Ni/Cr thin film is very interesting material as thin film resistors, filaments, and humidity sensors because their relatively large resistivity, more resistant to oxidation and a low temperature coefficient of resistance (TCR). These interesting properties of Ni/Cr thin films are dependent upon the preparation conditions including the deposition environment and subsequent annealing treatments. Ni/Cr thin films of 250 nm were deposited by DC magnetron sputtering on $Al_2O_3/Si$ substrate with 2-inch Ni/Cr (80/20) alloy target at room temperature for 45 minutes. Annealing treatments were performed at $400^{\circ}C,\;500^{\circ}C,\;and\;600^{\circ}C$ for 6 hours in air or $H_2$ ambient, respectively. The clear crystal boundaries without crystal growth and the densification were accomplished when the pores were disappeared in air ambient. Most of surface was oxidic including NiO, $Ni_2O_3$ and $Cr_xO_y$(x=1,2, y=2,3) after annealing in air ambient. The crystal growth in $H_2$ ambient was formed and stabilized by combination with each other due to the suppression of oxidized substance on film surface. Most oxidic Ni was restored when the oxidic Cr was present due to its stability in high-temperature $H_2$ ambient.
The electrical properties of ZPCCE (ZnO-Pr$_{6}$O$_{11}$-CoO-Cr$_2$O$_3$-Er$_2$O$_3$) based varistors were investigated with sintering temperature in range of 1335 to 135$0^{\circ}C$ for 1h. As the sintering temperature increases, the nonlinear exponent decreased, but was high beyond 40 except for 1.0 mol% Er$_2$O$_3$. Among all ZPCCE varistors, the varistor having the highest nonlinear exponent was obtained by sintering at 1335$^{\circ}C$, containing 2.0 mol% Er$_2$O$_3$ and then the nonlinear exponent was 78.05, and the varistors with 0.5 mol% Er$_2$O$_3$ exhibited the lowest leakage current of 1.92 $\mu$A.A.A.
One of characteristic of $Cr_2O_3-containing$ refractory is excellent resistance to corrosion. However, there is a problem that hexa-valent chromium, which is noxious to the human body, is easily formed by reaction between the refractory and slag with CaO, $Na_2O$ and/or $K_2O$. In this article, the reason why the $Cr_2O_3-containing$ refractory has excellent corrosion resistance qualities, he conditions under which hexa-valent chromium formed, methods for suppressing generation of hexa-valent chromium and the possibility of the refractory components excluding $Cr_2O_3$ for the furnace are described as a base of development of further excellent refractories.
투명전극부터 디스플레이 산업에 이르기까지 광범위하게 응용되어지고 있고 개발되어지고 있는 투명전도산화물(TCO)은 ZnO, In2O3, SnO2 등을 기본으로 하는 n-type 재료가 대부분이다. 그러나 투명전도 산화물을 이용한 light emitting diode(LED), 투명한 태양전지, p-형 TFT와 같은 투명전자소자의 개발을 위해서는 p-type 소재가 필수적이다. p-type TCO 소재는 비교적 연구 개발 실적이 매우 부진한 실정이었다. 1997년 넓은 밴드갭을 가지는 ABO2(delafossite) 산화물이 p-type으로서 안정적이라는 것을 보고함에 따라 이에 대한 연구가 활발히 진행되고 있다. 현재 ABO2 형태를 가진 Delafossite구조 산화물이 가장 유망한 p-type 투명전도체 소재로 거론되고 있다. Delafossite 구조가 p-type 투명전도체에 적합한 결정구조인 이유는 밴드갭이 넓고 공유결합에 유리하기 때문이다. Delafossite구조는 상온에서 2종류의 polytype(상온에서 Rhombohedaral구조와 hexagonal 구조)이 존재하며 이들은 각각 3R 및 2H의 결정 구조를 가지고 있다. ABO2의 delafossite구조에서 Cu+의 배열은 c-축을 따라 Cu-O-Cr-O-Cu의 연속적인 층 구조로서 2차원연결로 보여 진다. 보고된 Cu- base delafossite구조를 가지는 재료들은 CuAlO2, CuGaO2, CuInO2 등 여러가지가 있다. 본 연구에서는 PLD를 이용하여 c-plane 사파이어 기판위에 성장된 delafossite구조인 CuCrO2박막의 특성을 알아보았다. p-type 특성을 위하여 CuCrO2에 Zn를 첨가하였으며 그에 따른 구조적 전기적 특성을 조사하였다. 성장온도와 산소분압을 $500{\sim}700^{\circ}C$, 0~10mTorr로 변화시켜 특성을 연구하였다. 성장온도 $700^{\circ}C$, 산소분압 10mTorr에서 c-plane 사파이어 기판위에 c-축 배향의 에피성장된 CuCrO2:Zn 박막을 얻을 수 있었다. Mg를 도핑함에 따른 p-type 특성보다 현저히 떨어지는 것을 확인하였다. 또한 동일한 조건임에도 특정한 이차상의 존재를 통해 도핑된 Zn의 위치를 추측할 수 있었다. 온도와 분압에 따른 결정성과 표면상태를 SEM을 통해서 확인하였다.
The effects of various additives on the microstructures of sintered ZnO varistors were examined. Bi2O3, Sb2O3 and Cr2O3 were added to ZnO step by step to identify the effect of each component. The specimens were prepared by sintering at 110$0^{\circ}C$ and 120$0^{\circ}C$ in ambient atmosphere. In ZnO-Bi2O3-Sb2O3 ternary system, decrease of averge grain size due to antimony oxide addition depends on sintering temperature as well as Bi2O3 content. When Sb2O3 was partly or completely replaced by Cr2O3, grain size was further reduced. A significant amount of pyrochlore phase which was not transformed to spinel and Bi2O3-rich liquid phase seemed to remain during sintering at 110$0^{\circ}C$. Unlike ZnO-Bi2O3-Sb2O3 system, the $\alpha$-spinel phase containing significant amount of Cr did not transform to pyrochlore during furnace cooling. Fine spinel particles around 1${\mu}{\textrm}{m}$ size were ovserved within ZnO grains and grain boundaries, which were believed to be responsible for grain-growth inhibition in ZnO-Bi2O3-Sb2O3.
The microstructure and varistor characteristics of ZnO-Pr$_{6}$O$_{11}$-CoO-Cr$_2$O$_3$-Dy$_2$O$_3$(ZPCCD)-based ceramics were investigated with Dy$_2$O$_3$ content in the range of 0.0∼2.0 mol%. As Dy$_2$O$_3$ content is increased, the average grain size was decreased in the range of 18.6∼4.7 $\mu$m and the density was decreased in the range of 5.53∼4.34 g/cm$^3$. While, the varistor voltage was increased in the range of 39.4∼436.6 V/mm and the nonlinear exponent was in the range of 4.5-66.6 with increasing Dy$_2$O$_3$ content. The addition of Dy$_2$O$_3$ highly enhanced the nonlinear properties of varistors, compared with the ceramics without Dy$_2$O$_3$ Particularly, the ceramics with Dy$_2$O$_3$ content of 0.5 mol% exhibited the highest nonlinearity, in which the nonlinear exponent is 66.6 and the leakage current is 1.2 $\mu$A.A.A.
한국산 천연베릴을 잉요하여 온도구배융제환류법에 의해 에메랄드($3BeO{\cdot}Al_2O_3{\cdot}6SiO_2:Cr^{3+}$) 단결정이 성장되었다. 리튬-몰리브데늄-바나디움 산화물계 융제는 $(MoO_3+V_2O_5)/Li_2O$, 와 $V_2O_5-Li_2O$를 서로 다르게 용융한 2종류의 융제를 혼합하여 제조하였다. 융제의 최적 조성은 산화몰리브데늄.바나디움에 대한 산화리튬의 몰비($(MoO_3+V_2O_5)/Li_2O$)가 3몰이었고 융제첨가제는 Li2O량에 대하여 $K_2O$ 또는 $Na_2O$를 0.2mole% 이내로 치환하였다. 베릴원료의 용융 농도는 융제량에 대하여 3~10% 함량이었고, $Cr_2O_3$ 발색제는 베릴량에 대하여 1%이었다. 융액은 용융, 성장, 회수 블록으로 나뉘어진 3지대 온도구배 결정성장로에서, $1100^{\circ}C$와 $1000^{\circ}C$ 사이의 안정상태에서 연속적으로 순환되도록 하였다. 에메랄드 단결정은 성장지대에서 950~$1000^{\circ}C$ 구간에서 1일 1회 2시간동안 열진동 처리하였을 때 미소핵의 생성이 억제된 대형 단결정을 성장시킬 수 있었다. 육각주상 에메랄드 단결정의 우선성장방향은 c(0001) 바닥면이었고, m(1010) 기둥면에 수직이었다.
This experiment has been carried out for the purpose of investigating the effect of additives on densification and grain growth in magnesium oxide by a two-step process; hot pressing and heat treating. MgO powder has been obtained by calcining extra reagent grade MgCO3 at 90$0^{\circ}C$ for 30 minutes, and additives have been added to $MgCO_3$ in the form of soluble salts-Al$(NO_3)_3$$. $9H_2O$ and $Cr(NO_3)_3$.9H_2O$. The hot pressing has been carried out with changes of soaking time at 125$0^{\circ}C$ under the pressure of 250kg/$\textrm{cm}^2$, and the heat treating also at same temperature. The initial particle size of MgO measured by particle size analyzer was 0.86 microns. Densification rate obeyed the equation D=K lnt + C, and grain growth rate obeyed the equation G-G0=kt1/2. It was vaporization of some $Cr_2O_3$ and formation of solid solution that had an influence on desification of MgO containing $Cr_2O_3$. Activation energy for grain growth of pure MgO was 62.4 kcal/mole, therefore grain growth was supposed to be diffusioncontrolled process. But after heat treatmeat, excess additives were expected to slow down the grain growth by the formation of second phase or the solute atoms at grainboundary.
We investigated the formation of superconducting intergrowth phases through the interface reaction both between TlSr2Cu1O5 (Tl-121) and (CrO4)Sr2CuO2, and between Tl -121 and ((CO3)0.5(CrO4)0.5 Sr2CuO2 phases. We found oxychromate intergrowth phases can be formed through the interface reactions and a new superconducting oxychromate compound TlSr4Cu2Oz(CO3)0.5(CrO4)0.5 with Tc above 73 K was discovered based on the results of the interface reactions.
본 연구는 마포소각장에서 발생된 용융슬래그로부터 Na-A형 제올라이트를 합성하여 환경 저감재로 재활용키 위한 목적에서 수행되었다. 초기물질로 사용된 용융슬래그는 용제(flux)로 사용된 Fe 성분(19.6% of $Fe_2O_3$, and 18.9% of FeO)이 비교적 높기는 하지만, 상대적으로 제올라이트의 주요 성분인 $SiO_2$, $Al_2O_3$ 및 $Na_2O$가 각각 26.6%, 10.9% 및 2.7% 함유되어 제올라이트의 합성에 유리한 조성을 가지고 있다. 제올라이트의 수열합성은 $80^{\circ}C$에서 수행되었으며, $SiO_2/Al_2O_3\;=\;0.80{\sim}1.96$인 넓은 범위의 화학조성에서 Na-A형 제올라이트가 합성되는 것을 확인하였다. 제올라이트의 양이온 교환 능력은 10 h 이상의 합성시간에서 일정하게 거의 220 cmol/kg인 것으로 측정되었다. 합성된 제올라이트의 중금속 (As, Cr, Cd, Cu, Mn 및 Pb)에 대한 흡착능을 측정한 결과, As 및 Cr을 제외한 모든 중금속에서 높은 흡착율을 보였다. As와 Cr은 Eh-pH분석을 통해 각각 $HAsO_4^{2-}$와 $CrO_4^{2-}$인 이온상으로 존재하고 있음을 확인하였다. As와 Cr에 대한 제올라이트의 흡착률이 낮은 것은 이들 이온상들의 크기가 Na-A형 제올라이트의 pore size ($4\;{\AA}$)보다 상대적으로 큰 유효 이온반경($4\;{\AA}$, 직경 $8\;{\AA}$)을 가지고 있기 때문인 것으로 결론지었다.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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