 Ceramics (I))

  • 염희남;하명수;이재춘;정윤중
    • 한국세라믹학회지
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    • 제28권9호
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    • pp.661-666
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    • 1991
  • Microstructure, room temperature resistivity and temperature coefficient of resistance of BaTiO3 ceramics were studied by varying cooling rates and additives such as TiO2, SiO2 and Al2O3. The basic composition of the BaTiO3 ceramics was formed by adding 0.25 mol% Dy2O3 and 0.07 mol% MnO2 to the BaTiO3 composition. Unlike the additives of SiO2 and Al2O3, an addition of 2 mol% TiO2 to the basic composition was effective to control the grain size of the fired specimens. The room temperature resistivity and the temperature coefficient of resistance for the specimen of this particular compostion were measured as about 102 ohm.cm and 16.5%/$^{\circ}C$, respectively. The observed grain boundary phase of the sample with Al2O3 additive was BaTi3O7, while that of the samples with SiO2 additive was confirmed as BaTiSiO5.

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SiO2/TiO2 혼합입자 슬러리 SiC CMP의 재료제거율 모델링 (Material Removal Rate Modeling of SiO2/TiO2 Mixed-Abrasive Slurry CMP for SiC)

  • 이현섭
    • Tribology and Lubricants
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    • 제39권2호
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    • pp.72-75
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    • 2023
  • Silicon carbide (SiC) is used as a substrate material for power semiconductors; however, SiC chemical mechanical polishing (CMP) requires considerable time owing to its chemical stability and high hardness. Therefore, researchers are attempting to increase the material removal rate (MRR) of SiC CMP using various methods. Mixed-abrasive CMP (MAS CMP) is one method of increasing the material removal efficiency of CMP by mixing two or more particles. The aim of this research is to study the mathematical modeling of the MRR of MAS CMP of SiC with SiO2 and TiO2 particles. With a total particle concentration of 32 wt, using 80-nm SiO2 particles and 25-nm TiO2 particles maximizes the MRR at 8 wt of the TiO2 particle concentration. In the case of 5 nm TiO2 particles, the MRR tends to increase with an increase in TiO2 concentration. In the case of particle size 10-25 nm TiO2, as the particle concentration increases, the MRR increases to a certain level and then decreases again. TiO2 particles of 25 nm or more continuously decreased MRR as the particle concentration increased. In the model proposed in this study, the MRR of MAS CMP of SiC increases linearly with changes in pressure and relative speed, which shows the same result as the Preston's equation. These results can contribute to the future design of MAS; however, the model needs to be verified and improved in future experiments.

$SiO_2$와 Co/Ti 이중층 구조의 상호반응 (Interaction of Co/Ti Bilayer with $SiO_2$ Substrate)

  • 권영재;이종무;배대록;강호규
    • 한국진공학회지
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    • 제7권3호
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    • pp.208-213
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    • 1998
  • 최근 셀리사이드(salicide) 제조시 $COSiO_2$의 에피텍셜 성장을 돕기 위하여 Ti층을 삽 입한 Co/Ti/Si 이중층 구조의 실리사이드화가 관심을 끌고 있다. Co/Ti 이중층을 이용한 salicide 트랜지스터가 성공적으로 만들어지기 위해서는 gate 주위의 spacer oxide위에 증착 된 Co/Ti 이중층을 급속열처리할 때 Co/Ti와 $SiO_2$간의 계면에서의 상호반응에 대하여 조사 하였다. Co/Ti 이중층은 $600^{\circ}C$에서 열처리한 후 면저항이 급격하게 증가하기 시작하였는데, 이것은 Co층이 $SiO_2$와의 계면에너지를 줄이기 위하여 응집되기 때문이다. 이때 Co/Ti의 열 처리후 Ti에 의하여 $SiO_2$기판의 일부가 분해됨으로써 절연체의 Ti산화물이 형성되었으나, 이외의 도전성 반응부산물은 발견되지 않았다.

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