리튬 이차 전지의 전기화학적 특성 및 안전성 향상을 위한 음극 활물질 표면 처리 재료로 $Al_2O_3$와 $nano-Li_4Ti_5O_{12}$등이 사용된다. 표면 처리된 음극 활물질의 형상과 특성을 관찰하기 위해 주사전자현미경(Scanning electron microscopy, SEM), 투과전자현미경(Transmission electron microscopy, TEM)으로 관찰하였으며, 전기화학적 특성 및 안전성 평가를 위해 충방전기 및 가속 율열량계(Accelerating Rate Calorimeter, ARC)를 사용하였다. 각각의 금속 산화물에 따른 초기 효율 및 초기 용량은 82.5%와 350mAh/g로 동일하지만, 충방전 율속에 따른 특성 및 수명, 그리고 열적 안전성은 $nano-Li_4Ti_5O_{12}$로 음극 활물질을 표면 처리 한 활물질이 더 우수하였다.
In this study, novel $Ag_2Se$ sensitized $TiO_2$ nanocomposites were prepared by facile sonochemical assisted synthesis method. The as-prepared products were characterized by X-ray diffraction (XRD), Scanning electron microscopy (SEM) with energy dispersive X-ray (EDX) analysis, transmission electron microscopy (TEM), and N2 adsorption BET analysis. The as-prepared $Ag_2Se/TiO_2$ nanocomposites simultaneously possessed great adsorptivity for organic dyes and efficient charge separation properties. In the decolorization of rhodamine B, a significant enhancement in the reaction rate was observed for the $Ag_2Se/TiO_2$ nanocomposite compared to the cases of using pure P25 or $TiO_2$. The sonocatalysis activity was higher due to the greater formation of reactive radicals, as well as to the increase of the active surface area of the $Ag_2Se/TiO_2$ nanocomposite.
Han, Biao;Kim, Si-Jin;Hwang, Bo-Mi;Hwang, Eui-Tak;Park, Han Chul;Koh, Mun-Hyun;Park, Kyung-Won
전기화학회지
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제16권2호
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pp.81-84
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2013
We demonstrate rutile $TiO_2$ branched nanostructure ($TiO_2$-BN) electrodes synthesized by seeding method for enhanced lithium intercalation properties. The morphology and crystalline nature of the $TiO_2$-BN were clearly observed by field-emission transmission electron microscopy and fast Fourier transform pattern. The $TiO_2$-BN electrodes showed excellent capacity and high rate performance. The improved lithium-ion intercalation properties of the $TiO_2$- BN may be attributed to relatively large specific surface area and short transport distance of the branched nanostructure.
We prepared orthorhombic $LiMnO_2$ by emulsion drying method. The thermo-gravimetric measurement and X-ray diffraction studies indicated that the orthorhombic $LiMnO_2$ phase was formed above $800^{\circ}C$ by oxygen evaporation process from $LiMn_2O_4$ and $Li_2MnO_3$. In this process, we could control the ordering of $LiMnO_2$ with heating rate. It was observed that electrochemical properties depended on the ordering of this material; the ordered one exhibited good capacity retention, whereas the disordered one suffered capacity fading upon cycling, especially in the 3 V region. Transmission electron microscopic (TEM) study showed that this difference is related with difference in the stress relieving effects in the samples.
MOCVD 법을 이용하여 TiO$_2$ 박막을 제작하여, 투과곡선을 비교적 간단하게 분석할 수 있는 포락선방법을 사용하여 기판온도에 따른 TiO$_2$ 박막의 굴절률, 소광계수 등의 광학적 상수들을 구하였다. 투과곡선의 모사를 실시하여 포락선방법으로 구한 값들이 매우 신뢰도가 높음을 입증하였다. TiO$_2$ 박막은 35$0^{\circ}C$ 에서 부터 결정화가 되기 시작하여, 40$0^{\circ}C$ 이상에서 tetragonal structure 를 갖는 anatase 상으로 완전히 결정화됨을 알 수 있다. 기판온도에 따른 증착률을 Arrhenius plot 하여 구한 활성화에너지는 reaction limited 단계에서 17.8 kcal/mol 이었다. 포락선방법을 이용하여 구한 TiO$_2$ 박막의 굴절률 (λ=632.8 nm) 은 기판온도가 40$0^{\circ}C$ 에서 $600^{\circ}C$ 로 증가함에 따라 2.19 에서 2.32 로 증가하는 추세를 나타내었고, 소광계수는 0.021 에서 0.007로 감소하는 경향을 나타내었다.
In this study, the influences of silicon-based gas barrier films fabricated by using a facing target sputtering(FTS) system on the gas permeability for flexible displays have been investigated. Under these optimum conditions on the $SiO_x$ film with oxygen concentration($O_2/Ar+O_2$) of 3.3% and the $SiO_xN_y$ film with nitrogen concentration($N_2/Ar+O_2+N_2$) of 30% deposited by the FTS system, it was found that the films were grown about 4 times higher deposition rate than that of the conventional sputtering system and showed high transmittance about 85% in the visible light range. Particularly, the polyethylene naphthalate(PEN) substrates with the $SiO_x$ and/or $SiO_xN_y$ films showed the enhanced properties of decreased water vapor transmission rate (WVTR) over $10^{-1}\;g/m^2{\cdot}day$ compared with the PEN substrate without any gas barrier films, which was due to high packing density in the Si-based films with high plasma density by FTS process and/or the denser chemical structure of Si-N bond in the $SiO_xN_y$ film.
An eutectic melt in the system(Bi2O3)0.85·(Nb2O5)0.15-6Bi2O3·SiO2 was unidirectionally solidfield at a rate of 0.5mm/h under a thermal gradient of 100℃/cm. Double crucibles and seed crystal plate were used in order to botain the composite crystals which had uniform microstructure throughout the ingot. The obtained composite crystals showed uniform microstructure, in which needle-like δ-(Bi2O3)0.85·(Nb2O5)0.15 crystals were arrayed in parallel in a matrix of γ-6Bi2O3·SiO2 single crystal. It was found that the <110> direction of δ-(Bi2O3)0.85·(Nb2O5)0.15 crystal was essentially parallel to the <111> direction of γ-6Bi2O3·SiO2 crystal in the composite crystals. A transverse thin plate of the composite crystals showed a high resolution optical transmission like an optical fiber array, and sharp chatoyancy was observed in the cabochon shaped composite crystals. Then, this may be useful for applications such as screen of a cathode ray tube or artificial cat's eye gem stones.
최근 디스플레이 시장의 주요 키워드는 flexible organic light emitting diode (OLED) 이다. OLED 소자의 수명을 결정하는 가장 큰 요인 중의 하나는 공기 중의 O2와 H2O에 의한 유기물의 열화이다. 따라서 공기 중의 O2나 H2O가 유기물에 쉽게 침투하는 것을 막는 것은 소자의 수명 향상을 위하여 필수적이라 할 수 있다[1-3]. SiNx 박막은 경질로 투과성이 우수하며, 화학적 불활성인 특성으로 이러한 Barrier 역할로 연구되어 산업분야에 다양하게 응용되고 있다[4]. SiNx 박막은 일반적으로 plasma enhanced chemical vapor deposition (PECVD) 기술을 이용하여 증착되는데 기존의 PECVD 기술을 이용한 SiNx 박막은 낮은 water vapor transmission rate (WVTR) 등의 문제점들로 인해 한계점이 들어났다. 본 연구에서는, flexible display의 thin film encapsulation (TFE) 공정에서의 적용을 알아보기 위해 $370{\times}470$ size를 증착할 수 있는 In-line 장비를 이용하였으며, 기존의 PECVD 기술의 문제점으로 지적되고 있는 낮은 WVTR을 해결하기 위하여 저온 (<$100^{\circ}C$) 선형 PECVD 기술을 이용하여 WVTR을 개선하고자 하였다. 공정가스로는 SiH4와 NH3를 사용하였으며, SiH4 Carrier 가스로 He을 추가적으로 사용하였다. 또한 공정 압력은 100mTorr를 유지하였다. 증착된 SiNx 박막의 물리적, 화학적 특성 분석을 위해 분광엘립소메타, field emission electron microscopy (FESEM), X-ray diffraction (XRD), Rutherford backscattering spectrometry (RBS) 등을 이용하여 측정하였으며, 박막에 투습되는 수분의 양은 MOCON사의 AQUATRAN 2(W)로 측정하였다. OLED 소자를 구현하기 위해서는 기본적으로 봉지층에 투습되는 양을 $10-6g/m2{\cdot}day$ 이하로 막아줘야 한다고 알려져 있으나, 기존의 PECVD 기술을 이용하여 제작된 SiNx 박막의 WVTR은 $10-2{\sim}10-3g/m2{\cdot}day$ 레벨의 WVTR 결과를 보이고 있다. 본 연구에서 사용된 저온 선형 PECVD 기술을 이용하여 제작된 SiNx 박막의 WVTR은 $5.0{\times}10-5g/m2{\cdot}day$ 이하의 개선된 결과를 확인 할 수 있었다. 또한 flexible display에 적용하기 위해 SiNx 박막의 두께를 최소화한 100nm의 두께에서도 WVTR은 $5.0{\times}10-5g/m2{\cdot}day$ 이하의 결과가 유지됨을 알 수 있었다.
Encapsulation of organic based devices is essential issue due to easy deterioration of organic material by water vapor. Thin layer of encapsulation film is required to preserve transparency yet protecting materials in it. Atomic layer deposition(ALD) is a promising solution because of its low temperature deposition and quality of the deposited film. $Al_2O_3$ or $Al_2O_3/TiO_2/Al_2O_3$ multilayer film has shown excellent environmental protection characteristics despite of thin thicknesses of the films. $Al_2O_3/TiO_2/Al_2O_3$ multilayer and 1.5 dyad layer of $Al_2O_3/polymer/Al_2O_3$ deposited by ALD was measured to have water vapor transmittance rate(WVTR) well below the detection limit($5.0{\times}10^{-5}g/m^2day$) of MOCON Aquatran 2 equipment.
To improvement life-time of the organic light emitting diodes(OLEDs). We investigate the inorganic composite film based on MgO and $SiO_2$ to protect from the moisture and oxygen. The inorganic composite films are added the base materials to the co-operate materials using the mixed process and it is deposited on plastic substrate by e-beam evaporator. In order to analyze as kinds of inorganic materials, Water Vapor method of Transmission Rate (WVTR) and Oxygen Transmission Rate (OTR) are measured by Permatran equipment(MOCON Corp.). For comparison. an MgD- and $SiO_2$-based composite film has lower values of WVTR and OTR than inorganic composite/compound films of ones. The results obtained here shows that this film is suitable for passivation layer to extend the life-time of OLEDs.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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