본 연구는 저면관수와 엽면살포의 두 가지 관수방법에서 세 가지 규산염($CaSiO_3$, $K_2SiO_3$, $Na_2SiO_3$)의 처리가 칼랑코에의 생육에 미치는 영향을 알아보고자 수행하였다. 칼랑코에 'Peperu'를 2010년 7월 17일 삽목하고, 2010년 8월 3일에 삽목묘 중 균일한 개체를 선발하여 상토(토실이상토, 신안그로)가 담긴 10.5cm 포트에 정식하였다. 정식 후 세 가지 규산염($CaSiO_3$, $Na_2SiO_3$, $K_2SiO_3$)을 $50mg{\cdot}L^{-1}$ Si의 농도로 엽면살포 또는 저면관수로 처리하였다. 재배 중의 EC는 1.4-$1.6mS{\cdot}cm^{-1}$로, pH는 6.0의 범위를 유지하도록 공급양액과 공급량을 조절하였다. 규산염 처리 12주째에 수확하여 초장, 경경, 엽록소 함량, 꽃대 수, 꽃대 길이, 생체중과 건물 중, 그리고 식물체 내 축적된 규소함량을 측정하였다. 그 결과 저면관수와 엽면살포 처리 시 초장과 꽃대길이가 줄어들었지만, 엽면살포 처리 시 잎이 썩거나 물러지는 현상이 발견되었다. 세 가지 다른 규산염 종류 사이에서는 저면관수를 통해 공급한 $CaSiO_3$ 처리에서 규소가 칼랑코에 잎에 가장 많이 흡수되었고, 그 영향으로 엽록소 함량이 증가하였다. 신초 조직의 원소 함량은 $CaSiO_3$, $K_2SiO_3$, 그리고 $NaSiO_3$ 처리에 따라 $Ca^+$, $K^+$, 그리고 $Na^+$가 각각 높았고, 저면관수한 $K_2SiO_3$와 $NaSiO_3$ 처리에서는 $Ca^+$와 $Mg^+$, 그리고 $K^+$와 $Ca^+$가 각각 낮았다. 최종적으로 저면관수 $CaSiO_3$$50mg{\cdot}L^{-1}$ 처리한 칼랑코에의 잎에 Si가 가장 많이 축적되었고, 축적된 Si 함량의 영향으로 엽록소 함량이 증가되었다. 또한 대조구에 비해 규산염처리에서 초장과 같은 생장량이 감소되어 칼랑코에와 같은 소형 분화류의 품질을 향상시켰으나 각 규산염 처리구 사이에서의 생육에는 유의적인 차이가 없었다.
The aim of this research is to investigate the effects of gas bubbles on the formation of spheroidal graphite in cast iron, Fe-Si-8%Mg alloy, mischmetal hydride($MmH_2$) and $CaCO_3$, which discharge various amounts of Mg, $H_2$ and $Co_2$, gases, were added to Fe-3.9% C-2.0%Si melt and the melt was innoculated with 0.3wt% of 75%Fe-Si. The spheroidal graphites and/or compacted vermicular graphites were produced with more than 0.625cc/g of Mg gas or more than 0.3125cc/g of $H_2$ gas while $CO_2$ gas did not contribute to graphite spheroidization. Nodule counts increased with the amount of Fe-Si-Mg added ; but they decreased with the amount of $MmH_2$ added because the number of effective gas bubbles decrease with the increase in Mm residual. The bull's eye structure was revealed with 0.625cc/g, 1.25cc/g of Mg and 0.3125cc/g of $H_2$ ; the ledeburite structure was revealed with more than 0.625cc/g of $H_2$.
High purity Si powder was prepared in the system of $SiO_2-Mg$ combustion reaction. Various conditions of combustion reaction and leaching were investigated. As the particle size of Mg decreased and the compaction pressure increased the quantity of the unreacted power was decreased. In the acid leaching of MgO, increasing particle size, reaction temperature, rotating speed and reaction time made leaching effect low. Final Si powder produced by combustion and leaching reaction, has a high purity of 99.9% with irregular shape.
AZ31과 AZ91 Mg 합금을 Na-P 및 Na-Si 전해질을 사용하여 전해질의 농도, 인가전압, 처리시간에 따라 여러가지 조건에서 PEO 처리하여 5%의 농도를 갖는 염수분무법으로 내부식성 연구를 하였다. 일반적으로 산화피막 코팅 두께가 증가하면 내부식성이 증가하였다. 코팅두께보다 산화피막 표면의 기공크기가 커지면 장기 내부식성은 나빠지는 경향을 보인다. 산화피막의 전체적인 산화물 결정상이 증가할수록, 또 MgO 결정상 대신 $Mg_2SiO_4$ 상과 같은 다른 결정상이 증가할수록 내부식성이 월등히 증가하는 것을 알 수 있었다.
산화물계의 액상소결시 액상량을 변수로 하여 입자형성이 입자성장 거동에 미치는 영향을 고찰하였다. 산화물계 모델로 구형입자의 경우는 MgO$CaMgSiO_{4}$계를 선택하였으며, 각진입자의 경우는 $Al_{2}O_{3}$/ $CaAl_{2}Si_{2}O_{8}$계를 선택하였다. 구형입자인 MgO의 경우 액상량 증가에 따라 입자크기가 감소하였으나,각진입자인 $Al_{2}O_{3}$ 입자의 경우는 계면지배과정에 의해 성장하는 반면, 거친 고상/액상계면을 지닐 것으로 예상되는 구형 MgO입자의 경우는 확산지배과정에 의해 성장하였다.
대흥활석광상의 광석은 크게 녹니석질과 돌로마이트질로 구분되어지며 전자는 주로 녹니석과 활석, 그리고 소량의 돌로마이트, 백운모 및 불투명광물로, 후자는 활석과 돌로마이트, 그리고 사문석 및 방해석으로 구성되어 있으며 마그네사이트가 산출되기도 한다. 녹니석질 광석에서는 녹니석이, 그리고 돌로마이트질 광석에서는 사문석과 녹니석이 활석화되어 있으며 탄산염광물들은 도입된 열수용액으로부터 또는 활석화작용의 부산물로 생성되어졌다. 이것은 원암의 화학조성과 도입되는 열수용액의 화학조성 및 양이 부분적으로 다름에 기인하는 것으로 생각된다. 그러나 공존하는 활석과 녹니석, 그리고 활석과 사문석 사이의 Mg, Al 및 Fe등이 주성분들은 화학적 평형을 이루고 있어 활석화작용이 안정되게 진행되었음을 나타내고 있다. 활석이 녹니석과 사문석으로부터 생성되는 과정의 대표적인 반응식은 다음과 같다. (1)녹니석+$Mg^{++}+Si^{4+}+H_2O$=활석, (2)녹니석+$Mg^{++}+Si^{4+}+Ca^{++}+CO_2+O_2+H_2O$=활석+돌로마이트+자철석, 및 (3) 사문석+$Mg^{++}+Fe^{++}+Si^{4+}+Ca^{++}+CO_2+H_2O$=활석+돌로마이트, 열수용액에는 비교적 많은 양의 Mg와 Si가 함유된 것으로 생각되며 $fO_2$ 및 $fCO_2$가 높은 경우 탄산염광물이 형성되었다. 따라서 활석화작용은 화강암화작용에 수반된 열수용액이 편마암류내에 협재된 녹니석편암 또는 녹니석편마암과 반응하여 열수변성교대작용에 의하여 이루어졌다고 생각된다.
In spray pyrolysis, the effects of the preparation temperature, flow rate of the carrier gas and concentration of the spray solution on characteristics such as the morphology, size, and emission intensity of $Ca_8Mg(SiO_4)_4Cl_2:Eu^{2+}$ phosphor powders under long-wavelength ultraviolet light were investigated. The phosphor powders obtained post-treatment had a range of micron sizes with regular morphologies. However, the composition, crystal structure and photoluminescence intensity of the phosphor powders were affected by the preparation conditions of the precursor powders. The $Ca_8Mg(SiO_4)_4Cl_2:Eu^{2+}$ phosphor powders prepared at temperatures that were lower and higher than $700^{\circ}C$ had low photoluminescence intensities due to deficiencies related to the of Cl component. The phosphor powders with the deficient Cl component had impurity peaks of $Ca_2SiO_4$. The optimum flow rates of the carrier gas in the preparation of the $Ca_8Mg(SiO_4)_4Cl_2:Eu^{2+}$ phosphor powders with high photoluminescence intensities and regular morphologies were between 40 and 60 l/minute. Phosphor powders prepared from a spray solution above 0.5 M had regular morphologies and high photoluminescence intensities.
We have synthesized a $Eu^{2+}-activated\;Sr_3MgSi_2O_8$ blue phosphor and $(Sr,Ba)_2SiO_4$ yellow phosphor and prepared white LEDs by combining these phosphors with a InGaN UV LED chip. Three distinct emission bands from the InGaN-based LED and the two phosphors are clearly observed at 405 nm, 460 nm and at around 560 nm, respectively. The 405 nm emission band is due to a radiative recombination from a InGaN active layer. This blue emission was used as an optical transition of the $Sr_3MgSi_2O_8:Eu$ blue phosphor and $(Sr,Ba)_2SiO_4:Eu$ yellow phosphor. The 460 nm and 560 nm emission band is ascribed to a radiative recombination of $Eu^{2+}$ impurity ions in the $Sr_3MgSi_2O_8:Eu$ and $(Sr,Ba)_2SiO_4$ host matrix. As a consequence of a preparation of UV White LED lamp using the $Sr_3MgSi_2O_8:Eu$ blue phosphor and $(Sr,Ba)_2SiO_4:Eu$ yellow phosphor, the highest luminescence efficiency was obtained at the ration of epoxy/two phosphor (1/0.2361). At this time, the CIE chromaticity was CIE x = 0.3140, CIE y = 0.3201 and CCT (6500 K).
본 연구에서는 치과용 티타늄(CP-Ti)과 Ti-25wt%Pd를 인산염계 실리카$.$알루미나 주형재로 주조 후 SEM/EDS, XRD, XPS를 이용하여 주조시 생성되는 표면반응생성물을 조사하였다. Ti-25wt%Pd는 CP-Ti에 비하여 융점이 현저이 감소하여 주조체의 표면반응이 상대적으로 적게 발생하였다. 또한 인산염계 실리카$.$알루미나 주형재를 소성한 결과 주형재는 $SiO_2$, $Al_2$$O_3$, P$_2$$O_{5}$, $Mg_3$(P $O_4$)$_2$, AlP $O_4$, $Mg_2$$SiO_4$, MgAl$_2$$O_4$의 성분들로 구성되어 있었으며, 표면반응생성물은 CP-Ti 주조체의 경우 $Ti_{5}$Si$_3$ 와 Ti $O_2$로, Ti-25wt%Pd 주조체의 경우 Ti $O_2$ 와 $SiO_{x}$ 로 구성되어 있었다.
By using the hybrid physical-chemical vapor deposition (HPCVD) technique, we have fabricated $MgB_2$ thick films on $Al_{2}O_3$ substrates with various impurity layers of Ni, Ti, and SiC. We have found a significant enhancement of the critical current density ($J_c$) for $MgB_2$ films grown on impurity layered substrates, indicating that additional impurity layers were provided as possible pinning sites by chemical doping in $MgB_2$ films. All samples doped by Ni, Ti, and SiC were observed to have high superconducting transition temperatures of 39 - 41 K. The $J_c$ of $MgB_2$ films grown on SiC impurity layered substrates showed three times higher than that of undoped films at high magnetic fields above 1 T.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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