• 한국진공학회:학술대회논문집
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• 한국진공학회 2000년도 제18회 학술발표회 논문개요집
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• pp.113-113
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• 2000

직접천이형 wide band gap(3.4eV) 반도체중의 하나인 GaN를 청색 및 자외선 laser diode, 고출력 전자장비 등으로 응용하기 위해서는 낮은 접합저항을 갖는 Ohmic contact이 선행되어야 한다. 그러나 만족할만한 p-type GaN의 Ohmic contact은 아직 실현되고 있지 못하며, 이는 GaN와 접합 금속과의 구체적인 반응의 연구를 필요로 한다. 본 연구에서 앞서 Pt, Pt, Ni등의 late transition metal을 p-GaN에 접합시킨 결과 이들은 접합 당시 비교적 평탄하나 후열 처리과정에서 비교적 낮은 온도에서 기판과 열팽창계수의 차이로 인하여 평탄성을 잃어버리면서 barrier height가 증가한다는 사실을 확인하였다. 따라서 본 연구에서는 이러한 열적 불안정성을 극복하기 위하여 Ni과 Pd를 차례로 증착하고 가열하면서 interfacial reaction, film morphology, Fermi level의 움직임을 monchromatic XPS(x-ray photoelectron spectroscopy) 와 SAM(scanning Auger microscopy) 그리고 ex-situ AFM을 이용하여 밝히고자 하였다. 특히 후열처리에 의한 계면 반응에 수반되는 구성 금속원소 간의 합금현상과 금속 층의 평탄성이 밀접한 관계가 있다는 것을 확인하였다. 이러한 합금과정에서 나타나는 금속원소들의 중심 준위의 이동을 체계적으로 규명하기 위해서 Pd1-xNix와 Pd1-xGax 합금들의 표준시료를 arc melting method로 만들어 농도에 따른 금속원소들의 중심 준위의 이동을 측정하여, Pd/Ni/p-GaN 및 Ni/Pd/p-GaN 계에서 열처리 온도에 따른 interfacial reaction을 확인하였다. 그 결과 두 계가 상온에서 nitride 및 alloy를 형성하지 않고 고르게 증착되고, 열처리 온도를 40$0^{\circ}C$에서 $650^{\circ}C$까지 증가시킴에 따라 계면반응의 부산물인 metallic Ga은 증가하고 있으마 nitride는 여전히 형성되지 않는 것을 확인하였다. 증착당시 Ni이 계면에 있는 Pd/Ni/p-GaN의 경우에는 52$0^{\circ}C$까지의 열처리에 의하여 Ni과 Pd가 골고루 섞이고 그 평탄성도 유지되고 barier height의 변화도 없었다. 더 높은 $650^{\circ}C$ 가열에 의해서는 surface free energy가 작은 Ga의 활발한 편석 현상으로 인해 표면은 Ga이 풍부한 Pd-Ga의 합금층으로 덮이고, 동시에 작은 pinhole들이 발생하며 barrier height도 0.3eV 가량 증가하게 된다. 반면에 증착당시 Pd이 계면에 있는 Ni/Pd/p-GaN의 경우에는 40$0^{\circ}C$의 가열까지는 두 금속이 그들 계면에서부터 섞이나, 52$0^{\circ}C$의 가열에 의해 이미 barrier height가 0.2eV 가량 증가하기 시작하였다. 더 높은 $650^{\circ}C$가열에 의해서는 커다란 pinhole, 0.5eV 가량의 barrier height 증가, Pd clustering이 동시에 관찰되었다. 따라서 Ni과 Pd의 일함수는 물론 thermal expansion coefficient가 거의 같으며 surface free energy도 거의 일치한다는 점을 감안하면, 이렇게 뚜렷한 열적 안정성의 차이는 GaN와 contact metal과의 반응시작 온도(disruption onset temperature)의 차이에 기인함을 알 수 있었다. 즉 계면에서의 반응에 의해 편석되는 Ga에 의해 박막의 strain이 이완되면, pinhole 등의 박막결함이 줄어 들고, 이는 계면의 N의 out-diffusion을 방지하여 p-type GaN의 barrier height 증가를 막게 된다.

• 한국세라믹학회지
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• 제34권6호
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• pp.620-628
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• 1997

The possibility of the existence of a field-induced micro-macrodomain switching was proposed and examined using 9 mol % PbZrO3-doped 0.6Pb(Ni1/3Nb2/3)O3-PbTiO3 (PNN-PT) systems having rhombohedral symmetry at room temperature. the thermally depoled (freshly prepard) specimens prepared from the rhombohedral side of the system exhibited a relaxor behavior for the whole range of temperature examined (for T

• 한국전기전자재료학회:학술대회논문집
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• 한국전기전자재료학회 2002년도 하계학술대회 논문집
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• pp.350-353
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• 2002

High voltage SiC Schottky barrier diodes with field plate structure have been fabricated and characterized. N-type 4H-SiC wafer with an epilayer of ∼10$\^$15/㎤ doping level was used as a starting material. Various Schottky metals such as Ni, Pt, Ta, Ti were sputtered and thermally-evaporated on the low-doped epilayer. Ohmic contact was formed at the backside of the SiC wafer by annealing at 950$^{\circ}C$ for 90 sec in argon using rapid thermal annealer. Field oxide of 550${\AA}$ in thickness was formed by a wet oxidation process at l150$^{\circ}C$ for 3h and subsequently heat-treated at l150$^{\circ}C$ for 30 min in argon for improving oxide quality. The turn-on voltages of the Ni/4H-SiC Schottky diode was 1.6V which was much higher than those of Pt(1.0V), Ta(0.7V) and Ti(0.7). The voltage drop was measured at the current density of 100A/$\textrm{cm}^2$ showing 2.1V for Ni Schottky diode, 1.45V for Pt 1.35V, for Ta, and 1.25V for Ti, respectively. The maximum reverse breakdown voltage was measured 1100V in the file plated Schottky diodes with 101an thick epilayer.

• 한국가스학회지
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• 제5권1호
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• pp.15-20
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• 2001

저온 마이크로웨이브 플라즈마와 촉매반응에 의한 메탄올 활성화하여 C2+ 화합물과 수소로 전환하는 반응을 고찰하였다. 금속 촉매인 Fe, Ni과 귀금속 촉매인 Pt, Pd 계열의 촉매로 본 실험을 수행하였다 메탄의 유속이 $20ml\;min^{-1}$일때 플라즈마의 출력이 증가할수록 C2+ 생성물은 29에서 $42\%$로 증가하였으며 동시에 메탄의 커플링 반응에서 발생하는 수소는 0.6에서 0.65 몰분율을 나타내었다. 촉매는 플라즈마 영역 후단에 위치하였을 때, C2+ 생성물이 일정한 수율을 나타내는 반면 에틸렌과 아세틸렌의 선택도는 향상되었다. 플라즈마 반응후 ECR 전기장과 Pd-Ni 이원촉매를 위치했을 때 최고의 C2+ 수율은 $64\%$로 관찰되었다.

• Transactions on Electrical and Electronic Materials
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• 제8권4호
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• pp.161-165
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• 2007

In this work, Ni thin films with different thickness from $1,523{\AA}\;to\;9,827{\AA}$ were deposited for the application of micro thermal flow sensors by a magnetron sputtering and oxidized through annealing at $450^{\circ}C$ with increasing annealing time. The initial variation of resistivity decreased radically with increasing films thickness, then gradually stabilizes as the thickness increases. The resistivity of Ni thin films with $3,075{\AA}$ increased suddenly with increasing annealing time at $450{\circ}C$, then gradually stabilizes as the thickness increases after the annealing time 9 h. In case of $3,075{\AA}\;and\;9,827{\AA}$ films, the average of TCR values, measured for the operating temperature range of $0^{\circ}C\;to\;180^{\circ}C$, were $2,413.1ppm/^{\circ}C\;and\;4,438.5ppm/^{\circ}C$, respectively. Because of their high resistivity and very linear TCR, Ni oxide thin films are superior to pure Ni and Pt thin films for flow and temperature sensor applications.

• 대한전자공학회논문지SD
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• 제40권7호
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• pp.486-493
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• 2003

유기금속 화학기상 증착법(MOCVD)을 이용하여 사파이어 기판에 AlGaN/n/sup ＋/-GaN 구조와 AlGaN/AlGaN interlayer/n/sup ＋/-GaN 구조로 성장시킨 AlGaN 층을 이용하여 쇼트키형 자외선 수광소자를 제작하였다. 성장층은 약 1018의 캐리어 농도와 각각 236과 269 ㎠/V·s의 이동도를 가진다. 메사구조를 형성하기 위해 ICP 장비로 식각한 후, Si₃N₄로 절연한 뒤 Ti/Al/Ni/Au와 Pt를 이용하여 저항성 전극 및 쇼트키전극을 형성하였다. 그리고 interlayer를 갖는 Pt/Al/sub 0.33/Ga/sub 0.67/N의 전기적 특성은 -5 V에서 1 ㎁의 낮은 누설전류를 보였고, interlayer가 없는 Pt/Al/sub 0.33/Ga/sub 0.67/N은 0.1㎂로 나타났다. 광측정 결과, interlayer를 갖는 Pt/Al/sub 0.33/Ga/sub 0.63/N 쇼트키 수광소자는 차단파장이 약 300 ㎚이며, 광응답도는 280 ㎚에서 0.15 A/W, 그리고 자외선 대 가시광선 제거비는 1.5×10⁴로 우수한 반응특성을 보였다.

• Bulletin of the Korean Chemical Society
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• 제28권11호
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• pp.1996-2002
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• 2007

The redox behavior of a [Ni6(μ3-Se)2(μ4-Se)3(Fe(η 5-C5H4P-Ph2)2)3] (= [Ni-Se-dppf], dppf = 1,1-bis(diphenylphosphino) ferrocene) cluster was studied using platinum (Pt) and glassy carbon electrodes (GCE) in nonaqueous media. The cluster showed electrochemical activity at the potential range between +1.6 and ?1.6 V. In the negative region (0 to ?1.6 V), the cluster exhibited two-step reductions. The first step was one-electron reversible, while the second step was a five-electron quasi-reversible process. On the other hand, in the positive region (0 to +1.6 V), the first step involved one-electron quasi-reversible process. The applicability of the cluster was found towards the electrocatalytic reduction of CO2 and was evaluated by experiments using rotating ring disc electrode (RRDE). RRDE experiments demonstrated that two electrons were involved in the electrocatalytic reduction of CO2 to CO at the Se-Ni-dppf-modified electrode.

• 센서학회지
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• 제21권6호
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• pp.425-428
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• 2012

This paper presents the fabrication and characterization of graphene based hydrogen sensors. Graphene was synthesized by annealing process of Ni/3C-SiC thin films. Graphene was transferred onto oxidized Si substrates for fabrication of chemiresistive type hydrogen sensors. Au electrode on the graphene shows ohmic contact and the resistance is changed with hydrogen concentration. Nanoparticle catalysts of Pd and Pt were decorated. Response factor and response (recovery) time of hydrogen sensors based on the graphene are improved with catalysts. The response factors of pure graphene, Pt and Pd doped graphenes are 0.28, 0.6 and 1.26, respectively, at 50 ppm hydrogen concentration.

• E2M - 전기 전자와 첨단 소재
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• 제9권4호
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• pp.351-356
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• 1996

The quartemary system ceramics 0.5[xPb(Zn$_{1}$3/Nb$_{2}$3/)O$_{3}$-(1-x)Pb(Ni$_{1}$3/Nb$_{2}$3/)O$_{3}$]-0.5[yPbTiO$_{3}$-(1-y) PbZrO$_{3}$ for piezoelectric actuators were prepared bv the were added to the raw materials up to 5 mole. Sintering temperature was varied form 1000.deg. C to 1200.deg. C. Sintering characteristrics, dielectric and piezoelectric properties were then investigated. Piezoelectric properties of sample prepared by the molten salt method were improved compared to those prepared by the conventional method. Addition of PZN shifted morphotropic phase boundary to more Zr-rich composition and decreased the piezoelectric properties.

• 한국전기전자재료학회논문지
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• 제14권1호
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• pp.12-19
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• 2001

In this study, the physical properties of the piezoelectric sounder with metal-piezoelectric ceramics were analyzed. The dielectric and piezoeletric properties of 0.5wt% MnO$_2$ and NiO doped 0.1Pb(Mg$\_$1/3/Nb$\_$2/3/)O$_3$-0.45PbTiO$_3$-0.45PbZrO$_3$ ceramics were investigated aiming at acoustic transducer applications. The acoustic characteristics of a thin circular disc-type with metal-piezoceramics have been investigated. Also, the acoustic characteristics for the geometrical form of case were investigated. The piezoelectric sounder with 200kHz resonant frequency and 20kHz bandwidth was designed by considering the sharp directivity and the sound pressure.