• 한국세라믹학회지
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• 제39권9호
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• pp.829-834
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• 2002

$Er(NO_3)_3{\codt}5H_2O,\;Mn(CH_3CO_2)_2{\cdot}4H_2O$를 출발원료로 사용하여 졸-겔 법으로 Si(100) 기판 위에 코팅된 $ErMnO_3$ 박막의 강유전 특성에 관하여 연구하였다. $ErMnO_3$ 박막은 800$^{\circ}C$에서 결정화가 시작되었으며, (001)로 우선 배향된 $ErMnO_3$ 박막을 얻을 수 있었다. 본 실험에서 800$^{\circ}C$에서 1 h 열처리하여 얻은 $ErMnO_3$ 박막은 1∼100 KHz의 주파수 범위에서 유전 상수(k)는 26, 유전 손실(tan ${\delta}$)은 0.032의 값을 나타내었으며, 이때 $ErMnO_3$ 박막의 입자 크기는 10∼30 nm이었다. 강유전 특성은 (001) 배향성이 증가할수록 잔류 분극 값이 증가하였으며, 800$^{\circ}C$에서 1시간 열처리하여 $ErMnO_3$ 박막의 잔류 분극 값($P_r$)은 400 nC/$cm^2$를 나타내었다. 또한 열처리 시간이 증가할수록 치밀하고 균일한 박막을 얻어 낮은 항전계 ($E_c$) 값을 가졌다.

• 한국세라믹학회지
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• 제37권10호
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• pp.981-986
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• 2000

Er(NO$_3$)$_3$.5$H_2O$, Mn($CH_3$$CO_2$)$_2$.4$H_2O$를 출발원료로 사용하여 졸-겔법으로 제조한 ErMnO$_3$박막의 열처리 온도 및 기판 배향성에 따른 박막 배향성과 누설 전류 특성에 관하여 연구하였다. ErMnO$_3$박막은 75$0^{\circ}C$ 이하의 온도에서 1시간 열처리 시비정질상태였으나, 78$0^{\circ}C$ 이상의 온도에서 hexagonal pahse인 ErMnO$_3$로 결정화되었다. 열처리 온도가 증가할수록 기판 배향성과 무관하게 모든 방향으로 결정이 성장함을 알 수 있었다. 결정화 정도와 결정 성장 축에 따라 누설 전류 값이 변화함을 알 수 있었고, 80$0^{\circ}C$에서 열처리한 시편에서는 누설 전류 변화가 비선형적인 경향으로 증가하였으며, $10^{-5}$ A/$ extrm{cm}^2$ 이하로 유지되었다.

• 한국재료학회지
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• 제11권1호
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• pp.44-47
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• 2001

Ni 전극을 사용하는 $BaTiO_3$계 내환원성 X7R 조성에서 $Er_2$$O_3$ 첨가가 유전특성에 미치는 영향에 대하여 환원성 분위기에서 연구하였다. $MnO_2-MgO$가 첨가된 내환원조성에서 첨가량이 조절된 $Er_2O_3$의 복합첨가로 유전율의 온도안정성이 향상되어 X7R 규격을 만족시켰으며 2,970 이상의 상온 유전상수와 1.0% 이하의 유전손실율이 관찰되었다. $Er_2O_3$가 3.0 mol% 이상으로 과량 첨가되었을 경우 유전체의 온도특성은 향상되었으나 상온 유전상수가 현저히 감소하였다. 다른 첨가조성(1.5 mol% $Er_2O_3$2.0 mol% MgO)이 고정될 때 TCC곡선은 $MnO_2$첨가량이 증가함에 따라 시계방향으로 회전하였으며, 온도안정성을 향상시켰다.

• 한국세라믹학회지
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• 제42권11호
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• pp.763-769
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• 2005

Ferroelectric $ReMnO_3$(Re:Ho, Er) thin films were deposited on Si(100) substrate by Metal-Organic Chemical Vapor Deposition (MOCVD). Crystallinity and electric properties of $ReMnO_3$(Re:Ho, Er) thin films were investigated as a function of thermal heat treatment process, CHP (Conventional Heat-treatment Process) and RTP (Rapid Thermal Process). $ReMnO_3$(Re:Ho, Er) thin films prepared by RTP showed higher c-axis preferred orientation and homogeneous surface roughness than those prepared by CHP. The remnant polarization of ferroelectric hysteresis loop of $ReMnO_3$(Re:Ho, Er) thin films was strongly dependent on the c­axis preferred orientation of hexagonal single phase, and the leakage current characteristics of thin films were dependent on the homogeneity of grain size as well as surface roughness of thin films.

• 한국전기전자재료학회논문지
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• 제15권2호
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• pp.178-183
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• 2002

The effects of Dy$_2$O$_3$and Er$_2$O$_3$addition on the electromagnetic properties of Mn-Zn ferrite were investigated in the doping concentration range from 0.05 wt% to 0.25 wt%. All samples were prepared by standard fabrication of ferrite ceramics. The XRD patterns of sample were observed spinel and secondary phase. The densities of sample were showed nearly constant values. As the increased additive, electrical resistivity, initial permeability and real component of the series complex permeability increased with setting limits each other. Excess doped with Dy$_2$O$_3$ and Er$_2$O$_3$, those values decreased. The maximum electrical resistivity was observed with 0.15 we% and initial permeability was observed with 0.05 wt%. Magnetic loss decreased with additive and then increased in proportion to increased.

• 한국세라믹학회지
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• 제39권12호
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• pp.1128-1132
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• 2002

MFS-FET(Metal-Ferroelectric-Semiconductor Field Effect Transistor) 구조의 비휘발성 기억소자용 $ReMnO_3$(Re:Y, Ho, Er) 박막을 금속 유기 화학 기상 증착법(MOCVD)으로 증착하였다. $ReMnO_3$ 박막을 Si(100) 기판 위에 700${\circ}C$-2시간 증착 시켜 결정화를 위해 대기 중에서 900${\circ}C$-1시간 열처리 시 육방정계(hexagonal) 단일상의 $ReMnO_3$ 박막을 형성하였다. 육방정계 단일상 구조에서 $ReMnO_3$ 박막의 강유전 특성은 c-축 배향성에 의존하였으며, c-축 배향성이 우수한 $YMnO_3$ 박막의 잔류 분극(Pr) 값은 105 nC/$cm^2$로 가장 우수하였다. 또한 누설 전류 밀도(leakage current density) 값은 미세구조의 결정립 크기에 의존하였으며, 결정립 크기가 100∼150 nm인 $YMnO_3$ 박막의 누설 전류 밀도 값은 인가전압 0.5 V에서 $10^{-8}$ A/$cm^2$을 나타내었다.

• 한국세라믹학회:학술대회논문집
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• 한국세라믹학회 2000년도 춘계총회,특별강연,심포지움,연구발표회
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• pp.132.2-132.2
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• 2000

• 한국세라믹학회:학술대회논문집
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• 한국세라믹학회 2000년도 추계총회,초청강연,특별강연,연구발표회
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• pp.181.2-181
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• 2000

• 한국세라믹학회:학술대회논문집
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• 한국세라믹학회 2002년도 추계총회 및 연구발표회 초록집
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• pp.43.1-43
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• 2002

• 한국광학회:학술대회논문집
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• 한국광학회 2002년도 하계학술발표회
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• pp.96-97
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• 2002

불순물을 이용한 비휘발성 홀로그램저장[1,2]은 기존의 열정착을 광정착으로 대치하는 방법으로서 여러 가지 희토류 혹은 전이금속이온을 첨가한 LiMbO$_3$ (LNO) 단결정 재료에서 시도되고 있다. 대표적인 재료로서 Mn,Fe：LNO 가 있으나 Mn,Ce：LNO, Cu,Co：LNO, Tb,Fe：LNO 등도 연구되고 있고 Stoichiometric LNO 경우엔 Pr：LNO, Er：LNO, Tb：LNO 등이 연구되고 있다. 그 외에 Mn：YAlO$_3$도 약하긴 하지만 비휘발성이 최근 보고되었다. (중략)