• Transactions on Electrical and Electronic Materials
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• 제11권4호
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• pp.166-169
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• 2010

In this study, we changed the etch parameters (gas mixing ratio, radio frequency [RF] power, direct current [DC]-bias voltage, and process pressure) and then monitored the effect on the $HfAlO_3$ thin film etch rate and the selectivity with $SiO_2$. A maximum etch rate of 108.7 nm/min was obtained in $Cl_2$ (3 sccm)/$BCl_3$ (4 sccm)/Ar (16 sccm) plasma. The etch selectivity of $HfAlO_3$ to $SiO_2$ reached 1.11. As the RF power and the DC-bias voltage increased, the etch rate of the $HfAlO_3$ thin film increased. As the process pressure increased, the etch rate of the $HfAlO_3$ thin films increased. The chemical state of the etched surfaces was investigated with X-ray photoelectron spectroscopy. According to the results, the etching of $HfAlO_3$ thin film follows the ion-assisted chemical etching.

• 한국산학기술학회:학술대회논문집
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• 한국산학기술학회 2001년도 춘계학술대회 발표논문집
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• pp.124-128
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• 2001

A present semiconductor cleaning technology is based upon RCA cleaning technology which consumes vast amounts of chemicals and ultra pure water(UPW) and is the high temperature Process. Therefore, this technology gives rise to the many environmental issues, and some alternatives such as functional water cleaning are being studied. The electrolyzed water was generated by an electrolysis system which consists of anode, cathode, and middle chambers. Oxidative water and reductive water were obtained in anode and cathode chambers, respectively. In case of NH$_4$Cl electrolyte, the oxidation-reduction potential and pH for anode water(AW) and cathode water(CW) were measured to be +1050mV and 4.8, and -750mV and 10.0, respectively. AW and CW were deteriorated after electrolyzed, but maintained their characteristics for more than 40 minutes sufficiently enough for cleaning. Their deterioration was correlated with CO$_2$ concentration changes dissolved from air. It was known that AW was effective for Cu removal, while CW was more effective for Fe removal. The particle distributions after various particle removal processes maintained the same pattern. In this work, RCA consumed about 9$\ell$chemicals, while EW did only 400$m\ell$ HCI electrolyte or 600$m\ell$ NH$_4$Cl electrolyte. It was hence concluded that EW cleaning technology would be very effective for eliminating environment, safety, and health(ESH) issues in the next generation semiconductor manufacturing.

• 한국진공학회:학술대회논문집
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• 한국진공학회 2011년도 제40회 동계학술대회 초록집
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• pp.415-415
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• 2011

국제핵융합실험로(ITER)에 장착되는 한국형 헬륨 냉각 고체형 증식(Helium Cooled Solid Breeder : HCSB) 시험 블랑켓(Test Blanket Module : TBM)은 ITER 참여국 중 유일하게 중성자 반사 재료를 채택한 것이 특징이다. 중성자 반사재료로는 지름 1 mm 내외의 흑연 페블을 사용 할 예정이다. 흑연은 중성자 반사특성은 우수하지만 기계적 특성이 비교적 좋지 않다는 단점이있다. 뿐만 아니라, 산화나 화재 등에 대해서도 취약하기 때문에 흑연이 노출된 상태로 사용하는 것은 위험부담이 클 수밖에 없다. 따라서 흑연을 코팅해서 사용하기 위한 연구개발이 진행 중이며, 코팅 후보물질로는 저방사화 및 고경도의 특성을 갖는 SiC가 유력시 되고 있다. 흑연위에 SiC를 코팅하는 방법은 여러 가지가 있으며, 그 중에서 비교적 간단한 RF Sputtering, PECVD를 이용해서 SiC를 코팅하고 그 특성을 평가했다. RF Sputtering에서 흑연의 온도를 상온으로 두었을 때는 SiC가 결정으로 성장되지 않는 것을 확인할 수 있었으며, $900^{\circ}C$ 이상의 온도에서 열처리과정을 거친 후 결정이 형성되는 것을 확인할 수 있었다. 그리고 열처리 온도가 $1200^{\circ}C$ 부근에서는 SiC nano-wire가 형성되는 것을 확인할 수 있었다. PECVD의 경우 전구체 물질로 사용된 $SiH_4$와 $CH_4$의 비율에 따라서 SiC의 형성비율이 다른 것을 알 수 있었으며, 결정 상태는 성장시 기판온도에 크게 의존하는 것을 확인할 수 있었다. 최근에는 보다 효율적으로 SiC를 코팅하기 위하여 흑연페블을 spouting시키면서 코팅할 수 있는 CVD 장치를 설계-제작했으며, 전구체 물질로는 $SiH_4$, $Si(CH_3)_4$, $CH_3$ $SiCl_3$ 등이 사용될 예정이다.

• 한국결정성장학회:학술대회논문집
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• 한국결정성장학회 1997년도 Proceedings of the 12th KACG Technical Meeting and the 4th Korea-Japan EMGS (Electronic Materials Growth Symposium)
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• pp.7-11
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• 1997

SiC/C functionally gradient material (FGMs) were formed on graphite substrates by hot-wall chemical vapor deposition (CVD) technique using the SiCl$_4$-C$_3$H8-H$_2$ chemistry. Thermochemical equilibrium calculations were carried out to investigate the deposition process. The effect of process variables on the deposition yield and the SiC/C ratio in deposited layers was studied in detail. Calculated results showed a reasonable agreement with the experiment in a qualitative sense. SiC/C FGMs with excellent mechanical and thermal properties could be successfully formed on graphite substrates by carefully controlling the compositions in the deposited layers.

• 산업기술연구
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• 제16권
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• pp.157-168
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• 1996

The deposition characteristics of ultrafine $SiO_2$ particles were investigated in a tube furnace reactor theoretically and experimentally controlling tube wall temperature in deposition zone. The model equations such as mass and energy balance equations and aerosol dynamic equations inside reactor and deposition tube were solved to predict the particle growth and deposition. The particle size and deposition efficiencies of $SiO_2$ particles were calculated, changing the process conditions such as tube furnace setting temperature, total gas flow rate inlet $SiCl_4$ concentration and were compared with the experimental results.

• 한국표면공학회지
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• 제31권3호
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• pp.157-164
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• 1998

Effects of alloying elements on the pitting behavior of Ti-Al intermetalic compounds in the electrolytic soution containing Cl- were investigated through electrochemical tets and corrosion morphologies. Corrosion potential increased in the case of Cr addition to Ti-48%Al, whereas it decreased in the case of Si and B addition. The simultaneous addition of Cr and Si increased passive current density and decrosion corrosion potential. The passive current density of N addtion was higher than that of B addition in H2SO4 solution. With the addition of alloying elements, The pitting resistance decreased in order of TiAl>TiAlSi>TiAlN>TiAlB>TiAlCr and whin siumultaneous addition, it decreased in order of TiAlCrSi>TiAlCrBN>TiAlCrrN. The surface merohology after pitting test showed that the TiAl coataining Si had for fewer pits than that containing Cr and N simultaneously.

• Bulletin of the Korean Chemical Society
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• 제18권9호
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• pp.981-985
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• 1997

13C, 15N, and 29Si NMR chemical shifts have been computed for selected X-substituted silatranes (X=Cl, F, H, CH3) using Gauge-Including Atomic Orbitals (GIAO) at the Hartree-Fock level of theory. The isotropic 13C chemical shifts are largely insensitive to substituent-induced structural changes. In this study, the isotropic 13C chemical shifts between 1-methyl- and 1-hydrogensilatranes by GIAO-SCF calculation at the HF/6-31G level are very similar. But the results of 1-chloro- and 1-fluorosilatranes are about 4 ppm different from the experimental values. In contrast, the isotropic 15N and 29Si chemical shifts and the chemical shielding tensors are quite sensitive to substituent-induced structural changes. These trends are consistent with those of the experiment. The isotropic 15N chemical shift demonstrates a very clear correlation with Si-N distance. But in case of 29Si the correlations are not as clean as for the 15N chemical shift; the calculated variation in the 29Si chemical shift is much larger.

• Journal of Applied Biological Chemistry
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• 제52권4호
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• pp.163-169
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• 2009

A total of 155 microbial strains were isolated from the Korean traditional soybean paste based on their morphological features on the growth of agar plate. Among the isolated strains, a total of 28 strains were capable of hydrolyzing isoflavone glycoside to isoflavone aglycone efficiently in the soybean paste. Finally, two strains, K123-1 and SI, were selected because of their resistance to 15% NaCl and ability to convert isoflavone glycoside to isoflavone aglycone efficiently during the fermentation of soybean paste. The isolated strains K123-1 and SI were identified to be Pichia guilliermondii and Candida fermentati, respectively, using the partial 26S rDNA sequence analysis and phylogenic analysis. Pichia guilliermondii K123-1 and Candida fermentati SI converted daidzin to daidzein up to 96% and 95%, respectively, and genistin to genistein up to 92% when soybean pastes were fermented at $30^{\circ}C$ for 20 days with a single isolated strain. Pichia guilliermondii K123-1 and Candida fermentati SI were able to grow in the presence of 15% NaCl on both liquid medium and agar plate. We think that Pichia guilliermondii K123-1 and Candida fermentati SI might be one of good candidates for making functional soybean paste because they are isolated from the Korean traditional soybean paste and have a good ability to convert isoflavone glycosides to isoflavone aglycones and a high salt tolerance.

• 지질공학
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• 제21권4호
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• pp.369-379
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• 2011

공막힘에 의해 지하수 채수량이 감소되고 수질이 저하된 관정을 여러 가지 세척 방법으로 재생시켜 주변 관정의 지하수 산출량과 수질을 개선시킬 수 있으며, 관정의 수명도 연장시킬 수 있다. 본 연구에서는 부산광역시 금정산에 위치하는 2개의 암반관정에 대하여 폭약을 이용한 방법과 공기-브러쉬를 이용하여 막힘 관정을 세척하고 세척효과를 수리시험, 수질 분석 및 지구물리검층(광학영상 촬영과 초음파영상 촬영)에 의해서 확인하였다. 공기-브러쉬 세척 방법에 의해서는 세척 후에 비양수량이 최대 약 273%까지 증가하였으며, 세척 후의 지하수 수질을 보면 $F^-$, $SiO_2$가 증가하고, $Cl^-$, $NO_3^-$, 탁도는 감소하였다. 폭약 방법을 이용한 결과 세척 전보다 후에 비양수량이 최대 약 156% 증가되었으며, 세척 시간이 경과하면서 $F^-$와 $SiO_2$ 농도는 증가하였고, $Cl^-$, $NO_3^-$ 농도와 탁도는 감소하였다.

• 대한환경공학회지
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• 제27권1호
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• pp.75-84
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• 2005

본 연구는 해양구조물로 재활용되는 제강 슬래그의 납, 구리, 카드뮴과 수은의 용출특성을 평가하는데 있다. 이를 위하여 고형폐기물의 용출규제 시험, 액고비 변화시험, pH 고정시험과 같은 다양한 용출시험을 하였다. 용출용매로 증류수를 이용한 경우와 해수를 이용한 경우의 pH 고정시험 결과, 제강슬래그에서 용출된 납, 구리, 카드뮴은 뚜렷한 차이를 확인할 수 있었다. 용출용매로 증류수 사용시, pH 7-8 구간과 pH 11-12 구간에서 낮은 용출을 보였지만, 해수를 용출용매로 사용한 경우는, 증류수를 용매로 사용한 것 보다 높게 용출되었다. 수은 용출의 경우는 증류수를 용출용매로 이용한 것보다 해수를 이용한 경우에서 더 낮게 용출되었다. 한편, 제강 슬래그에서 용출되는 납, 구리, 카드뮴의 용존 및 침전 상태의 파악과 중금속 화합물들의 파악을 위하여 지화학 평형 프로그램인 Visual minteq를 사용하였다. 해수와 반응한 제강 슬래그에서 용출된 납, 구리는 pH 11-12 구간에서 대부분 용존되지만 pH가 감소되는 pH 7-10에서는 90% 이상만이 침전하였고, 카드뮴의 경우는 100% 용존상태로 존재하였다. 증류수와 반응한 제강 슬래그에서 용출된 납은 해수의 경우도 유사하였고, 구리와 카드뮴은 100% 용존상태로 존재하였다. 해수 내의 $Cl^-,\;CO_3^{-2},\;SO_4^{-2}$와 결합한 납화합물은 $PbCl^+,\;PbSO_4$로 이루어졌으며, 구리화합물은 $CuSO_4,\;CuCO_3$, 카드뮴화합물은 $CdCl^+,\;CdSO_4$ 등이 형성되었다. 수은의 경우는 해수 및 증류수를 용출용매로 이용한 모든 경우에서 납, 구리, 카드뮴과는 달리 대부분 침전하였다. 더욱이 해수에 존재하는 고농도 염소($Cl^-$)와의 수착으로 인해 finite solid인 calomel($Hg_2Cl_2$)이 형성되어 대부분 침전(SI=0)되기 때문에 납, 구리, 카드뮴 보다 더 낮은 환경이동성을 갖을 것으로 사료된다. 상기 실험결과 용출용매로 증류수와 해수를 이용했을 때, 제강 슬래그에서 용출되는 납, 구리, 카드뮴, 수은의 용출 경향의 차이를 확인할 수 있었고 이에 따라서, 납, 구리, 카드뮴의 용출 유해성은 낮기 때문에 해양구조물로의 제강슬래그 유효이용은 적합할 것으로 판단되었다.