• Bulletin of the Korean Chemical Society
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• 제22권7호
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• pp.739-742
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• 2001

Reactions of [Cp*Ir(η3-CH2CHCHPh)(NCMe)]OTf (1) with HC≡CR (R = H, CH2OH) in the presence of bases, B (B=NEt3, PPh3, AsPh3) produce stable Cp*Ir-η3-allyl-alkenyl compounds [Cp*Ir(η3-CH2CHCHPh)(-CH=CH-+B)]OTf (2) and [Cp*Ir(η3-CH2CHCHPh)(-C(CH2OH)=CH- +PPh3)]OTf (3), respectively in high yields. Cp*Ir-η3-allyl-alkynyl compounds Cp*Ir(η3-CH2CHCHPh(-C≡C-R') (4) and Cp*(η3-CH2CHCHPh)Ir-C≡C-p-C6H4-C≡C-Ir(η3-CH2CHCHPh)Cp* (5) have been prepared from reactions of 1 with HC≡CR'(R' = C6H5, p-C6H4CH3, C3H5, C6H9) and HC≡C-p-C6H4-C≡CH in the presence of NEt3.

• 한국방사선학회논문지
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• 제14권2호
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• pp.85-95
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• 2020

본 논문에서는 고에너지 엑스선(6MV X선)을 조사한 세뇨관의 세포막 모델에서 오줌의 원료구성성분인 포도당 수용액(H₂O-C₆H₁₂O₆)의 압력차에 따른 여과작용특성에 대하여 연구하였다. 이 실험에 사용한 세포막 모델은 polysulfone 지지막에다가 m-phenylene-diamine(MPD)과 trimesoyl chloride(TMC)- hexane을 계면중합으로 만들어진 여과성 고분자 복합막을 사용하였다. 0.5 wt% TMC- hexane 용액으로 만들어진 여과성막(CM-2)은 0.5 wt% TMC- hexane 용액으로 만들어진 여과성막(CM-1)보다도 총 부피투과플럭스(Jv)와 배제계수(R)가 매우 높다. 압력차(1.5~4MPa)와 36.5℃에서 방사선을 조사한 세뇨관의 고분자 막(세포막모델)은 포도당수용액(H₂O-C₆H₁₂O₆)에서 총 부피투과플럭스(Jv)와 배제계수(R)가 비 조사된 세포막모델보다 각각 약 2 ~ 13배, 4 ~ 6배 정도 감소되었다. 세포막모델에서 포도당수용액(H₂O-C₆H₁₂O₆)의 농도가 증가하면 배제계수(R)가 증가하고 총 부피투과플럭스(Jv)는 감소하였다. 결국 방사선조사로 인해서 세뇨관의 세포막에서 포도당수용액(H₂O-C₆H₁₂O₆)의 여과기능이 비정상적으로 되어 세포장해가 발생하게 되었다고 사료됐다.

• 한국결정성장학회지
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• 제10권1호
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• pp.5-12
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• 2000

Silicon carbide(SiC)는 뛰어난 전기적, 열적, 물리적 특성 때문에 내환경 전자소자용 반도체 재료로 널리 연구되고 있다. 본 연구에서는 화학기상증착법으로 단결정 6H-SiC 동종박막을 성장시키고 이의 성장 특성을 조사하였다. 특히, 몰리브덴 (Mo)-plate를 이용하여 SiC를 코팅하지 않은 graphite susceptor를 사용한 6H-SiC 동종박막 성장조건을 성공적으로 얻었다. 대기압 상태의 RF-유도가열식 챔버에서 CVD성장을 수행하였고, <1120> 방향으로 $3.5^{\circ}$off-axis된 기판을 사용하였다. 성장 박막의 결정성을 평가하기 위하여 Nomarski 관찰, 투과율 측정 , 라만 분광, XRD, 광발광(PL) 분광, 투과전자현미경(TEM) 측 정 등의 방법을 이용하였다. 이상과 같은 실험을 통하여, 본 연구에서는 성장온도 $1500^{\circ}C$, C/Si flow ratio ($C_3H_8$ 0.2 sccm, $SiH_4$ 0.3 sccm)인 성장조건에서 결정성이 가장 좋은 6H-SiC 동종박막을 얻을 수 있었다.

• Bulletin of the Korean Chemical Society
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• 제33권2호
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• pp.589-596
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• 2012

In this paper, the reactive dynamics properties of the reactions Ba + $C_6H_5Br$ and Ba + m-$C_6H_4CH_3Br$ were studied by means of the quasi-classical trajectory method based on the London-Eyring-Polanyi-Sato potential energy surfaces. The vibrational distributions, reaction cross sections, rotational alignments of the products BaBr all were obtained. The peak values of the vibrational distributions are located at $\nu$ = 0 for the reactions Ba + $C_6H_5Br$ and Ba + m-$C_6H_4CH_3Br$ when the collision energies are 1.09 and 1.10 eV, respectively. The reaction cross sections increase with the increasing collision energy, which changes from 0.6 to 1.5 eV. The product rotational alignments deviate from -0.5 and firstly increase and then decrease while the collision energy is increasing, just like that of Heavy+Light-Light system.

• 대한화학회지
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• 제9권4호
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• pp.169-173
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• 1965

클로로벤젠과 요오드, 염소 또는 일브롬화요오드와의 각 系를 사염화탄소 용액에서 分光光度法에 의하여 연구한 결과 $C_6H_5CI{\cdot}I_2,\;C_6H_5CI{\cdot}CI_2$ 및 $C_6H_5CI{\cdot}IBr$ 의 錯物이 형성됨을 알았다. 이들 錯物의 생성에 대한 $25^{\circ}$에서의 평형상수는 각각 0.106, 0.0400 및 0.109$lmole^{-1}$었다. 이 결과와 文獻에 있는 실험결과를 綜合하면 芳香族化合物과 할로겐 또는 할로겐間化合物과의 錯物의 상대적 안정도가 다음 순서로 감소함을 알 수 있다. $ICl>IBr>I_2>Br_2>Cl_2\;C_6H_6>C_6H_5CI$

• Korean Chemical Engineering Research
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• 제50권3호
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• pp.527-534
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• 2012

FCC 연료가스로부터 에틸렌 회수를 위한 흡착공정을 개발을 위하여 활성탄(AC)과 탄소분자체(CMS)로 충진된 흡착탑의 흡착 동특성을 비교하였다. FCC 연료가스로는 6성분($CH_4/C_2H_4/C_2H_6/C_3H_6/N_2/H_2$,32:15:14:2:12:25 vol.%) 혼합가스를 이용하였으며, 흡착탑의 흡착 및 탈착파과 실험을 실시하였다. 활성탄 흡착탑의 경우 파과는 $H_2$ < $N_2$ < $CH_4$ < $C_2H_4$ < $C_2H_6$ 순서로 나왔으며, CMS 흡착탑의 경우는 $H_2$< $CH_4$ < $N_2$ < $C_2H_6$ < $C_2H_4$ 순서를 보였다. CMS 흡착탑은 활성탄 흡착탑보다 성능이 나쁘나, 속도분리의 특성으로 $CH_4$와 $N_2$뿐만 아니라 활성탄에서 제거하기 어려운 $C_2H_6$ 이상의 성분들을 흡착단계에서 제거할 수 있다. 흡착탑의 재생은 감압과정만으로는 두 흡착제 충진탑에서 충분히 재생되기 어려우며, 진공재생이 필요하다. 따라서 CMS를 이용하는 흡착공정은 전처리 공정으로 설계하고, 활성탄을 이용하는 흡착공정을 주요 분리기로 설계하는 압력진공순환식 흡착공정(PVSA)이 에틸렌 회수에 제안될 수 있다.

• 한국결정학회지
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• 제1권1호
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• pp.19-28
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• 1990

단결정 6H-SiC는 에너지갭이 3.0eV인 반도체로서 청색발광소자 및 고온반도체소자로 응용이 기대되는 재료이다. 본 연구에서는 청색발광소자 제작을 위해 6H-SiC 단결정을 승화법으로 성장시켰다. 승화법으로 성장시 성장도가니내의 온도구배를 44℃/cm, 성장온도는 1800-1990℃ 압력은 50-1000 mTorr이었다. 사용한 종자정은 에치슨법으로 성장시킨 SiC 단결정을 사용하였다. 성장된 6H-SiC 결정은 종자징위에 epitaxial growtll를 하였음을 편광현미경과 Back reflection Xray Laue 법으로 확인하였다. 성장조건을 변화시켰을 때 생성되는 결정상의 변화를 XRD로 조사하였다. 성장 온도가 1840℃ 이상일 경우에는 6H-SiC이 성장되었으며, 그 이하에서는 6H-SiC가 성장되었다. 또한 3C-SiC는 저온 저파포화도 성장조건에서 성장되는 상임을 확인하였다. van der Pauw측정법에의한 전기적 특성을 조사하였는데, 전도형은 p형이고 hole 농도와 이동도는 7.6x1014cm-3와 19cm2 V-1sec-1였다.

• 대한화학회지
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• 제56권4호
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• pp.440-447
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• 2012

Heteroleptic complexes of zirconium (IV) derived from bulky Schiff base ligands containing a sulphur atom and oximes of heterocyclic ${\beta}$-diketones of the general formula ZrLL' (where $LH_2=RCNH(C_6H_4)SC:C(OH)N(C_6H_5)N:CCH_3$, $R=-C_6H_5$, $-C_6H_4Cl(p)$ and $L^{\prime}H_2=R^{\prime}C:(NOH)C:C(OH)N(C_6H_5)N:CCH_3$, $R^{\prime}=-CH_2CH_3$, $-C_6H_5$, $-C_6H_4Cl(p)$ were prepared by the reactions of zirconium tetrachloride with disodium salts of Schiff bases ($L\;Na_2$) and oximes of heterocyclic ${\beta}$-diketones ($L^{\prime}\;Na_2$) in 1:1:1 molar ratio in dry refluxing THF. The structures of these monomeric zirconium (IV) complexes were elucidated with the help of elemental analysis, molecular weight measurements, spectroscopic (IR, NMR and mass) studies. A distorted trigonal bipyramidal geometry may be suggested for these heteroleptic zirconium (IV) complexes. The ligands (bulky Schiff base ligands containing a sulphur atom and oximes of heterocyclic ${\beta}$-diketones) and their heteroleptic complexes of zirconium (IV) were screened against A. flavus, P. aeruginesa and E. coli.

• 한국결정학회지
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• 제12권3호
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• pp.137-140
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• 2001

화합물 PdCl₂(PhC≡N)₂(1) 와 2.6-diisopropylaniline 이 반응하여 trans-[Pd(NH₂-C/sub 6/-H₃-2, 6-i-Pr₂)₂Cl₂] (2)가 합성하였다. 화합물 2의 구조가 분광학적 방법(¹H-NMR, /sup 13/C-NMR, IR) 및 X-ray 회절법으로 규명되었다. 화합물 2의 결정학 자료: 단사정계 공간군 P2₁/n, a=13.532(3)Å, b=5.749(1)Å, c=17.880(4)Å, β=103.84(2)°, Z=2, R(wR₂)=0.0466(0.1226).

• 한국진공학회지
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• 제10권1호
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• pp.104-111
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• 2001

$SiH_4$, $CH_4$, $B_2H_6$ 혼합기체를 이용하여 플라즈마 화학증착법으로 비정질 탄화실리콘(a-SiC:H) 박막을 증착하였다. 기상 doping 농도를 0에서 $2.5\times10^{-2}$ 범위에서 변화시켜 얻은 박막의 물성을 SEM, XRD, Raman 분광법, FTIR, SIMS, 광흡수도와 전기전도도 분석을 통하여 살펴보았다. $B_2H_6$/($CH_4+SiH_4$) 기체유량비가 증가할수록 붕소의 도핑효율와 미세결정성은 감소하였다. 증착 중 $B_2H_6$ 기체가 첨가됨에 따라 비정질 탄화실리콘 박막의 Si-C-H 결합기의 강도는 감소하였으며, 이의 영향으로 박막내의 수소함량은 $B_2H_6/(SiH_4+CH_4$) 기체 유량비가 증가함에 따라 16.5%에서 7.5%로 단조감소하였다. $B_2H_6(CH_4+SiH_4$) 기체유량비가 증가할수록 a-SiC:H 박막의 광학적 밴드갭과 전기활성화 에너지는 감소하였고, 전기전도도는 증가하였다.