Cu(I) 촉매를 사용하여 열반응을 이용한 N-heteroaryl carbazole을 합성하였고 이를 새로운 heteroleptic Ir(III) 착물 합성을 위한 주리간드로 사용하였다. 새로운 Ir(III) 착물은 일반적인 Ir(III) 착물이 가지는 5각 고리가 아닌 6각 고리를 주리간드와 Ir 금속 결합 사이에서 형성하는 것으로 X-ray 단결정구조를 통해 확인할 수 있었다. 합성한 Ir(III) 착물들은 좋은 인광 특성을 나타내므로 OLED 발광층 재료물질로의 가능성을 보여주었다. 주리간드와 보조리간드 변화에 따른 분광학적 특성을 고찰하였는데 PL 최대 발광 파장(λmax) 변화는 보조리간드가 Ir 금속과 더 강한 결합을 만들수록 단파장 쪽으로 이동하는 것을 발견하였다. 또한, 주리간드에 대해서는 Ir-N 결합을 만드는 헤테로아릴 그룹의 아로마틱고리 전자밀도가 커질수록 단파장 쪽으로 이동하는 경향이 있는 것을 알 수 있었다.
Ham, Chang-Woo;Song, Ki-Bong;Suh, Jeong-Dae;Cho, Jung-Min
한국전기전자재료학회:학술대회논문집
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한국전기전자재료학회 2009년도 추계학술대회 논문집
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pp.267-267
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2009
Solar cells with CIGS absorber layers have proven their suitability for high efficiency and stable low cost solar cells. We prepared and characterized particle based CIGS thin film using a non-vacuum processing. CIGS powder were obtained at $240^{\circ}C$ for 6 hours from the reaction of $CuCl_2$, $InCl_3$, $GaCl_3$, Se powder in solvent. The nanoparticle precursors were mixed with binder material. The CIGS thin film deposited on a sodalime glass. The CIGS thin film were identified to have a typical chalcopyrite tetragonal structure by using UV/Visible-spectroscopy, X-ray diffraction(XRD), Auger Electron Spectroscopy(AES), Scanning Electron Microscopy(SEM).
Cathodic stripping voltammetric determination of traces of selenium in plant samples was studied. Stripping peak of selenium (IV) from Cu-Se intermettalic deposit in acidic media containing copper (II) ion is specific, highly sensitive and well defined, is successfully used for the quantitative determination of selenuin down to the level of 1ng/ml. Sample is burnt in a calorimeter bomb under the oxygen pressure of 40atm. and the selenium is absorbed in 0.1M NaOH. After the solution is filtrated, concentrated and acidified with HCl, then passed through a column of cation exchange resin in the $H^{+}$ form(Dowex 50X-8). The column eluate is analyzed for selenium by differential pulse cathodic stripping voltammetric method. Analytical results of selenium for NBS SMR is well agreement with the certified values. Results are given for a series of plant materials.
Le, DuyKhanh;Tran, QuyetThang;Lee, Sangjun;Kim, Sangin
Journal of the Optical Society of Korea
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제18권5호
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pp.429-435
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2014
We examined the effective utilization of Particle Swarm Optimization (PSO) to enhance the light absorption performance in thin CuIn1-xGaxSe2 (CIGS) solar cells with dual (top and bottom) gratings. The PSO tuned structure was demonstrated to be capable of achieving high and ultra broadband absorption spectra due to well-spaced and well-defined absorption peaks, which were SPPs and photonic modes induced by the metal and dielectric gratings. For only TM polarization and both polarizations, the fully optimized net absorptions exhibit 85.6% and 78.1%, which correspond to ~35.4% and ~23.5% improvement compared to optimized flat structures, respectively.
몰리브덴 금속박막(Metal Mo)은 우수한 전기전도도로 인해 $CuInSe_2$로 대표되는 I-III-$VI_2$족 화합물 반도체 박막태양전지에서 후면전극으로 널리 이용되고 있는 재료로서 일반적인 증착방법으로CVD, PVD, Thermal evaporation, Sol-gel 등이 있으며, 이중에서 Sputtering에 의한 증착법이 주로 사용되고 있다. 이에 본 연구에서는 $MoO_3$분말의 수소 환원 과정 중에 발생하는 기상인 $MoO_3(OH)_2$ 기상의 화학증기수송(CVT)를 이용하여 $MoO_x$ 박막을 증착하고 다시 수소분위기에서 수소 환원하는 증착법을 통해 균일하고 부착성이우수한 Mo 박막을 제조 하였다. $550^{\circ}C$, 60min의 유지시간에서 약 900nm의 균일한 $MoO_x$ 박막을 증착하였으며, $650^{\circ}C$, 15min 의 환원조건에서 모두 금속 몰리브덴 박막으로 상변화 함을 XRD와 SEM을 통해 확인하였다. 본 연구에서 사용된 화학증기수송에 의한 박막 증착은 기존의 공정에 비해 매우 저렴하며, 반응중에 유해하지 않은 부산물로 인해 환경 친화적이며 또한 대형화가 가능한 공정으로 많은 응용이 기대된다.
II-V 족 화합물 반도체인 황화카드뮴(CdS)은 상온에서 2.42 eV의 밴드갭을 갖는 직접 천이형 물질로서 CdTe 또는 $CuInSe_2$와 같은 박막형 태양전지의 투과층(window layer)으로 널리 사용되고 있다. CdS 박막은 전자빔 증착법(e-beam evaporation), 화학용액증착법(chemical bath deposition), 열분해법(spray pyrolysis), 스퍼터링법(sputtering) 등으로 제작되고 있다. 이 중 스퍼터링법의 경우, 다른 증착법에 비해 조작이 간단하고 넓은 면적에서 균일한 박막을 증착할 수 있을 뿐만 아니라, 박막두께 조절이 용이하다. 따라서 본 실험에서는 RF 마그네트론 스퍼터링법으로 증착된 CdS 박막의 기판온도 및 열처리 온도변화에 따른 구조적 및 광학적 특성을 조사하였다. 기판은 RCA 기법으로 세정된 Corning Eagle 2000 유리 기판을 사용하였다. 박막 공정은 초기 진공 $1{\times}10^{-6}Torr$ 상태에서 20 sccm의 Ar 가스를 주입하고 100 W의 RF 파워, 7 mTorr의 공정 압력에서 기판 온도를 $200^{\circ}C$부터 $500^{\circ}C$까지 변화시키면서 수행하였다. 증착된 CdS 박막은 질소 분위기의 가열로(furnace)를 이용해 $300-500^{\circ}C$ 온도에서 30분간 열처리되었다. 시료들의 표면 형상은 scanning electron microscope를 사용하여 관찰하였으며, UV-vis-NIR spectrophotometer를 사용하여 400-1,000 nm 파장영역에서의 투과율을 측정하였다. 그리고 X-선 회절분석(X-Ray Diffraction)으로 결정구조를 조사하고 결정립 크기를 산출하였다.
Sung, Shi-Joon;Park, Mi Sun;Kim, Dae-Hwan;Kang, Jin-Kyu
Bulletin of the Korean Chemical Society
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제34권5호
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pp.1473-1476
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2013
Solution-based deposition of $CuIn_xGa_{1-x}Se_2$ (CIGSe) thin films is well known non-vacuum process for the fabrication of CIGSe solar cells. However, due to the usage of organic chemicals in the preparation of CIG precursor solutions, the crystallization of the polycrystalline CIGSe and the performance of CIGSe thin film solar cells were significantly affected by the carbon residues from the organic chemicals. In this work, we have tried to eliminate the carbon residues in the CIG precursor thin films efficiently by using soft-annealing process. By adjusting soft-annealing temperature, it is possible to control the amount of carbon residues in CIG precursor thin films. The reduction of the carbon residues in CIG precursors by high temperature soft-annealing improves the grain size and morphology of polycrystalline CIGSe thin films, which are also closely related with the electrical properties of CIGSe thin film solar cells.
To overcome the theoretical efficiency of single-junction solar cells (> 30 %), tandem solar cells (or multi-junction solar cells) is considered as a strong nominee because of their excellent light utilization. Organic-inorganic halide perovskite has been regarded as a promising candidate material for next-generation tandem solar cell due to not only their excellent optoelectronic properties but also their bandgap-tune-ability and low-temperature process-possibility. As a result, they have been adopted either as a wide-bandgap top cell combined with narrow-bandgap silicon or CuInxGa(1-x)Se2 bottom cells or for all-perovskite tandem solar cells using narrow- and wide-bandgap perovskites. To successfully transition perovskite materials from for single junction to tandem, substantial efforts need to focus on fabricating the high quality wide- and narrow-bandgap perovskite materials and semi-transparent electrode/recombination layer. In this paper, we present an overview of the current research and our outlook regarding perovskite-based tandem solar technology. Several key challenges discussed are: 1) a wide-bandgap perovskite for top-cell in multi-junction tandem solar cells; 2) a narrow-bandgap perovskite for bottom-cell in all-perovskite tandem solar cells, and 3) suitable semi-transparent conducting layer for efficient electrode or recombination layer in tandem solar cells.
We studied the change of photovoltaic properties of a flexible CuInxGa(1-x)Se2 (CIGS) solar cell fabricated on polyimide by mechanical bending with curvature radii of 75 mm (75R) and 20 mm (20R). The flexible CIGS cells were flattened on a PET film, then placed and forced against the surface of a curved block fabricated with pre-designed curvatures. Both up (compressive) and down (tensile) bending were applied to a specimen of CIGS on PET with curvatures of 75R and 20R for 10,000 times and 2,000 times, respectively. From J-V measurements, we found that the conversion efficiency (Eff.) was reduced by 3% and 4% for up-and down-bending, respectively, at curvature 75R; it was greatly reduced by 15% for curvature 20R in the up-bending. However, the open circuit voltage (Voc) and short-circuit current density (Jsc) seemed to change little, within 3%, for the applied mechanical stresses. The degradation in Eff. resulted from the deterioration of the series (Rs) and shunt (Rsh) resistances of the solar cell.
Laboratory experiments for the removal efficiency of heavy metals in land application of sludge, the accumulation and translocation of heavy metals in x plants after transplanting, and the responses of Minari growth with different ratio of land application of sludge were conducted to determine the potential ability of bioremediation with Minari plants. The removal rate and translocation of copper. zinc. lead. and cadmium in soil and plants were compared after transplanting the Minari plants to soil treated with different ratio of sludge. The removal efficiency of heavy metals in soil incorporated with sludge was different with application ratio, but increased with growing periods of Minari plants. The removal efficiency of Cu, Zn, Pb, and Cd ranged from 67 to 74% from 51% to 63%, from 37% to 71%. and from 15% to 25% after 45 days of transplanting. respectively. The amount removed the copper value. 65.9 mg/kg, observed to be highest in soil incorporated 3% sludge after 45 days. The translocation of Cu. Zn. Pb. and Cd from shoots to roots ranged from 18 to 53%, from 17 to 32%, from 14 to 49%, and from 23 to 38% over growing periods. respectively. In plant responses it appeared to be inhibited the plant growth in the treatment compared with the control at early stage of growth. However, the fresh weights of Minari plant increased from 12.5 to 62.5% in the sludge application after 45 days relative to the control. Therefore the Minari might play a useful role in bioremediation of Cu, Zn, Pb, and Cd in the land application of sludge.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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