This study has carried out a performance of dimensionally stable anode for the purpose of disinfection of Legionella pneumophila in water. Three kinds of electrode were prepared by plating and thermal deposition, which were coated by the oxides of Pt, Ru and Ir on Ti metal surface, respectively. The order of disinfection performance for Legionella pneumophila was Ru/Ti > Ir/Ti > Pt/Ti. Free Cl and $ClO_2$ generation of Ir/Ti electrode was higher than that of two electrodes. However, the concentrations of generated $H_2O_2$ and $O_3$ of the Ru/Ti electrode were highest among the three electrodes. The higher NaCl concentration was, the more oxidants was generated and disinfection effect was increased. However, optimum NaCl dosage was 0.0125% due to the regulation on the conductivity and $Cl^-$ concentration for the cooling water quality of air conditioning and refrigeration equipment. With the increase of current, oxidants was more generated and following disinfection effect was increased. The increase of electrode distance reduced oxidants generation due to the low electric power, and their disinfection effect was decreased accordingly.
In this paper, in-situ deposited $Ru/RuO_2$ bottom electrodes have been investigated as new bottom electrodes for PZT thin film capacitor application. As a comparison, structural and electrical properties of PZT thin films on Pt/Ti and $RuO_2$ bottom electrodes are also investigated. The use of $Ru/RuO_2$ hybrid electrodes showed better electrical properties in compression with $RuO_2$ bottom electrode. With increasing Ru electrode thickness, the PZT thin films showed preferred orientation along the (110) direction and and leakage current of PZT thin films were improved. The PZT thin films on Ru (100nm)/$RuO_2$ electrodes exhibited excellent ferroelectric properties such as remant polarization and coercive field of $7.2C/cm^2$ and 46.35 kV/cm, respectively.
In this paper, in-situ deposited Ru/RuO$_2$ bottom electrodes have been investigated as new bottom electrodes for PZT thin film capacitor application. As a comparison, structural and electrical properties of PZT thin films on Pt/Ti and RuO$_2$ bottom electrodes are also investigated. The use of Ru/RuO$_2$ hybrid electrodes showed better electrical properties in compression with RuO$_2$ bottom electrode. With increasing Ru electrode thickness, the PZT thin films showed preferred orientation along the (110) direction and leakage current of PZT thin films were improved. The PZT thin films on Ru (100nm)/RuO$_2$ electrodes exhibited excellent ferroelectric properties such as remant polarization and coercive field of 7.2 C/$\textrm{cm}^2$ and 46.35 kV/cm, respectively.
이 논문은 센서 및 연료전지에 사용할 수 있는 $Pt-Ru@TiO_2-H$ 나노구조체촉매의 제조 및 전기화학적 촉매의 특성에 대한 것이다. 이 $Pt-Ru@TiO_2-H$ 나노구조체촉매는 주형제인 폴리스틸렌볼(PSB)을 제조하고, 이 주형제의 표면에 졸-겔 반응을 통해 $TiO_2$를 코팅한 후, $Pt^{4+}$와 $Ru^{3+}$의 환원에 의해 제조하였다. 제조된, $Pt-Ru@TiO_2-H$ 나노구조체촉매는 전자투과현미경(TEM), X-선 회절(XRD)와 원소분석에 의해 특성평가 하였고, $Pt-Ru@TiO_2-H$의 전기화학적 촉매특성은 에탄올, 메탄올, 도파민, 아스크로브 산, 프로말린과 글루코오즈의 산화-환원 능력에 의해 평가 하였다. 이 $Pt-Ru@TiO_2-H$ 나노구조체촉매는 바이오분자에 대해 전기화학적촉매 특성을 나타내어, 연료전지 전극 또는 비효소바이오센서에 사용 될 것으로 기대된다.
PZT thin films (3500$\AA$) have been prepard on the Ru/Ru $O_2$ and Ru $O_2$ bottom electrodes with a RF magnetron sputtering system using P $b_{1.05}$(Z $r_{0.52}$, $Ti_{0.48}$) $O_3$ ceramic target. Ru/Ru $O_2$ bottom electrode was fabricated by in-situ processing controlled the $O_2$ partial pressure. The PZT thin films deposited on the Ru/Ru $O_2$ bottom electrode were preferred oriented (101) plane. The PZT thin films deposited on the Ru/Ru $O_2$ bottom electrodes showed better electrical properties than those with Ru $O_2$ bottom electrodes because Ru $O_2$ prevented oxygen vacancies and impurities from existing withing the interface and substrate.e.
[ $RuO_2$ ]는 DRAM과 FRAM소자에서 고유전 capacitors의 저전극물질로서 폭넓게 연구되고 있다. 본 연구에서는 XRD, SEM, AFM 분석 등을 통하여 금속유기 화학 증착법(MOCVD)으로 $RuO_2$ 증착시 핵생성에 영향을 미치는 수소, 산소, 아르곤 ECR플라즈마 전처리 효과를 조사하였으며, 아르곤 ECR플라즈마 전처리의 경우 가장 높은 핵생성 밀도를 나타내었다. ECR 플라즈마 전처리를 통한 $RuO_2$의 핵생성 향상 메카니즘은 아르곤이나 수소 ECR 플라즈마는 TiN막 표면의 질소나 산소원자를 제거하고 따라서 TiN막 표면은 Ti-rich TiN으로 바뀌게 되는 것이다.
Ruthenium is one of the noble metals having good thermal and chemical stability, low resistivity, and relatively high work function(4.71eV). Because of these good physical, chemical, and electrical properties, Ru thin films have been extensively studied for various applications in semiconductor devices such as gate electrode for FET, capacitor electrodes for dynamic random access memories(DRAMs) with high-k dielectrics such as $Ta_2O_5$ and (Ba,Sr)$TiO_3$, and capacitor electrode for ferroelectric random access memories(FRAMs) with Pb(Zr,Ti)$O_3$. Additionally, Ru thin films have been studied for copper(Cu) seed layers for Cu electrochemical plating(ECP) in metallization process because of its good adhesion to and immiscibility with Cu. We investigated Ru thin films by thermal ALD with various deposition parameters such as deposition temperature, oxygen flow rate, and source pulse time. Ru thin films were grown by ALD(Lucida D100, NCD Co.) using RuDi as precursor and $O_2$ gas as a reactant at 200~$350^{\circ}C$.
$TiO_2$는 우수한 화학적 및 물리적 안정성 때문에 수전해 장기간 사용에 적합한 전기화학 전극으로 여겨진다. 큰 표면적을 갖는 $TiO_2$를 제조하기 위한 수많은 방법 중 양극산화(anodization)는 비교적 간단하고 저렴한 공정으로 인하여 매우 실용적인 방법으로서 알려져 있다. 특히, 고도로 정렬 된 $TiO_2$ 나노튜브($TiO_2$ NTs) 의 경우에는 분말상과 달리 전극제조를 위해 추가적인 접착제를 필요하지 않다. 그러나, $TiO_2$는 일반적으로 절연 특성을 나타내기 때문에 전극의 활용을 위해서는 본질적으로 촉매의 사용이 불가피하다. 다수의 전기 촉매 중, $IrO_2$와 $RuO_2$는 수전해 분야에 잘 알려진 산화 촉매이다. 그럼에도 불구하고, 특유의 높은 종횡비 때문에 $TiO_2$ 나노튜브에 전기 촉매를 균일하게 도핑하는 것은 많은 어려움이 따른다. 이를 해결하기 위한 방법으로 $RuO_2$를 도핑하기 위한 단일공정 $TiO_2$ 양극산화 기술이 보고된 바 있다. 본 연구에서는 2원 촉매($IrO_2$ 및 $RuO_2$)를 $TiO_2$ 나노튜브에 도핑하기 위한 단일공정 양극산화 기술에 대하여 연구하였다. 전구물질로써 $KRuO_4$($RuO_2$ 전구체)와 IrOx 나노입자(IrOx NPs, $IrO_2$ 전구체)를 사용하였다. 특히, IrOx를 나노 입자는 $IrCl_3$로부터 중간 매체로 합성된다. IrOx는 단일공정 양극산화 중에 $TiO_2$ 나노튜브 상에 도핑 가능한 이온 형태인 $IrO_4$-로 전환될 수 있다. 제조된 시료는 열처리 후 바로 전극으로 사용되었으며 SEM, XPS, TEM, ICP-OES 등으로 정성, 정량 분석을 수행하였다. LSV와 EIS를 통해 전기화학적 성능 평가가 이루어졌으며, LSV를 통해 포집한 기체는 가스 크로마토그래피를 사용하여 정량분석한 후 그 효율을 측정하였다.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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