• 한국전기전자재료학회논문지
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• 제22권3호
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• pp.269-276
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• 2009

Antimony doped tin oxide ($SnO_2:Sb$) films, which are used as the front contact and back reflector of thin film solar cells, have been deposited by d,c, magnetron sputtering. The dependence of electrical and optical properties of the films on the preparation conditions, such as $O_2$ gas ratio, substrate temperature, annealing temperature was investigated. The sputter gas composition was found to affect the properties of the films. With incorporating $O_2$ gas, the electrical and optical properties of films significantly were improved. The minimum resistivity and optical transmittance over 80 % in visible region were obtained at the oxygen concentration of 30 %, When the substrate temperature was higher, the resistivity of $SnO_2:Sb$ films was decreased, while the absorption edge shifted to shorter wavelength, indicating higher optical band gap. Heat treatment over $600^{\circ}C$ resulted in poorer electrical and optical properties due to SnO phase (102) plane.

• 한국세라믹학회지
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• 제29권4호
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• pp.319-327
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• 1992

Sb-doped SnO2 films were formed on Corning glass 7059 substrate by chemical vapor deposition using simulataneous hydrolysis of SnCl4 and SbCl5. Fairly good transparent conducting film with a low resistivity of ~6$\times$10-4{{{{ OMEGA }}cm and high average optical transparency above ~85% in the range of visible light was obtained at the deposition condition of 50$0^{\circ}C$ and input-gas ratio, [Psbcl5/Psncl4] of 0.05. Film conductivity was improved without loosing optical transparency at light doping of Sb and found to be due to the increase of electron concentration. However, high doping of Sb into SnO2 film largely deteriorated conductivity, optical transparency and crystallinity of the film.

• 센서학회지
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• 제22권4호
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• pp.302-307
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• 2013

The Sb-doped $SnO_2$ nanowire network sensors were prepared by thermal evaporation of the mixtures between tin and antimony powders. Pure $SnO_2$ nanowire networks showed high sensor resistance in air ($99M{\Omega}$), similar gas responses to 4 diffferent gases (5 ppm $C_2H_5OH$, CO, $H_2$, and trimethylamine), and very sluggish recovery speed (90% recovery time > 800 s). In contrast, 2 wt% Sb-doped $SnO_2$ showed the selective detection toward $C_2H_5OH$ and trimethylamine, relatively low resistance ($176k{\Omega}$) for facile measurement, and ultrafast recovery speed (90% recovery times: 6 - 18 s). The change of gas sensing charactersitics by Sb doping was discussed in relation to gas sensing mechanism.

• 센서학회지
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• 제17권5호
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• pp.361-368
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• 2008

Nanosized $SnO_2$ particles were synthesized by homogeneous precipitation method using tin chloride ($SnCl_4{\cdot}5H_{2}O$) and urea ($CO(NH_2)_2$). The powders were heated at $500^{\circ}C$ and $600^{\circ}C$ for 2h. The crystal structure, microstructure, thermal behavior, specific surface area were analyzed using XRD, FE-SEM, TGA and BET, respectively. The initial resistance and the $H_2$ sensing properties were measured as a function of ${Sb_2}{O_3}$ and Pd doping concentrations. The resistance was decreased with the addition of ${Sb_2}{O_3}$ and the sensitivity for $H_2$ gas was increased with the addition of Pd. Thus, the optimum $H_2$ gas sensing property was obtained in the 0.25.mol% ${Sb_2}{O_3}$ and 1.w% added $SnO_2$ powders.

• 한국환경과학회:학술대회논문집
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• 한국환경과학회 2008년도 추계학술발표회 발표논문집
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• pp.464-467
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• 2008

성능이 우수한 다성분계 전극을 개발하기 위하여 Pt, Ru, Sn, Sb 및 Gd의 5 종류 금속을 이용하여 1성분계 전극의 성능과 산화제 생성량 및 2성분계 전극의 성능과 산화제 생성 경향을 고찰하여 다음의 결과를 얻었다. 1. RhB 농도 감소는 Ru/Ti > Sb/Ti > Pt/Ti > Sn/Ti > Gd/Ti 전극의 순서로 나타났으나 단위 전력당 2분간 제거된 RhB 농도 감소는 Ru/Ti > Sb/Ti > Pt/Ti > Gd/Ti > Sn/Ti 전극의 순서로 나타났다. 생성된 산화제 농도는 ClO$_2$ > free Cl > H$_2$O$_2$ > O$_3$의 순서였으며 Gd/Ti 전극의 경우 산화제가 거의 생성되지 않는 것으로 나타났다. 모든 전극에서 OH 라디칼이 거의 생성되지 않는 것으로 나타났다. Ru/Ti와 Sb/Ti 전극의 높은 RhB 분해와 산화제 생성 농도는 정확하지는 않지만 상관관계가 있는 것으로 나타났다. 2. Ru계 2성분 전극(Ru-Gd/Ti, Ru-Pt/Ti, Ru-Sn/Ti 및 Ru-Sb/Ti)은 모두 1성분계 전극보다 RhB 분해성능이 높아지는 것으로 나타났으며, Ru계 2성분 전극 중 가장 성능이 우수하였던 전극은 Ru:Sn=9:1 전극으로 나타났다. Sn-Sb/Ti 전극은 Sn:Sb=1:9의 전극 성능이 우수한 것으로 나타났으나 Sb/Ti 전극과의 차이는 크지 않은 것으로 나타났다. Pt계 전극(Pt-Gd/Ti, Pt-Sn/Ti, Pt-Sb/Ti)은 대체로 두 성분 혼합에 따른 RhB 분해효과 상승은 없는 것으로 나타났다. 2성분계 전극 중 RhB 제거 성능이 가장 우수하였던 Ru:Sn=9:1 전극에서 4종류의 산화제 생성 농도가 높은 것으로 나타났다. Ru:Pt=9:1 전극은 RhB 분해 성능이 5 전극 중 가장 낮았으며, 산화제도 생성량이 가장 적은 것으로 나타났다. Ru-Sn/Ti 계 전극의 RhB 분해 성능과 산화제 생성 농도가 실험한 모든 1, 2성분계 전극에서 높은 것으로 나타나 향후 3, 4성분계 전극 제조시 이를 바탕으로 제조하고 다른 물질들은 보조재료로서 사용할 필요성이 있는 것으로 사료되었다.

• 한국환경과학회:학술대회논문집
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• 한국환경과학회 2008년도 추계학술발표회 발표논문집
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• pp.482-487
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• 2008

성능이 우수한 다성분계 전극을 개발하기 위하여 Ru를 주 전극성분으로 Pt, Sn, Sb 및 Gd를 보조 전극성분으로 하여 3, 4성분계 전극의 성능과 산화제 생성량 및 전극 표면 분석을 행하여 다음의 결과를 얻었다. 1. 2분 동안 단위 W당 제거된 RhB 농토는 Ru:Sn:Sb=9:1:1 > Ru:Pt:Gd=5:5:1 > Ru:Sn=9:1 > Ru:Sn:Gd=9:1:1 > Ru:Sb:Gd=9:1:1로 나타났다. Ru:Sn:Sb=9:1.1 전극에서 발생하는 free Cl, ClO$_2$ 및 H$_2$O$_2$농도가 다른 전극보다 높은 것으로 나타나 산화제 생성경향과 RhB 분해율과는 상관관계가 있는 것으로 사료되었다. 4성분계 전극 중에서 Ru:Sn:Sb:Gd 전극의 성능이 가장 우수한 것으로 나타났으나 3성분계 전극인 Ru:Sn:Sb=9:1.1 전극보다 성능이 떨어지는 것으로 나타났다. Ru:Sn:Sb=9:1:1 전극에서 생성되는 산화제 농도가 다른 두 종류의 산화제 농도보다 높은 것으로 나타났고 4성분 전극의 경우 Ru:Sn:Sb:Gd 전극의 산화제 농도가 Ru:Sn:Sb:Gd 전극이 높거나 유사한 경우로 나타나 산화제 생성 경향과 RhB분해 능과는 상관관계가 있는 것으로 나타났다. 초기 RhB 분해 속도가 높은 전극의 COD 제거율도 높은 것으로 나타났다. OH 라디칼은 발생하지 않지만 염소계 산화제 농도가 높고 RhB제거율이 높아 Ru를 주 성분으로 한 전극의 RhB분해는 주로 간접 산화작용에 의한 것이며, 개발된 3, 4성분계 산화물 전극은 간접 산화용 전극임을 알 수 있었다. 에칭을 하기 전의 Ti판은 표면이 매끄러운 것으로 나타났으며, 35% 염산으로 에칭한 후의 Ti메쉬는 매우 거친 표면조직을 가지는 것을 관찰할 수 있었다. Ru:Sn:Sb=9:1:1 전극과 Ru:Sn:Sb:Gd 전극의 SEM 사진을 관찰한 결과 두 전극 모두 전극 물질이 균일하게 도포되어 있었으며, 두 전극 모두 열소성을 통해 전극 성분을 코팅할 때 발생하는 "mud crack"이 발생한 것이 관찰되었다 EDX 분석에서 Cl이 관찰되었는데, 전극 성분의 불완전 산화로 인한 비양론적 산화물 때문이며 이는 RhB 분해성능과 관련 있는 것으로 사료되었다.

• 한국세라믹학회지
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• 제37권2호
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• pp.194-200
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• 2000

Sb-doped tin oxide films were deposited on Corning glass 1737 substrate by plasma enhanced chemical vapor deposition(PECVD) technique using a gas mixture of SnCl4/SbCl5/O2/Ar. The deposition behaviors of tin oxide films by PECVD were compared with those by thermal CVD, and effects of deposition temperature, r.f. power and Sb doping on the electrical properties of tin oxide films were investigated. PECVD technique largely increased the deposition rate and smoothed the surface of tin oxide films compared with thermal CVD. Electrical resistivity decreased with doping of Sb due to the increase of carrier concentration. However, large doping of Sb diminished carrier concentration and mobility due to the decrease of crystallinity, which resulted in the increase of electrical resistivity. As the deposition temperature and r.f. power increased, Cl content in the film decreased.

• 한국진공학회:학술대회논문집
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• 한국진공학회 2010년도 제39회 하계학술대회 초록집
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• pp.269-269
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• 2010

$SnO_2$ 나노선은 n-type의 전기적 특성과 우수한 광 특성을 보이며, 전자소자, 광소자 뿐 아니라 다양한 종류의 가스 센서 등에 응용되고 있다. 그러나 $SnO_2$ 나노선은 공기중에서 전기적으로 불안정한 특성을 보이며, 도핑을 하지 않은 나노선 소자에서는 전자의 모빌러티가 높지 않다는 단점을 갖고 있다. 이를 개선하고자 본 연구에서는 화학기상증착법 (Chemical Vapor Deposition)으로 Sb을 도핑한 $SnO_2$ 나노선을 성장하여 전계방출효과 트랜지스터 (field effect transistor: FET)를 제작하여 전기적 특성과 UV 반응성의 변화를 측정하였다. Sb 도핑 양을 늘려감에 따라 전기적 특성이 반도체 특성에서 점점 금속 특성으로 변하는 것과 게이트 전압의 영향을 적게 받는 것을 확인하였다. 또한 도핑을 해준 $SnO_2$ 나노선의 경우 UV 반응과 회복 시간이 기존에 비하여 크게 감소하여 UV 센서에 더욱 적합해진 것을 확인하였다. 또한, 슬라이딩 트랜스퍼 공정을 이용하여 나노선을 원하는 기판에 정렬된 상태로 전이할 때 도핑한 나노선은 표면특성의 변화로 정렬도가 크게 감소하는 것을 확인하였고, 기판에 윤활제를 사용하여 정렬도를 높일 수 있었다.

• 한국세라믹학회:학술대회논문집
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• 한국세라믹학회 2003년도 춘계총회 및 연구발표회 초록집
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• pp.228.1-228
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• 2003

• 대한전기학회:학술대회논문집
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• 대한전기학회 1991년도 하계학술대회 논문집
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• pp.194-197
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• 1991

In this study, $(Pb_{0.99}La_{0.01})[(Sb_{1/2}Sn_{1/2})_{0.10}Ti_{0.25}Zr_{0.65}]O_3$, added $MnO_2$ (0-0.30[mol%]) ceramics were fabricated by the mixed oxide method. The sintering temperature and time were $1250[^{\circ}C]$, 2[hr], respectively. In the $(Pb_{0.99}La_{0.01})[(Sb_{1/2}Sn_{1/2})_{0.10}Ti_{0.25}Zr_{0.65}]O_3$ added $MnO_2$ (0.24[mol%]) specimens, relative dielectric constant and dielectric loss were minimum values 3.52, 0.003, respectively, and Curie temperature were highest values $256[^{\circ}C]$. Pyroelectric coefficient and voltage responsivity of the $(Pb_{0.99}La_{0.01})[(Sb_{1/2}Sn_{1/2})_{0.10}Ti_{0.25}Zr_{0.65}]O_3$, and added $MnO_2$ (0.24[mol%]) specimen were good values, $6.73{\times}10^{-8}[C/cm^2K],\;125[v/W]$, respectively. Figure of merit of pyroelectric current, voltage and detectivity of the specimen, $(Pb_{0.99}La_{0.01})[(Sb_{1/2}Sn_{1/2})_{0.10}Ti_{0.25}Zr_{0.65}]O_3$ added $MnO_2$ (0.24[mol%]) were good values $2.714{\times}10^{-8}[Ccm/J],\;7.706{\times}10^{-11}[Ccm/J],\;2.640{\times}10^{-8}[Ccm/J]$, respectively. Voltage responsivity of the $(Pb_{0.99}La_{0.01})[(Sb_{1/2}Sn_{1/2})_{0.10}Ti_{0.25}Zr_{0.65}]O_3$ added $MnO_2$ (0.24[mol%]) specimens were decreased with increasing the chopper frequency.