The aim of the study was to explore the possible molecular markers of chloroquine resistance in Plasmodium vivax isolates in Thailand. A total of 30 P. vivax isolates were collected from a malaria endemic area along the Thai-Myanmar border in Mae Sot district of Thailand. Dried blood spot samples were collected for analysis of Pvmdr1 and Pvcrt-o polymorphisms. Blood samples ($100{\mu}l$) were collected by finger-prick for in vitro chloroquine susceptibility testing by schizont maturation inhibition assay. Based on the cut-off $IC_{50}$ of 100 nM, 19 (63.3%) isolates were classified as chloroquine resistant P. vivax isolates. Seven non-synonymous mutations and 2 synonymous were identified in Pvmdr1 gene. Y976F and F1076L mutations were detected in 7 (23.3%) and 16 isolates (53.3%), respectively. Analysis of Pvcrt-o gene revealed that all isolates were wild-type. Our results suggest that chloroquine resistance gene is now spreading in this area. Monitoring of chloroquine resistant molecular markers provide a useful tool for future control of P. vivax malaria.
Total 114 patients were studied prospectively with radioiodine uptake (RAIU) and $^{99m}TcO_4^-$ thyroid scan to design a very simple, rapid and inexpensive method measuring the thyroid uptake on thyroid scan. After the RAIU was obtained at 24 hours after P.O. of $^{131}I$, Thyroid scan was performed at 20 minutes after LV. of $^{99m}TcO_4^-$ and the bilateral salivary glands were included in the scan field. Pinhole collimated and computer assisted gamma camera was used. Three regions of interest were set on each salivary gland and on the thyroid by automatic edge detection method. Mean counts per pixel were calculated for each ROI and the salivary-thyroid ratio (STR) was defined as; $$STR(%)=\frac{Mean\;counts\;per\;pixel\;of\;salivary\;glands\;(KC)}{Mean\;counts\;per\;pixel\;of\;thyroid\;gland\;(KC)}\times100$$ 114 cases consisted of 41 normal, 55 hyperthyroid and 18 hypothyroid patients and correlation between the STR and the RAID were evaluated in total and each group. The STR and the RAID showed reverse linear regression in 114 cases (r= -0.8, P=0) and closer correlation was shown in hyperthyroid group (r= -0_9, p=0). Mean STR in normal group was 47.6%. In predicting the RAID by STR, sensitivity and specificity were 88.3% and 64.9% in 114 cases and 95.3% and 83.3% in hyperthyroid group. It is recommended that the STR be used in place of the RAID giving same information at saving time, money and radiation exposure.
Journal of Electrical Engineering and information Science
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v.3
no.2
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pp.239-244
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1998
Piezoelectric pressure sensors and pyroelectric infrared detectors based on ZnO thin film have been integrated with GaAs metal-semiconductor field effect transistor (MESFET) amplifiers. Surface micromachining techniques have been applied in a GaAs MESFET process to form both microsensors and electronic circuits. The on-chip integration of microsensors such as pressure sensors and infrared detectors with GaAs integrated circuits is attractive because of the higher operating temperature up to 200 oC for GaAs devices compared to 125 oC for silicon devices and radiation hardness for infrared imaging applications. The microsensors incorporate a 1${\mu}$m-thick sputtered ZnO capacitor supported by a 2${\mu}$m-thick aluminum membrane formed on a semi-insulating GaAs substrate. The piezoelectric pressure sensor of an area 80${\times}$80 ${\mu}$m2 designed for use as a miniature microphone exhibits 2.99${\mu}$V/${\mu}$ bar sensitivity at 400Hz. The voltage responsivity and the detectivity of a single infrared detector of an area 80${\times}$80 $\mu\textrm{m}$2 is 700 V/W and 6${\times}$108cm$.$ Hz/W at 10Hz respectively, and the time constant of the sensor with the amplifying circuit is 53 ms. Circuits using 4${\mu}$m-gate GaAs MESFETs are fabricated in planar, direct ion-implanted process. The measured transconductance of a 4${\mu}$m-gate GaAs MESFET is 25.6 mS/mm and 12.4 mS/mm at 27 oC and 200oC, respectively. A differential amplifier whose voltage gain in 33.7 dB using 4${\mu}$m gate GaAs MESFETs is fabricated for high selectivity to the physical variable being sensed.
We constructed a wire-cylinder type pulsed corona discharge system for $NO_x$ removal, which was operated in room temperature. A emission spectrometer was built with a boxcar averager and monochrometer equipped with photo-multiplier tube detector. The sensitivity of the emission spectrometer was greatly improved by synchronizing the emission spectrometer with pulsed corona discharge system using a triggered spark-gap switch. $N_2$ spectrum($c^3{\Pi}_u{\rightarrow}X^1{\Sigma}_g{^+}$) was measured in the range of 300 - 450 nm and oxidizing OH radical emission($A^2{\Sigma}^+{\rightarrow}X^2{\Pi}$) was measured in case $N_2$ was supplied with water bubbling. As wet gas composition of inlet $N_2$ supplied in the discharge system increased, the intensity of OH emission was increased and saturated at wet gas composition 50%. We also investigated additive effect of $C_2H_4,\;H_2O,\;H_2O_2$ on the intensity of OR emission and $NO/NO_2/NO_x$ reduction and analysed the related reaction mechanism in corona discharge process. $H_2O_2$ additive increased the intensity of OH emission and $NO/NO_x$ reduction.
Proceedings of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers Conference
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2008.06a
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pp.365-365
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2008
In this work, Ga-doped ZnO (GZO) thin films for NOx gas sensor application were deposited on low temperature co-fired ceramics (LTCC) substrates, by RF magnetron sputtering method. The LTCC substrate is one of promising materials for this application since it has many advantages (e.g., low cost production, high manufacturing yields and easy realizing 3D structure etc.). The LTCC substrates with thickness of 400 pm were fabricated by laminating 12 green tapes which consist of alumina and glass particle in an organic binder. The structural properties of the fabricated GZO thin films with different thickness are analyzed by X-ray diffraction method (XRD) and field emission scanning electron microscope (FESEM). The GZO gas sensors are tested by gas measurement system under varing operation temperature and show good performance to the NOx gas in sensitivity and response time.
Kim, Jin-Ho;Hwang, Jong-Hee;Lee, Mi-Jai;Kim, Sei-Ki;Lim, Tae-Young
Journal of the Korean Crystal Growth and Crystal Technology
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v.20
no.5
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pp.221-226
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2010
Quartz crystal microbalance (QCM) gas sensor to detect methyl mercaptan ($CH_3SH$) gas was fabricated by depositing $TiO_2$ nanoparticles and polyelectrolyte on the electrode of QCM. The $TiO_2$/poly(sodium 4-styrenesulfonate) (PSS) thin film fabricated by a layer-by-layer self-assembly (LBL-SA) method showed a high surface area and increased the sensitivity of gas sensor. When the QCM sensors coated with triethanolamine (TEA) or ($TiO_2$/PSS) were exposed to methyl mercaptan gas (1.0 ppm), the frequency shifts of QCM with TEA casting film and $TiO_2$/PSS thin film were ca. 9 Hz and ca. 24 Hz, respectively. As the bilayer number of ($TiO_2$/PSS) increased, the frequency shift of QCM sensor with ($TiO_2$/PSS) thin film was gradually increased. In addition, the frequency shift of QCM sensor was gradually increased as the concentration of methyl mercaptan gas increased from 0.5 ppm to 2.0 ppm. In this study, the surface morphology and sensor property of QCM sensor coated with ($TiO_2$/PSS) thin film were measured.
Journal of the Korea Academia-Industrial cooperation Society
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v.20
no.4
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pp.458-463
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2019
Palladium (Pd) is widely used as a catalyst and noxious gas sensing materials. Especially, various researches of Pd based hydrogen gas sensor have been studied due to the noble property, Pd can be adsorbed hydrogen up to 900 times its own volume. In this study, palladium oxide (PdO) nanostructures were grown on Si substrate ($SiO_2(300nm)/Si$) for 3 to 5 hours at $230^{\circ}C{\sim}440^{\circ}C$ using thermal chemical vapor deposition system. Pd powder (source material) was vaporized at $950^{\circ}C$ and high purity Ar gas (carrier gas) was flown with the 200 sccm. The surface morphology of as-grown PdO nanostructures were characterized by field-emission scanning electron microscopy(FE-SEM). The crystallographic properties were confirmed by Raman spectroscopy. As the results, the as-grown nanostructures exhibit PdO phase. The nano-cube structures of PdO were synthesized at specific substrate temperatures and specific growth duration. Especially, PdO nano-cube structrures were uniformly grown at $370^{\circ}C$ for growth duration of 5 hours. The PdO nano-cube structures are attributed to vapor-liquid-solid process. The nano-cube structures of PdO on graphene nanosheet can be applied to fabricate of high sensitivity hydrogen gas sensor.
Park, Sang-Il;Park, Joon-Shik;Lee, Min-Ho;Park, Kwang-Bum;Kim, Seong-Dong;Park, Hyo-Derk;Lee, In-Kyu
IEMEK Journal of Embedded Systems and Applications
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v.2
no.2
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pp.76-81
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2007
A novel multi-layer type micro gas sensor for $NO_X$ detection was designed and fabricated. Micro platform defined as type II-1 in this article for micro gas sensor was fabricated using the MEMS technology to meet the demanding needs of lower power consumption. Nano composite materials were fabricated with nanosized tin oxide powder and $\underline{m}$ulti-$\underline{w}$all $\underline{c}$arbon $\underline{n}$ano $\underline{t}$ube (MWCNT) to improve sensitivity. We investigated characteristics of fabricated multi-layer type micro gas sensor with $NO_2$ concentration variations at constant 2.2 V. Sensitivity (S) of micro gas sensor were observed to increase from 2.9, to 7.4 and 11.2 as concentrations of $NO_2$ gases increased from 2.4 ppm, to 3.6 ppm and 4.9 ppm. When 2.4 ppm of $NO_2$ gas was applied, response time and recovery time of micro gas sensor were recorded as 101 seconds and 142 seconds, respectively.
Han, Hyeuk Jin;Park, Chong Ook;Hong, Youngkyu;Kim, Jong Suk;Yang, Jeong Woo;Kim, Yoon Seo
Journal of Sensor Science and Technology
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v.24
no.1
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pp.6-9
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2015
Conventional leak detectors are widely based on helium gas sensors. However, the usage of hydrogen sensors in leak detectors has increased because of the high prices of helium leak detectors and the dearth in the supply of helium gas. In this study, a hydrogen leak detector was developed using solid-state hydrogen sensors. The hydrogen sensors are based on Park-Rapp probes with heterojunctions made by oxygen-ion conducting Yttria-stabilized zirconia and proton-conducting In-doped $CaZrO_3$. The hydrogen sensors were used for determining the potential difference between air and air balanced 5 ppm of $H_2$. Even though the Park-Rapp probe shows an excellent selectivity for hydrogen, the sensitivity of the sensor was low because of the low concentration of hydrogen, and the oxygen on the surface of the sensor. In order to increase the sensitivity of the sensor, the sensors were connected in series by Pt wires to increase the potential difference. The sensors were tested at temperatures ranging from $500-600^{\circ}C$.
Respiratory tubes with a length of 35mm and diameters of 10, 15, and 20mm were made for experimental purpose, and both the static$(P_s)\;and\;dynamic(P_D)$ pressures were simultaneously measured for steady flow rates ranging 1-12//sec. Least squares analysis resulted successful fitting of $P_s\;and\;P_D$ data with quadratic equations with correlation coefficients higher than 0.99(P<0.0001). The spirometric measurement standards of the American Thoracic Society(ATS) were applied to $P_s$ data, which demonstrated the smallest tube diameter of 15mm to satisfy the ATS standards. The maximum $P_D$ value of the velocity type transducer(the functional single use respiratory air flow tube) with the diameter of 15mm was estimated to be approximately $75cmH_2O$, implying more than 7 times larger sensitivity than the widely used pneumotachometers. These results showed that the velocity type respiratory air flow transducer is a unique device accomplishing miniaturization with the sensitivity increased, thus would be of great advantage to develop portable medical devices.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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