• 제목/요약/키워드: $S_N1$ mechanism

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만성정신분열병 환자의 흡연후 추적안구운동의 호전 (Improvement of Smooth Pursuit Eye Movements after Cigarette Smoking in Chronic Schizophrenic Patients)

  • 김종헌;이인상;서한길;정순일;박철수;우성일
    • 생물정신의학
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    • 제6권1호
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    • pp.119-124
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    • 1999
  • This study was done to examine whether cigarette smoking improved smooth pursuit eye movement(SPEM) abnormalities in chronic schizophrenic inpatients. Fifteen schizophrenic and twelve alcoholic subjects abstained from their usual cigarette smoking for a minimum of nine hours and their baseline performances during the constant velocity smooth pursuit tasks were assessed. Then, the subjects smoked as much as they desired in a 10 minutes period and were retested immediately after smoking and 15 minutes after smoking. Electrooculographic recordings during the eye movements were converted and saved as digitized files. Power spectral density curves and natural logarithm value of signal/noise(Ln S/N) ratios were computed from them. In the schizophrenic patients, Ln S/N ratios increased significantly immediately after smoking compared to baseline. But, Ln S/N ratios showed no statistically significant changes after 15 minutes compared to baseline. In alcoholic subjects, Ln S/N ratios showed no statistically significant changes immediately after smoking and after 15 minutes compared to baseline. In conclusion, SPEM was improved in schizophrenic patients immediately after smoking and we hypothesized that nicotinic receptor dysfunction maybe a candidate mechanism for smooth pursuit eye movement abnormalities in schizophrenia.

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Ni-Cu-Zn페라이트의 손실과 자성 특성 (Power Loss and Electro-Magnetic Characteristics of Ni-Cu-Zn Ferrites)

  • 대규열부;김정수
    • 한국자원리싸이클링학회:학술대회논문집
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    • 한국자원리싸이클링학회 2004년도 13회 산화철워크샵
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    • pp.3-11
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    • 2004
  • NiO, ZnO 조성이 다른 Ni-Cu-Zn 페라이트의 손실 분석을 실시했다. 손실, Ph는 측정 온도의 상승에 따라 감소 해 $100-120^{\circ}C$ 근처에서 일정한 값을 얻었다. Pcv 의 주파수의존성은 $Pcv\~f^n$ 로 표현될 수 있는데, n는 1 MHz 까지 일정했다. Pcv 는 ZnO/NiO 비가 증가함에 따라 감소한다. Pcv 를 Hysteresis loss, Ph 및 잔류손실, (Pcv-Ph)로 분리했다. Pcv 의 온도특성 및 조성 의존성은 Ph에 기인하지만, (Pcv-Ph)는 온도 및 조성에 의존하지 않는다 Ph 와 초투자률, ${\mu}$i의 온도 및 조성 의존성을 분석 해, 다음과 같은 식이 성립된다는 것을 알 수 있었다. $${\mu}\;_i{\mu}\;_o=I_s\;^2/(K_1+b{\sigma}\;_o{\lambda}\;_s)\;\;\;\;(1)$$ $$Wh=13.5(I_s\;^2/{\mu}\;i{\mu}\;0)\;\;\;\;(2)$$ 여기서, ${\mu}\;_o$ 은 진공의 투자율, $I_s$, 는 포화자화, $K_1$는 이방성상수, ${\sigma}_\;o$는 내부 불균일 응력, ${\lambda}_\;s$ 는 자기이방성 상수,b는 미지의 정수, Wh는 1 주기 당의 히스테리시스 손실(Ph=Wh*f)이다. Ni-Cu-Zn 페라이트의 Steinmetz 정수 m=1.64-2.2는 Mn-Zn 페라이트보다는 적은데, 이는 양 재료간의 손실 메커니즘의 차가 있음을 암시하는 것이다.

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애기장대 peroxiredoxins (Prxs)과 sulphiredoxin1 (Srx1)의 작용기작 (Working Mechanism of Peroxiredoxins (Prxs) and Sulphiredoxin1 (Srx1) in Arabidopsis thaliana)

  • 김민갑;수디 무하마드;박상렬;황덕주;배신철
    • 생명과학회지
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    • 제20권12호
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    • pp.1777-1783
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    • 2010
  • 식물체는 대사과정의 부산물로서 또는 생물학적으로 피해를 줄 수 있는 다양한 종류의 외부 스트레스에 직면했을 활성산소(Reactive Oxygen Species, ROS)를 생산한다. 이러한 oxidative 스트레스로부터 자신들을 보호하기 위하여 식물세포들은 다양한 종류의 항산화 단백질들을 보유하고 있다. 하지만 이들의 작용기작은 여전히 자세히 밝혀지지 않았다. Peroxiredoxins (Prxs)은 식물체에 광범위하게 존재하는 thiol-을 함유한 항산화 단백질로 N-말단에 존재하는 cysteine 잔기를 이용하여 hydrogen peroxide를 환원한다. 이러한 과정에서 peroxiredoxins의 활성부위인 cysteine 잔기는 선택적으로 cysteine sulfinic acid로 산화됨으로써 peroxidase activity의 불활성화를 일으킨다. 이러한 산화과정은 비가역적으로 일어난다. 최근 발견된 진핵생물들에 잘 보존된 sulphiredoxin (Srx1)이라 불리는 단백질은 cysteine-sulphinic acid를 환원시키는 기능을 지닌다. 본 논문에서는 애기장대에 존재하는 Prxs와 Srx의 기능에 대하여 서술할 예정이다.

알코올-물 혼합 용매계에서 치환된 염화신남오일의 가용매분해반응에 관한 속도론적 연구 (Kinetic Studies on Solvolyses of Substituted Cinnamoyl Chlorides in Alcohol-Water Mixture)

  • 구인선;김정순;안선경;양기열;이익춘;
    • 대한화학회지
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    • 제43권5호
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    • pp.527-534
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    • 1999
  • 아세톤, 에탄올, 메탄올 이성분 혼합수용액에서 파라치환된 cinnamoyl chloride의 가용매분해반응을 25$^{\circ}C$에서 수행하였다. 이들 속도자료로부터 Grunwald-Winstein관계식, Hammett 식, PES 모형과 QM모형을 이용하여 해석 하였다. 파라 치환된 cinnamoyl chloride의 일차반응속도상수를 이용하여 Grunwald-Winstein 도시를 한 결과 세 개의 분리된 곡선으로 분산 현상을 보였으며 알코올 수용액에서 큰 m 값을 나타내었다. PES 모형과 QM 모형에 의한 전이상태 변화에 대한 예측으로부터 본 연구에서의 반응은 결합 이탈이 많이 진전된 $S_N1$$S_N2$ 반응으로 진행되고 있음을 알 수 있었다.

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Kinetics and Mechanism of the Anilinolysis of Ethylene Phosphorochloridate in Acetonitrile

  • Barai, Hasi Rani;Lee, Hai-Whang
    • Bulletin of the Korean Chemical Society
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    • 제32권12호
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    • pp.4185-4190
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    • 2011
  • The nucleophilic substitution reactions of ethylene phosphorochloridate (1c) with substituted anilines ($XC_6H_4NH_2$) and deuterated anilines ($XC_6H_4ND_2$) are investigated kinetically in acetonitrile at $5.0^{\circ}C$. The anilinolysis rate of 1c involving a cyclic five-membered ring is four thousand times faster than its acyclic counterpart (1a: diethyl chlorophosphate) because of great positive value of the entropy of activation of 1c (${\Delta}S^{\neq}=+30\;cal\;mol^{-1}K^{-1}$ compared to negative value of 1a (${\Delta}S^{\neq}=-45\;cal\;mol^{-1}K^{-1}$) over considerably unfavorable enthalpy of activation of 1c (${\Delta}H^{\neq}=27.7\;kcal\;mol^{-1}$) compared to 1a (${\Delta}H^{\neq}=8.3\;kcal\;mol^{-1}$). Great enthalpy and positive entropy of activation are ascribed to sterically congested transition state (TS) and solvent structure breaking in the TS. The free energy correlations exhibit biphasic concave upwards for substituent X variations in the X-anilines with a break point at X = 3-Me. The deuterium kinetic isotope effects are secondary inverse ($k_H/k_D$ < 1) with the strongly basic anilines and primary normal ($k_H/k_D$ > 1) with the weakly basic anilines and rationalized by the TS variation from a dominant backside attack to a dominant frontside attack, respectively. A concerted $S_N2$ mechanism is proposed and the primary normal deuterium kinetic isotope effects are substantiated by a hydrogen bonded, four-center-type TS.

아동의 한국어 문장이해과정에 나타난 사건관련전위 연구 (A Study of Event-Related Brain Potentials in Children's Korean Sentence Comprehension)

  • 최인화;이순형
    • 대한가정학회지
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    • 제49권2호
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    • pp.37-49
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    • 2011
  • The present study investigated the semantic and syntactic processes in Korean children's sentence comprehension by measuring event-related brain potentials(ERPs). The subjects were 18 right-handed, healthy native Korean children(1st graders), who were free from any hearing problems. While the children listened to the auditory sentence stimuli, ERPs were recorded with the electrodes mounted in a 'Quik-Cap' on the subject's head. The ERP data were recorded and analyzed using the NeuroScan 4.3 and EEGLABv6.03b programs. For statistical analyses, descriptive statistics, three-way repeated measures ANOVA, and t-tests were performed using a SPSS 15.0 PC program. The results indicated that semantic violations elicited a negativity (N400) ranging from 300 to 500 msec. For syntactic violations, children displayed a positivity (P600) ranging from 900 to 1,100 msec. The discovery of N400 and P600 in semantic and syntactic processes respectively, confirmed the suggestion that Indo-European and Korean languages share a common mechanism for sentence comprehension.

Schottky Contact Application을 위한 Yb Germanides 형성 및 특성에 관한 연구

  • 나세권;강준구;최주윤;이석희;김형섭;이후정
    • 한국진공학회:학술대회논문집
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    • 한국진공학회 2013년도 제44회 동계 정기학술대회 초록집
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    • pp.399-399
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    • 2013
  • Metal silicides는 Si 기반의microelectronic devices의 interconnect와 contact 물질 등에 사용하기 위하여 그 형성 mechanism과 전기적 특성에 대한 연구가 많이 이루어지고 있다. 이 중 Rare-earth(RE) silicides는 저온에서 silicides를 형성하고, n-type Si과 낮은 Schottky Barrier contact (~0.3 eV)을 이룬다. 또한 낮은 resistivity와 Si과의 작은 lattice mismatch, 그리고 epitaxial growth의 가능성, 높은 thermal stability 등의 장점을 갖고 있다. RE silicides 중 ytterbium silicide는 가장 낮은 electric work function을 갖고 있어 n-channel schottky barrier MOSFETs의 source/drain으로 주목받고 있다. 또한 Silicon 기반의 CMOSFETs의 성능 향상 한계로 인하여 germanium 기반의 소자에 대한 연구가 이루어져 왔다. Ge 기반 FETs 제작을 위해서는 낮은 source/drain series/contact resistances의 contact을 형성해야 한다. 본 연구에서는 저접촉 저항 contact material로서 ytterbium germanide의 가능성에 대해 고찰하고자 하였다. HRTEM과 EDS를 이용하여 ytterbium germanide의 미세구조 분석과 면저항 및 Schottky Barrier Heights 등의 전기적 특성 분석을 진행하였다. Low doped n-type Ge (100) wafer를 1%의 hydrofluoric (HF) acid solution에 세정하여 native oxide layer를 제거하고, 고진공에서 RF sputtering 법을 이용하여 ytterbium 30 nm를 먼저 증착하고, 그 위에 ytterbium의 oxidation을 방지하기 위한 capping layer로 100 nm 두께의 TiN을 증착하였다. 증착 후, rapid thermal anneal (RTA)을 이용하여 N2 분위기에서 $300{\sim}700^{\circ}C$에서 각각 1분간 열처리하여 ytterbium germanides를 형성하였다. Ytterbium germanide의 미세구조 분석은 transmission electron microscopy (JEM-2100F)을 이용하였다. 면 저항 측정을 위해 sulfuric acid와 hydrogen peroxide solution (H2SO4:H2O2=6:1)에서 strip을 진행하여 TiN과 unreacted Yb을 제거하였고, 4-point probe를 통하여 측정하였다. Yb germanides의 면저항은 열처리 온도 증가에 따라 감소하다 증가하는 경향을 보이고, $400{\sim}500^{\circ}C$에서 가장 작은 면저항을 나타내었다. HRTEM 분석 결과, deposition 과정에서 Yb과 Si의 intermixing이 일어나 amorphous layer가 존재하였고, 열처리 온도가 증가하면서 diffusion이 더 활발히 일어나 amorphous layer의 두께가 증가하였다. $350^{\circ}C$ 열처리 샘플에서 germanide/Ge interface에서 epitaxial 구조의 crystalline Yb germanide가 형성되었고, EDS 측정 및 diffraction pattern을 통하여 안정상인 YbGe2-X phase임을 확인하였다. 이러한 epitaxial growth는 면저항의 감소를 가져왔으며, 열처리 온도가 증가하면서 epitaxial layer가 증가하다가 고온에서 polycrystalline 구조의 Yb germanide가 형성되어 면저항의 증가를 가져왔다. Schottky Barrier Heights 측정 결과 또한 면저항 경향과 동일하게 열처리 증가에 따라 감소하다가 고온에서 다시 증가하였다.

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Neuro-Fuzzy Controller Design for Level Controls

  • Intajag, S.;Tipsuwanporn, V.;Koetsam-ang, N.;Witheephanich, K.
    • 제어로봇시스템학회:학술대회논문집
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    • 제어로봇시스템학회 2004년도 ICCAS
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    • pp.546-551
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    • 2004
  • In this paper, a level controller is designed with the neuro-fuzzy model based on Takagi-Sugeno fuzzy system. The fuzzy system is employed as the controller, which can be tuned by the neural network mechanism based on a gradient descent technique. The tuning mechanism will provide an optimal process input by forcing the process error to zero. The proposed controller provides the online tunable mode to adjust the consequent membership function parameters. The controller is implemented with M-file and graphic user interface (GUI) of Matlab program. The program uses MPIBM3 interface card to connect with the industrial processes In the experimentation, the proposed method is tested to vary of the process parameters, set points and load disturbance. Processes of one tank and two tanks are used to evaluate the efficiency of our controller. The results of the both processes are compared with two PID systems that are 3G25A-PIDO1-E and E5AK of OMRON. From the comparison results, our controller performance can be archived in the case of more robustness than the two PID systems.

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Valproic Acid Induces Transcriptional Activation of Human GD3 Synthase (hST8Sia I) in SK-N-BE(2)-C Human Neuroblastoma Cells

  • Kwon, Haw-Young;Dae, Hyun-Mi;Song, Na-Ri;Kim, Kyoung-Sook;Kim, Cheorl-Ho;Lee, Young-Choon
    • Molecules and Cells
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    • 제27권1호
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    • pp.113-118
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    • 2009
  • In this study, we have shown the transcriptional regulation of the human GD3 synthase (hST8Sia I) induced by valproic acid (VPA) in human neuroblastoma SK-N-BE(2)-C cells. To elucidate the mechanism underlying the regulation of hST8Sia I gene expression in VPA-stimulated SK-N-BE(2)-C cells, we characterized the promoter region of the hST8Sia I gene. Functional analysis of the 5'-flanking region of the hST8Sia I gene by the transient expression method showed that the -1146 to -646 region, which contains putative binding sites for transcription factors c-Ets-1, CREB, AP-1 and NF-${\kappa}B$, functions as the VPA-inducible promoter of hST8Sia I in SK-N-BE(2)-C cells. Site-directed mutagenesis and electrophoretic mobility shift assay indicated that the NF-${\kappa}B$ binding site at -731 to -722 was crucial for the VPA-induced expression of hST8Sia I in SK-N-BE(2)-C cells. In addition, the transcriptional activity of hST8Sia I induced by VPA in SK-N-BE(2)-C cells was strongly inhibited by SP600125, which is a c-Jun N-terminal kinase (JNK) inhibitor, and $G{\ddot{O}}6976$, which is a protein kinase C (PKC) inhibitor, as determined by RT-PCR (reverse transcription-polymerase chain reaction) and luciferase assays. These results suggest that VPA markedly modulated transcriptional regulation of hST8Sia I gene expression through PKC/JNK signal pathways in SK-N-BE(2)-C cells.

(0001), (10${\bar{1}}$2)와 (11${\bar{2}}$0) Sapphire 기판에서 Gallium Nitribe 단결정 박막의 성장 (Single Crystal Growing of Gallium Nitride Films on (0001), (10${\bar{1}}$2) and(11${\bar{2}}$0) Sappire)

  • 황진수;알렉산
    • 한국결정학회지
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    • 제5권1호
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    • pp.24-32
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    • 1994
  • (0001),(1012) 및 (1120)면 sapphire 기판위에 성장되는 (0001), (1120) 및 (1011)면 GaN epitaxy 박막을 Ga/HCI/NH3/He 계를 사용한 HVPE(halide vapor phase epitaxy)방법에 의하여 성장시키는 연구를 수행하였다. 박막의 표면조직과 결정구조는 XRD, RHEED와 SEM으로 분석하였으며, 성장된 막의 화학적 조성은 XPS로 관찰되었다. (1120) sapphire위에는 각각 (0001)과 (1120) GaN epitaxy 박막의 두가지 배향관계가 관찰되었다. (0001)면 GaN epitaxy 박막은 (0001)과 (1120)면 sapphire 기판위에서 1050℃ 의 고온으로 성장시킬 때 이차원적인 성장구조를 보여주였으며, (1120) sapphire 기판위에 성장된 (1011) GaN 박막이 주사전자현미경과 RHEED 분석결과 가장 좋은 표면조직과 결정구조를 보여주었다.

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