1 |
D. Shamiryan, M. Baklanov, M. Claes, W. Boullart, and V. Paraschiv, Chem. Eng. Comm. 196, 1475 (2009) [DOI: 10.1080/00986440903155428].
DOI
ScienceOn
|
2 |
G. D. Wilk, E. M. Wallace, and J. M. Anthony, J. Appl. Phys. 89, 5243 (2001) [DOI: 10.1063/1.1361065].
DOI
ScienceOn
|
3 |
W. J. Zhu, T. Tamagawa, M. Gibson, T. Furukawa, and T. P. Ma, IEEE Electron Device Lett. 23, 649 (2002) [DOI: 10.1109/LED.2002.805000].
DOI
ScienceOn
|
4 |
V. Bliznetsov, R. Kumar, L. K. Bera, L. W. Yip, A. Du, and T. E. Hui, Thin Solid Films 504, 140 (2006) [DOI: 10.1016/j.tsf.2005.09.158].
DOI
ScienceOn
|
5 |
J. Chen, W. J. Yoo, Z. Y. L. Tan, Y. Wang, and D. S. H. Chan, J. Vac. Sci. Technol. A 22, 1552 (2004) [DOI: 10.1116/1.1705590].
DOI
ScienceOn
|
6 |
G. H. Kim, K. T. Kim, J. C. Woo, and C. I. Kim, Ferroelectrics 357, 41 (2007) [DOI: 10.1080/00150190701527605].
DOI
ScienceOn
|
7 |
W. S. Hwang, J. Chen, W. J. Yoo, and V. Bliznetsov, J. Vac. Sci. Technol. A 23, 964 (2005) [DOI: 10.1116/1.1927536].
DOI
ScienceOn
|
8 |
J. C. Woo, D. S. Um, and C. I. Kim, Thin Solid Films 518, 2905 (2010) [DOI: 10.1016/j.tsf.2009.10.144].
DOI
ScienceOn
|
9 |
D. P. Kim, G. H. Kim, J. C. Woo, X. Yang, D. S. Um, and C. I. Kim, Ferroelectrics 381, 30 (2009) [DOI: 10.1080/00150190902880621].
DOI
ScienceOn
|
10 |
X. Yang, D. P. Kim, G. H. Kim, J. C. Woo, D. S. Um, and C. I. Kim, Ferroelectrics 384, 39 (2009) [DOI: 10.1080/00150190902892741].
DOI
ScienceOn
|
11 |
K. J. Park, K. H. Kim, W. M. Lee, H. Chae, I. S. Han, and H. D. Lee, Trans. Electr. Electron. Mater. 10, 35 (2009).
DOI
ScienceOn
|