• 한국결정성장학회지
• /
• 제15권3호
• /
• pp.99-103
• /
• 2005

NaCl-KCl을 flux로 사용한 용융염 합성법을 이용하여 $Pb(Sc_{1/2}Ta_{1/2})O_3$, 분말을 제조하였다. $700^{\circ}C$에서 $800^{\circ}C$의 온도범위에서 상형성 및 분말 상태의 변화를 조사하였다. 용융염 합성법으로 $750^{\circ}C$ 2시간 하소하였을 때, 순수한 페로브스카이트 구조를 가진 $Pb(Sc_{1/2}Ta_{1/2})O_3$ 상이 형성되었으며, 평균 입자 크기는 $0.5\{mu}m$ 이하이고 입방체와 유사한 형상을 갖는 분말이 제조되었다. DIA, X-선 회절 분석, 미세구조 변화를 통해 합성된 분말의 특성을 고찰하였다.

• 한국결정학회지
• /
• 제13권3_4호
• /
• pp.165-171
• /
• 2002

고상반응법에 의해 합성된 분말을 $1100^{\circ}C$에서 소결함으로써 밀도가 $9.3g/cm^3$이고 평균입경이 $5.1{\pm}1.2{\mu}$인 $Pb(Fe_{1/2}Ta_{1/2})O_3$를 단일상으로 합성하였다. (공간군: Pm3m) $-150{\sim}50^{\circ}C$에서 측정된 비유전율은 인가전압의 주파수가 1kHz일 때 $-41^{\circ}C$에서 비유전율이 3100으로 최대값을 가지고 유전완화(dielectric relaxation)현상 및 완만한 상전이(diffuse phase transition, DPT)가 뚜렷하게 관찰되는 전형적인 완화형 강유전특성을 보였으며 소결후 $1000^{\circ}C$에서의 열처리 시간이 증가함 에 따라 상전이의 완만화도는 감소하여 정상 강유전체화 하였다. 한편, 소결직후 $Fe^{3+}$와 $Ta^{5+}$ 이온은 투과전자현미경으로도 검출할 수 없는 정도의 단거리 영역에서 화학양론적으로 1 : 1 질서 배열하고 있으며 이러한 B자리 양이온의 질서배열은 열처리 시간이 증가함에 따라 강화됨을 라만분광법으로 확인하였다. 소결직후 $Pb(Fe^{12}Ta_{1/2})O_3$센서의 완화형 강유전특성은 B자리 양이온의 화학양론적 1:1 단거리 질서배열구조와, 열처리한 $Pb(Fe_{1/2}TA_{1/2})O_3$에서의 완화형 강유전특성 감소는 열처리에 따라 강화된 화학양론적 1:1 단거리 질서배열구조와 연관지을 수 있었다.

• Bulletin of the Korean Chemical Society
• /
• 제24권2호
• /
• pp.183-188
• /
• 2003

The micro-patterning of multi-layered thin films containing CdS and $Ta_2O_5$ layers on ITO substrate with various structures was successfully obtained by combining three different techniques: chemical solution depositions, sol-gel, and microcontact printing (μCP) methods using octadecyltrichlorosilane (OTS) as the organic thin layer template. $Ta_2O_5$ layer was prepared by sol-gel casting and CdS one obtained by chemical solution deposition, respectively. Parallel and cross patterns of multi-layers with $Ta_2O_5$ and CdS films were fabricated additively by successive removal of OTS layer pre-formed. This study presents the designed architectures consisting of the two types of feature having horizontal dimensions of 170 ㎛ and 340 ㎛ with constant thickness ca. 150 nm of each deposited materials. The thin film lay-out of the cross-patterning is composed of four regions with chemically different layer compositions, which are confirmed by Auger electron microanalysis.

• E2M - 전기 전자와 첨단 소재
• /
• 제10권1호
• /
• pp.61-67
• /
• 1997

We have studied dielectric properties of sol-gel derived tantalum oxide thin films as the insulators. As the sample is annealed from 300.deg. C to 700.deg. C, it is found amorphous below 600.deg. C and crystalline over it. Dielectric constant is maximum(18.6) when Ta$_{2}$O$_{5}$ film was annealed at 400.deg. C. It is found that dielectric strength in Ta$_{2}$O$_{5}$ film annealed at 400.deg. C (1.5MV/cm) increases and then decreases over annealed at 500.deg. C. This phenomenon was attributed to pinhole effect and crystallization. The de conduction properties can be interpreted by Poole-Frenkel effect.ect.

• 한국재료학회:학술대회논문집
• /
• 한국재료학회 1993년도 추계 학술발표 강연 및 논문 개요집
• /
• pp.113-113
• /
• 1993

• 대한화학회지
• /
• 제29권3호
• /
• pp.265-270
• /
• 1985

희석 파라미터법을 이용한 X-선 형광분광법으로 주석슬랙중 Ta$_2$O$_5$, Nb$_2$O$_5$, SnO$_2$ 및 ZrO$_2$를 정량하였으며 그들의 분석결과를 표준검정곡선법으로 얻은 결과들과 비교하였다. 주석슬랙 시료와 주석슬랙과 비슷한 조성을 갖는 한개의 표준시료를 적당한 희석제(La$_2$O$_3$)로 1 : 1, 1 : 2, 1 : 3, 1 : 4로 각각 희석하였다. 원시료와 희석된 시료의 X-선 세기를 측정하여 희석 파라미터항이 포함된 계산식을 이용하여 함량을 계산하였다. 그 결과 분석값은 표준검정곡선법에 의한 기준값들과 잘 일치하고 있음을 확인하였다.

• 전기전자학회논문지
• /
• 제22권2호
• /
• pp.356-361
• /
• 2018

고온에서 이용 가능한 수소 센서에 관해 연구하였다. 센서는 $Pd/Ta_2O_5/SiC$으로 구성된 MOS 구조로 제작되었으며, $Ta_2O_5$ 박막은 급속 열 산화법(RTO)법으로 형성하였다. 본 연구에서는 3가지 다른 패턴의 팔라듐(Pd) 전극으로 만든 센서를 제작하여, Pd 전극의 형태가 응답 특성에 미치는 영향을 고찰하였다. 그 결과, 센서는 Pd 전극의 채워진 면적이 클수록, 정전용량의 응답특성이 개선됨을 확인하였다.

• 한국재료학회:학술대회논문집
• /
• 한국재료학회 1993년도 춘계학술발표회
• /
• pp.69-69
• /
• 1993

• 한국결정성장학회지
• /
• 제7권3호
• /
• pp.377-383
• /
• 1997

이트리아 안정화 지르코니아(Y-TZP)에 5가 산화물$(Ta_2O_5,\;Nb_2O_5)$을 첨가하여 $1500^{\circ}C$온도에서 상압소결한 삼성분계중 quasi-binary system인 $ZrO_2-YTa(Nb)O_4$의 조성영역안에서 상 안정성을 관찰하기 위해 상태도를 작성하였으며, 결정립 크기나 annealing 온도에 상관없이 상 안정성을 유지하는 non-transformable $t-ZrO_2$ solid solution$(NT_{ss}$ )영역을 확인하고 안정화 mechanism을 조사하였다. $NT_{ss}$ 의 상 안정성은 정방정 fergusonite 구조를 갖는 $YTa(Nb)O_4$의 안정화로 상 변태를 억제하여 우수한 상 안정성을 유지하는 것으로 추정되었다. 기계적 특성을 향상시키기 위해 상 변태율이 가장 좋은 transformable-TZP $(T_{ss/})$ 를 에 첨가하여 조사한 결과 mixture의 조성이 $NT_{ss}$ 영역밖의 $NT_{ss}$영역에 위치하여도 상 안정성과 우수한 기계적 특성을 갖는다는 것이 발견되었다.

• 한국세라믹학회지
• /
• 제40권3호
• /
• pp.279-285
• /
• 2003

Sol-gel 법으로 200 nm 정도의 두께를 가진 강유전성 S $r_{0.9}$B $i_{2.1}$T $a_{1.8}$ N $b_{0.2}$ 박막을 Pt/Ti $O_2$/ $SiO_2$/Si 기판 위에 증착하였다. 본 실험에서는 Sr(O $C_2$ $H_{5}$)$_2$, Bi(TMHD)$_3$, Ta(O $C_2$ $H_{5}$)$_{5}$ 그리고, Nb(O $C_2$ $H_{5}$)$_{5}$를 출발 물질로 사용하였으며 2-methoxyethanol을 용매로 사용하였다. UV 노광과 급속열처리가 SBTN 박막의 구조와 전기적 특성에 어떤 영향을 주는 가를 연구하였다. UV 노광과 급속열처리를 한 후에 $650^{\circ}C$ 열처리한 SBTN 박막의 3V와 5V 인가 전압하에서의 잔류분극 값은 각각 8.49와 11.94 $\mu$C/$ extrm{cm}^2$이었다.