• 한국마이크로전자및패키징학회:학술대회논문집
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• 한국마이크로전자및패키징학회 2000년도 Proceedings of 5th International Joint Symposium on Microeletronics and Packaging
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• pp.73-73
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• 2000

Shear strength of BGA solder joints on Cu pad was studied for Cu-contained Sn n.5 a and 2.5wt.% Cu) and Sn-Pb (o.5wt.% Cu) solders, with emphasis on the roles of the C Cu-Sn intermetallic layer thickness and the roughness of the interface between the i intermetallic layer and solder. The shear strength test was performed both for a as-soldered s이der joints with soldering reaction times of 1, 2, 4 min and for aged s이der j joints at 170 C up to 16 days. The Cu addition to both pure Sn and eutectic Sn-Pb s solders increased the intermetallic layer thickness at both soldering and aging t temperatures. The Cu addition also resulted in changes in the roughness of the interface b between the intermetallic layer and solder at as-soldered states. With increasing Cu c content. the interface roughened for Sn-Cu solders whereas it flattened for Sn-Pb-Cu s solders. The shear fractures in all solder joints investigated were confined in the bulk s solder rather than through the intermetallic layer. Therefore, the effect of Cu content in s solders on the shear strength of the solder joints was primarily attributed to its i influence on the micros$\sigma$ucture of bulk solder, such as the size and spatial distributions of CU6Sn5 precipitates. In addition, the critical intermetallic layer thickness for a m maximum shear strength seemed to depend on the Cu content in bulk solder.older.

• Current Photovoltaic Research
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• 제2권4호
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• pp.177-181
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• 2014

$Cu_2ZnSn(S_xSe_{1-x})_4$ (CZTSSe) absorber thin films were prepared on Mo coated soda lime glass substrates by sulfo-selenization of sputtered stacked Zn-Sn-Cu precursor thin films. The Zn-Sn-Cu precursor thin films were sulfo-selenized inside a graphite box containing S and Se powder using rapid thermal processing furnace at $540^{\circ}C$ in Ar atmosphere with pre-treatment at $300^{\circ}C$. The effect of different S/Se ratio on the structural, compositional, morphological and electrical properties of the CZTSSe thin films were studied using XRD (X-ray diffraction), XRF (X-ray fluorescence analysis), FE-SEM (field-emission scanning electron microscopy), respectively. The XRD, FE-SEM, XRF results indicated that the properties of sulfo-selenized CZTSSe thin films were strongly related to the S/Se composition ratio. In particular, the CZTS thin film solar cells with S/(S+Se)=0.25 shows best conversion efficiency of 4.6% ($V_{oc}$ : 348 mV, $J_{sc}$ : $26.71mA/cm^2$, FF : 50%, and active area : $0.31cm^2$). Further detailed analysis and discussion for effect of S/Se composition ratio on the properties CZTSSe thin films will be discussed.

• Transactions on Electrical and Electronic Materials
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• 제17권2호
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• pp.104-108
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• 2016

To research the correlation between oxygen vacancy and the electrical characteristics of ZTO, which is made by using a target mixed ZnO:SnO₂=1:1, the ZnO, SnO₂ and ZTO were analyzed by PL, XPS, XRD patterns and electrical properties. It was compared with the electron orbital spectra of O 1s in accordance with the electrical characteristics of ZnO, SnO₂ and ZTO. The electrical characteristics of ZTO were improved by increasing the annealing temperatures, due to the high degree of crystal structures at a high temperature, and the physical properties of ZTO was similar to that of ZnO. The amorphous structure of SnO₂ was increased with increasing the temperature. The Schottky contact of oxide semiconductors was formed using the depletion region, which is increased by the electron-hole combination due to the annealing processes. ZnO showed the Ohmic contact in spite of a high annealing temperature, but SnO₂ and ZTO had Schottky contact. As such, it was confirmed that the electrical properties of ZTO are affected by the molecules of SnO₂.

• 대한용접접합학회:학술대회논문집
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• 대한용접접합학회 2010년도 춘계학술발표대회 초록집
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• pp.79-79
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• 2010

저온용 무연 솔더의 대표 조성으로 고려되고 있는 Sn-58Bi(융점: $138^{\circ}C$) 공정(eutectic) 조성은 우수한 강도에도 불구하고 연성(ductility) 측면에서의 문제점이 지속적으로 보고되고 있다. 따라서 이 합금계의 연성을 최대로 개선시킬 수 있으면서도 실제 상용화가 가능한 합금 조성의 개발 연구가 요청된다. 본 연구에서는 Sn-Bi 2원계 조성에서 최대의 연성을 나타내는 것으로 보고된 Sn-40Bi 조성에 미량의 합금원소를 첨가함으로써 최대의 연성을 확보하는 한편, 그 연성 특성이 변형속도에 어느 정도 민감한지를 인장 실험을 통해 결정하고자 하였다. 합금원소로는 0.1~0.5 wt%의 Ag, Mn, In, Cu를 선택하였으며, 인장 시편을 제조하여 $10^{-2}$, $10^{-3}$, $10^{-4}\;s^{-1}$의 3종류로 변형속도를 변형시켜가며 응력-변형 곡선(stress-strain curve)을 측정하였고, 조성별, 변형속도별로 최대인장강도(ultimate tensile stress, UTS) 및 연신율 결과들을 정리하였다. 합금원소를 첨가한 조성의 경우는 모든 시험 조건에서 Sn-40Bi보다 우수한 연신률을 나타내는 것으로 측정되었으나, $10^{-2}\;s^{-1}$의 빠른 변형속도에서는 그 향상 정도가 상대적으로 감소하는 경향이 관찰되었다. 특히 Sn-40Bi-0.5Ag 조성의 경우 느린 변형속도에서 특히 눈에 띄는 연신률 값을 나타내며, 모든 변형속도 조건에서 가장 우수한 연성을 나타내었다. 한편 Sn-40Bi-0.1Cu 조성의 경우 변형속도에 따른 연신률의 변화 정도, 즉, 변형속도에 따른 연신률의 민감도가 매우 커 $10^{-4}\;s^{-1}$ 속도에서는 Sn-40Bi-0.5Ag에 버금가는 연신률 값이 측정되었으나, $10^{-2}\;s^{-1}$ 속도에서는 가장 나쁜 연신률 특성을 보여주었다. Sn-40Bi-0.2Mn 조성은 최고의 연신률 향상 특성을 나타내지는 않았으나, In을 첨가한 경우보다는 대체적으로 우수한 연성을 나타내었다. 이상의 각 합금별 연성 특성은 인장시험 전의 미세조직 관찰 결과와 인장시험 후 파면부의 조직변화 관찰 결과로부터 해석되었다. 그 결과 석출상의 형성 여부, 인장 시험 중 재결정 조직의 형성 여부, 라멜라(lamellar) 조직의 분율과 라멜라 간격(lamellar spacing)의 정도 또는 $\beta$-Sn과 라멜라 조직 사이의 결정립계와 라멜라 조직 내 결정립계에서의 슬라이딩 모드(sliding mode) 변형 정도, 석출상의 크기와 분포 정도 등이 연신률 및 변형속도 민감도와 같은 연성 특성에 가장 큰 영향을 미치는 인자인 것으로 분석되었다.

• 한국게임학회 논문지
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• 제14권2호
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• pp.29-44
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• 2014

본고는 SNS의 구조에 나타난 클래식 게임 모델의 게임성을 증강, 퇴화, 역전과 부활로 구성된 맥루한의 테트래드 개념을 통해 분석하였다. 분석결과, SNS는 현실 세계의 플레이어가 자신의 주관과 이상적 경험을 가상 환경의 표현 규칙을 통해 실현하는 게임적 매체임을 확인하였다. SNS는 표현과 조작 규칙의 강화를 통해 게임성을 파이디아의 방향으로 역전시키고 있었으며, 플레이어의 노력 및 결과의 현실 영향력에 관한 협상 가능성을 퇴화시켜 보다 많은 플레이어들이 창조적 세계를 쉽게 구축할 수 있도록 진화하고 있었다. 또한 증강된 게임성으로 플레이어와 게임 간의 애착이 강화되었으며 추상적 공간에서 묘사를 통해 세계를 창조하는 MUD 전통을 부활시키고 있었다. 이상의 분석 결과에 근거하여 SNS가 현실에 한정된 실용적 소통매체에서 나아가 현실을 근간으로 플레이어의 다양한 상상과 가능성을 창조하는 게임적 매체임 확인한다.

• 한국표면공학회:학술대회논문집
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• 한국표면공학회 2016년도 추계학술대회 논문집
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• pp.175-175
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• 2016

Sn도금액은 강산에서는 $Sn^{2+}$, 강알칼리에서는 $Sn^{4+}$석출이 안정하다. 중성영역은 도금액에 $Sn^{2+}$침전을 방지하기 위하여 착화제가 필요하다. 기록에 남아 있는 가장 오래된 Sn도금은 1856년 Gore가 4가의 주석산염을 사용한 알칼리성용액이다. 그 후 50~60년 사이에 2가의 염화주석($SnCl_2$)과 KOH에 Cyan 등의 착화제를 첨가한 도금액이 발표되었다. 최초의 실용적인 알칼리주석용액은 1931년 Oplinger의 4가 주석산 염으로서, $CH_3COONa$를 완충제로 사용하였고, $Sn^{2+}$을 산화시키기 위하여 과산화물이나 과 붕산염을 첨가하였다. 알칼리성 Sn용액은 Natrium용액과 Kalium용액이 있지만, Kalium염이 용해성이 좋고, Sn농도를 높여 전류밀도를 높일 수 있다. 알칼리성용액은 도금속도가 산성용액의 1/2로 되고, 음극효율도 80~90% 정도 낮아, 두꺼운 피막이나 생산성을 중시하는 부품에는 적합하지 않다. 초기의 산성용액은 Sn의 정련목적으로 사용되었고, Pb정련에 사용된 Fluor규산용액에 Gelatine을 첨가하였다. Mathers는 Cresol산을 첨가하여 미량의 Cresol포화용액을 사용하여 고속으로 두껍게 석출시킬 수 있었다. 독일의 Schloetter도 다양한 방향족 술폰산으로써 반 광택피막을 실현하였다. 산성Sn도금액은 첨가제에 어떠한 유기화합물을 사용하는가는 도금장치나 석출상태로써 결정할 수 있다. Hothersall과 Bradshaw는 Cresol술폰산을 첨가하여 도금액 안정성 향상을 발견했다. Cresol술폰산은 $Sn^{2+}$의 안정제이며, Gelatine은 분산제기능을 한다. 붕 불화용액은 Sn농도를 높일 수 있고, $2{\sim}12A/dm^2$의 고 전류밀도의 도금이 가능하다. 1937년 Schloetter가 개발하여 미국의 제철회사에서 사용되었다. Sn-Ni도금은 Ni도금보다도 뛰어난 내식성이 있기 때문에 자전거, 자동차부품에 사용되고 있다. 실용도금액은 1951년 Parkinson이 발표한 HBF/HCL용액이다. $SnCl_2$산성용액에서 표준전위는 -0.136V인데 비하여, Ni이온의 표준전위는 -0.25V이다. HF용액에서는 불화물이온이 $Sn^{2+}$의 석출전위를 (-)방향으로 이동시켜서 합금석출이 가능하다. Sn-Co도금은 Cr도금의 색조에 가깝고, 장식목적으로 사용된다. Cr도금 대체용으로 사용된다. 내마모성이나 내식성은 Cr도금보다도 떨어지기 때문에 장식목적에 한정된다. 1953년 Parkinson은 Sn-Ni도금연구에서 동일한 용액조성으로부터 Co 30%를 석출시켰다. Sn-Zn도금은 방식도금으로서 자동차부품에 많이 사용되고 있다. Sn과 Zn의 표준전위는 서로 멀리 떨어져 있기 때문에 산성용액에서는 공석될 수 없다. 1980년대에 들면서, 방식Cd(Cadmium)도금의 독성 때문에 Sn-Zn도금을 재인식 하게 되었다. 1957년 Vaid 등이 No Cyan도금액을 발표했다. 그 후 러시아의 연구자가 안정한 도금액을 연구하였고, Srivastava와 Muckergee가 1976년에 종합하였다.

• 열처리공학회지
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• 제25권5호
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• pp.239-243
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• 2012

$SnO_2$ thin films were prepared on the Si substrate by radio frequency (RF) magnetron sputtering and then post deposition vacuum annealed to investigate the effect of annealing temperature on the structural properties and hydrogen gas sensitivity of the films. The films that annealed at $300^{\circ}C$ show the higher sensitivity than the other films annealed at $150^{\circ}C$. From atomic force microscope observation, it is supposed that post deposition annealing promotes the rough surface and also, increase gas sensitivity of $SnO_2$ films for hydrogen gas. These results suggest that the vacuum annealed $SnO_2$ thin films at optimized temperatures are promising for practical high-performance hydrogen gas sensors.

• Molecules and Cells
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• 제42권9호
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• pp.646-660
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• 2019

Abscisic acid (ABA) is a phytohormone essential for seed development and seedling growth under unfavorable environmental conditions. The signaling pathway leading to ABA response has been established, but relatively little is known about the functional regulation of the constituent signaling components. Here, we present several lines of evidence that Arabidopsis Raf-like kinase Raf10 modulates the core ABA signaling downstream of signal perception step. In particular, Raf10 phosphorylates subclass III SnRK2s (SnRK2.2, SnRK2.3, and SnRK2.6), which are key positive regulators, and our study focused on SnRK2.3 indicates that Raf10 enhances its kinase activity and may facilitate its release from negative regulators. Raf10 also phosphorylates transcription factors (ABI5, ABF2, and ABI3) critical for ABA-regulted gene expression. Furthermore, Raf10 was found to be essential for the in vivo functions of SnRK2s and ABI5. Collectively, our data demonstrate that Raf10 is a novel regulatory component of core ABA signaling.

• 정보저장시스템학회논문집
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• 제1권1호
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• pp.93-98
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• 2005

Rewritable optical disk is one of the essential data storage media in these days, which takes advantage of the different optical properties in the amorphous and crystalline states of phase change materials. As well known, data transfer rate is one of the most important parameter of the phase change optical disks, which is mostly limited by the crystallization speed of recording media. Therefore, we doped Sn/Bi to $Ge_2Sb_2Te_5$ alloy in order to improve the crystallization speed and investigated the dependence of phase change characteristics on Sn/Bi doping concentration. The Sn/Bi doped $Ge_2Sb_2Te_5$ thin film was deposited by RF magnetron co-sputtering system and phase change characteristics were investigated by X-ray diffraction (XRD), static tester, UV-visible spectrophotometer, electron probe microanalysis (EPMA), inductively coupled plasma mass spectrometer (ICP-MS) and atomic force microscopy (AFM). Optimum doping concentration of Bi and Sn were 5${\~}$6 at.$\%$ and the minimum time for crystallization was below than 20 ns. This improvement is correlated with the simple crystalline structure of Sn/Bi doped $Ge_2Sb_2Te_5$ and the reduced activation barrier arising from Sn/Bi doping. The results indicate that Sn/Bi might play an important role in the transformation kinetics of phase change materials..

• 한국재료학회지
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• 제21권4호
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• pp.207-211
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• 2011

Ni 8 wt.%-doped tin oxide ($SnO_2$) thick films were fabricated into gas sensors by the method of screen printing onto alumina substrates. The particle size of $SnO_2$ was controlled by changing the ball-mill time between 0~120 h. The structural and morphological properties of these thick films were investigated using X-ray diffraction and scanning electron microscopy. The structural properties of $SnO_2$ powders showed a tetragonal phase with (110) dominant orientation. The particle size of the $SnO_2$:Ni powders after ball-mill of 120 h was about 0.05 ${\mu}m$. The gas sensitivity (S = Rg/Ra) to 5 ppm $CH_4$ gas and $CH_3CH_2CH_3$ gas was measured at room temperature by comparing the resistance in air (Ra) with that of the target gases (Rg). The sensitivity of the $SnO_2$ gas sensors was enhanced by increasing the ball-mill time. There was an association between the sensitivity of both the $CH_4$ gas and the $CH_3CH_2CH_3$ gas and the particle size of the $SnO_2$. $SnO_2$ gas sensors prepared by 72 h ball-mill showed a sensitivity of about 13 to 5 ppm $CH_4$ gas and $CH_3CH_2CH_3$ gas. The response time of the $SnO_2$:Ni gas sensors to the $CH_4$ gas was about 20 seconds.