The Transactions of the Korean Institute of Electrical Engineers P
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제57권2호
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pp.135-139
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2008
MFISFETs with platinum electrode on the $LiNbO_3$/aluminum nitride/Si(100) structures were successfully fabricated and the properties of the FETs have been discussed. $I_D-V_G$ characteristics of MFISFETs for linear region (that is, 0.1 V of the drain voltage) showed hysteresis loop with a counter-clockwise trace due to the ferroelectric nature of $LiNbO_3$ films. A memory window (i.e., threshold voltage shift) of the fabricated device was about 2[V] for a sweep from -4 to +4[V]. The estimated field-effect electron mobility and transconductance on a linear region were 530[$cm^2/V{\cdot}s$] and 0.16[mS/mm], respectively. The drain current of 27[${\mu}A$] on the "on" state was more than 3 orders of magnitude larger than that of 30[nA] on the "off" state at the same "read" gate voltage of l.5[V], which means the memory operation of the MFISFET.
Manganese-doped $Zn_2SiO_4$ phosphors well known as a green emitter with high luminescence efficiency were prepared by the homogeneous precipitation method, and their photoluminescence properties under vacuum-ultraviolet (VUV) excitation were investigated. $Zn_2SiO_4$:Mn phosphors obtained by this method have exhibited a high luminance of property and a spherical shape of particles. In particular, the green emission intensity of zinc orthosilicate prepared as containing around 2 mole% of manganese was much stronger than that of the commercial $Zn_2SiO_4$:Mn phosphor, while the decay time was longer. However, addition of $Al^{3+}$ and $Li^+$ into $Zn_2SiO_4$:Mn composition has significantly diminished the decay time of the phosphor without much degradation of the emission intensity.
Effects of additionof $NH_4Cl$, NaBr and LiF on the formation of Zircon and the synthesis of CdS-Se red stain were investigated by means of XRD, DTA and the color standard and color nomenclature. The red stain of CdS-Se system shows a little difference dependent on firing temperature on firing conditon. Consequently it forms a good soid-solution with red color under the ratio of CdS and Se 3.5 -4.1 at 58$0^{\circ}C$. But it changes to dark red as increasing Se. LiF is the most effective in mineralizer to preparae zircon with the equilbrant molar $SiO_2$ and ZrO Zircon makes a good preparation in 0.33 mole LiF from 90$0^{\circ}C$.
Journal of the Korean Crystal Growth and Crystal Technology
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제6권1호
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pp.44-55
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1996
Emerald (3BeO{\cdot}Al$_{2}$O_{3}{\cdot}6SiO_2 : Cr^{3+}$) single crystals were grown by flux method of $Li_2O-MoO_3 - V_2O_5$ system. The composition of starting materials were 1, 3, 5 mole ratio of $MoO_3 - V_2O_5/$Li_2O$, 20 - 15% of emerald content to flux composition and 1% of $Cr_2O_3$ colordopant to emerald composition. After mixing those were melted at $1100^{\circ}C$ in Pt crucible of electric furnace. Single crystal growth was cooled down slowly rate of $3^{\circ}C$/hr from $1100^{\circ}C$ to $650^{\circ}C$, for the cooling period it was controlled and prevented the nucleation of microcrystallite from variation of each thermal fluctuation range. Specially it has been obtained plenty of large emerald single crystal when thermal fluctuation was treated for cooling period at $1050 ~ 950^{\circ}C$, in 3 mole ratio of $V_2O_5 - MoO_3/Li_2O$ flux. Emerald single crystal growing effect and $Cr_{+3}$ ion of substitutional solid solution effect for $Al_{+3}$ ion was good than mole ratio of 5. Emerald single crystals were c (0001) hexagonal rystal face of preferencial direction and m (1010) post side. Emerald was hexagonal columnar greenish transparent and 2.65 ~ 2.66 of specific gravity.
Zeolite X adsorbents with large surface area were prepared for using oxygen PSA adsorbent. Selective adsorption performance of nitrogen on the synthesized zeolite X adsorbent was improved by the cation exchange of adsorbent. The zeolite X which had over $650m^2/g$ surface area was synthesized at the conditions of $SiO_2\;:\;Na_2O\;:\;H_2O\;:\;Al_2O_3$ = 2.5 : 3.5 : 150 : 1 mole ratio, $98^{\circ}C$ temperature and 18 h synthesized time in 50 L reactor. The metal ions Li, Ag, Ca, Br, Sr, etc. were investigated for ion exchange with zeolite X. Ag ion was showed the highest ion exchange rate among these metal ions and all metal ions were exchanged with Na ion at equivalent rate. Compared with the NaX adsorbent, the ion exchanged zeolite X adsorbent remarkably improved its adsorption performance of nitrogen at the conditions of $10{\sim}40^{\circ}C$ temperature and 0~9 atm pressure. At an equilibrium pressure under 0.5 atm, adsorption performance of nitrogen on the ion exchanged zeolite adsorbent increased in the order of Ag > Li > Ca > Sr> Ba > K, whereas at an equilibrium pressure over 1 atm showed in the order of Li > Ag > Ca > Sr > Ba > K. Nitrogen/oxygen separation factor of Li ion exchanged zeolite X adsorbent was 13.023 at the partial pressure of nitrogen/oxygen gas mixture similar to air and $20^{\circ}C$ adsorption temperature.
Kim, Young Man;Jeong, Chan Yee;Lim, Chang Ho;Song, Taek Yong;Lee, Dong Soo
Analytical Science and Technology
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제9권4호
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pp.382-391
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1996
In this study, 12 different chemical species of fine ceramic($BaTiO_3$) were synthesized as the standard materials for the fast and accurate measurements of X-ray fluorescence spectrometry. Samples were diluted to sixteen times with the filling compound ($Li_2B_4O_7+LiBO_2$) in order to remove the matrix effect, and to get the convenient storage and homogeneity of ingredients. The matrix effects among the ingredients were corrected by the empirical coefficient method based on the Lucas-Tooth and Price model. The standard curve on 12 standard materials containing 15 elements were obtained by using X-ray fluorescence spectrometry at three different laboratories. The correlation factors of BaO, PbO, SrO, $Fe_2O_3$, $La_2O_3$, $SnO_2$, ZnO, $ZrO_2$, CaO indicated the relati vely good agreement over 0.995 among the three different laboratories. $SiO_2$ and $Al_2O_3$ showed the poor linearity because of their low fluorescence intensities.
Journal of the Korean Institute of Telematics and Electronics D
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제36D권11호
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pp.27-32
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1999
Metal-ferroelectric-semiconductor devices by susing rapid thermal annealed $LiNbO_3/Si$(100) structures were fabricated and demonstrated nonvolatile memory operations. The estimated field-effect electron mobility and transconductance on a linear region of the fabricated FET were about $600cm^2/V{\cdot}s$ and 0.16mS/mm, respectively. The ID-VG characteristics of MFSFET's showed a hysteresis loop due to the ferroelectric nature of the $LiNbO_3 films. The drain current of the on state was more than 4 orders of magnitude larger than the off state current at the same read gate voltage of 0.5V, which means the memory operation of the MFSFET. A write voltage as low as ${\pm}3V$, which is applicable to low power integrated circuits, was used for polarization reversal. The ferroelectric capacitors showed no polarization degradation up to $10^{10}$ switching cycles with the application of symmetric bipolar voltage pulse (peak-to-peak 6V, 50% duty cycle) of 500kHz.
International Journal of Precision Engineering and Manufacturing
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제7권3호
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pp.35-38
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2006
A study of electrowetting using an Octadecyltrichlorosilane (OTS) self-assembled monolayer (SAM) and Z- Tetraol 2000 perfluoropolyether lubricant as hydrophobic layers on Si and $SiO_2$ wafer was performed. The $SiO_2$ layer used as insulating layer was thermally grown on the silicon wafer to a thickness of 220-230 nm. The results demonstrated that the contact angle decreased from $100^{\circ}$ to $80^{\circ}$ at 28 V applied potential on $SiO_2$ wafer coated with OTS and the contact angle appeared to be reversible. However, the contact angle on the $SiO_2$ wafer coated with Z- Tetraol 2000 was not observable at 28 V applied potential. Furthermore, the contact angle on the Si wafer coated with OTS or Z- Tetraol 2000 appeared to be irreversible due to the generation of electrolysis in the droplet. It is concluded that it is feasible to use SAM as a hydrophobic layer in electrowetting applications.
Proceedings of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers Conference
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한국전기전자재료학회 2007년도 추계학술대회 논문집
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pp.43-44
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2007
SiO and graphite composite has been prepared by adopting high energy ball milling technique. The anode material shows high initial discharge and charge capacity values of 1138 and 568 mAh/g, respectively. Since the materials formed during initial discharge process the nano silicon/$Li_4SiO_3\;and\;Li_2O$ remains as interdependent, it may be expected that the composite exhibiting higher amount of irreversible capacity$(Li_2O)$ will deliver higher reversible capacity. In this study, pretreatment method of constant current-constant voltage (CC-CV) Provided high coulombic efficiency of SiO/C composite electrode removing the greater part of irreversible capacity.
Granitoids in the Younggwang-Kimje area can be divided into two types of granite. One is foliated granite (Cheongup and Kochang foliated granites) developed along the NE-SW direction kwangju fault system and the other is undeformed granite (Kimje and Younggwang granites) developed in the western part of the area. $SiO_2$ content of study area, Younggwang granite is 62.8-74.0%, Kochang foliated granite is 64.5-74.4%, Cheongup foliated granite is 64.5-70.2%, Kimje granite is 63.4-72.0%. The result indicated that these granitoids belong to the intermediate and acidic rock. In Harker's diagram, as $SiO_2$ increases, $Al_2O_3$, $Fe_2O_3$, MgO, CaO, $TiO_2$> $P_2O_{5}$s and MnO decrease, but $K_2O$ increases. In AFM diagram, Younggwang granite, Kochang foliated granite, Cheongup foliated granite and Kimje granite belong to calk-alkaline rock series. And in triangular diagrams of normative Qz-Or-Pl and An-Ab-Or, they are located in granodiorite and granite region. On the co-variation diagrams of trace elements with silica, Ba, Co, Li, Nb, An, Rb elements show increasing patterns. The diagrams of ACF and $Na_2O$ vs. $K_2O$ ratios indicate that granitoids of the study area belong to I-type.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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