Characterization of Nitrided $HfO_2(HfO_xN_y)$ for Gate Dielectric Application using Plasma
(게이트 유전체 적용을 위한 플라즈마를 이용해 질화된 $HfO_2$ 박막의 특성 평가)
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- Proceedings of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers Conference
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- 2003.11a
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- pp.11-14
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- 2003