• 제목/요약/키워드: $C_2S/C_3S$층

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오스테나이트 침질탄화 처리한 고탄소 크롬 베어링강의 표면층 분석 (Analysis of Surface Compound for Austanitic Nitrocarburized High Carbon Chromium Bearing Steel)

  • 김창석;진재관;김동건
    • 열처리공학회지
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    • 제8권4호
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    • pp.279-288
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    • 1995
  • To investigate the characteristics of nitrocarburizing for high carbon chromium bearing steel, it was undertaken 4 hours holding at $850^{\circ}C$ in the atmosphere containing 60% endothermic gas and 40% ammonia. The microstructure of nitrocarburized surface consists of ${\varepsilon}-Fe_{2-3}N$, ${\gamma}^{\prime}-Fe_4N$, $Fe_3C$ and $Fe_3$(C,N), and the ${\varepsilon}$-nitride was rich in the surface-internal part. The nitrocarburized surface contains a larger volume fraction of primary carbonitrides and has more retained austenite and is slightly harder than the interior.

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고온 석탄 가스 탈황을 위한 개선된 망간계 탈황제 개발 (Development of the Advanced Manganese-Based Sorbent for Hot Coal Gas Desulfurization)

  • 손병현;최은화;조기철;전대영;오광중
    • 대한환경공학회지
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    • 제22권2호
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    • pp.291-302
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    • 2000
  • 연료가스로부터 황화수소를 제거하기 위해 망간계 탈황제를 개발하여, 대기압하 고정층반응기에서 황화/재생 반복실험을 통하여 탈황제의 효용성, breakthrough times, 그리고 평형농도를 구하였다. 황화수소 제거능에 영향을 미치는 입자크기, 황화반응 온도, 재생온도 그리고 재생 특성에 관해 살펴보았다. 황화수소 제거를 위한 적정 조업온도는 $800^{\circ}C$였으며 입자크기가 감소할수록 탈황능은 증가하였으나 입경 0.214~0.631mm에서는 큰 차이를 보이지 않았다. 실험으로부터 구한 황화수소 평형관계식은 log(K)=3.396/T-1.1105이고 탈황제 이용효율은 $800^{\circ}C$에서 92%를 나타냈다. 공기를 사용해서 재생할 때 $SO_2$ 배출농도는 $800^{\circ}C$에서 8.5% 이상, $850^{\circ}C$에서 8.4% 이상, 그리고 $900^{\circ}C$에서 8.8% 이상을 보여 황산제조에 사용될 수 있을 것으로 판단된다.

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전개판에 대한 수직해법 - 3 . 슬롯에 따른 단순만곡형전개판의 성능분석 - (Computational Fluid Analysis for the Otter Boards - 3 . Efficiency Analysis of the Single Cambered Otter Boards for the Various Slot Position -)

  • 고관서
    • 수산해양기술연구
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    • 제27권4호
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    • pp.278-285
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    • 1991
  • 현재 사용되고 있는 전개판의 성능을 보다 향상시키기 위한 방안으로 비행기의 익이론에 기초를 두고, 전개판의 경계층을 흡입하거나 제거하는 방법 중에서 역류역을 흡입하는 슬롯(slot)을 전개판에 적용하였다. 성능분석을 위해서 단순만곡형전개판에 슬롯이 없는 기준형과 슬롯의 위치에 따른 5종의 모형전개판에 대하여 성능실험과 가시화실험을 통하여 그 성능과 유체역학적 특성을 비교해 보았다. 실험결과를 요약하면 다음과 같다. \circled1 최대전개력계수는 0.6C, 0.4C, 기준형, 0.8C, 0.2C의 순으로, 슬롯의 위치 0.6C인 전개판이 영각 27$^{\circ}$에서 1.59로 가장 우수하였다. \circled2 항력계수는 슬롯의 위치가 후연으로 갈수록 감소하며, 슬롯을 준 경우가 기준형보다 작게 나타났다. \circled3 양항비는 0.6C, 0.4C, 0.8C, 0.2C, 기준형의 순으로 모두 기준형보다 높게 나타났다. \circled4 0.2C, 0.4C 및 0.6C의 전개판이 기준형과 0.8C의 전개판보다 박리가 후연에서 발생하였다. \circled5 전개판의 전.후면에서 유속차는 영각 15$^{\circ}$~25$^{\circ}$까지는 점차 증가하고, 30$^{\circ}$에서는 감소하는 것으로 나타났다. \circled6 박리역의 크기는 0.6C의 전개판에서 가장 적게 나타났다.

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4H-SiC MPS 다이오드의 P 영역 최적화에 관한 연구 (A Study on Optimization of the P-region of 4H-SiC MPS Diode)

  • 정세웅;김기환;김소망;박성준;구상모
    • 전기전자학회논문지
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    • 제20권2호
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    • pp.181-183
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    • 2016
  • 탄화규소(Silicon Carbide) 기반의 1200 V급 Merged Pin Schottky(MPS) 다이오드의 구조를 2D-atlas simulation tool을 사용하여 최적화 및 설계하였다. 최적화된 항복전압과 온-저항 값을 얻기 위해 본 소자에서 중요한 파라미터인 P-Grid의 도핑농도와 에피층의 도핑농도를 각각 $2{\sim}10{\times}10^{17}cm^{-3}$, $2{\sim}10{\times}10^{16}cm^{-3}$으로 변화시키면서 소자의 전기적 특성을 분석하였으며, 그 후 P-Grid의 Space값을 $1{\sim}5{\mu}m$로 설계하여 이에 따른 항복전압과 온-저항의 값을 확인하였다. 항복전압과 온-저항은 서로 trade-off 관계에 있기 때문에 각 변수에서 도출된 값들을 Baliga's Figure Of Merit (BFOM)식에 대입하여 비교하였다. 그 결과 고전압 소자에 적용 가능한 1200 V급 4H-SiC MPS다이오드를 최적화 및 설계를 도출하였다.

Single Ion Exchange Process에 의한 LCD용 기판유리의 강화 (Strengthening of Substrate Glass for LCD by Single ton Exchange Process)

  • 이회관;오영석;이용수;강원호
    • 한국세라믹학회지
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    • 제39권7호
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    • pp.675-679
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    • 2002
  • 강화유리를 제조하기 위해서, 디스플레이 기판으로 사용되는 soda-lime-silicate 유리를 대상으로 단일이온교환 특성에 대하여 3점곡강도와 잔류응력을 조사하였다. 단일이온교환을 47$0^{\circ}C$에서 1시간 처리 후, 45$0^{\circ}C$에서 24시간 행하였을 때, 62.5$\times$10$_{6}$ kg/$m^2$의 최대 강도 값을 나타내었다. 또한, 곡강도 측정 후 얻어진 시편의 파단면에 존재하는 잔류응력층을 파괴분석을 통하여 관찰한 결과, 이 잔류응력층이 외부하중에 대한 탄성 변형에너지를 흡수하여 유연성을 증가시킴을 알 수 있었다 또한, 탄성변형에너지 흡수는 만곡변화, 균열가지수 및 취성특성 분석에서도 관찰되었다.

암모늄 파라-메칠벤젠슬폰네이트의 결정 및 분자구조 (The Crystal and Molecular Structure of Ammonium p-Methylbenzenesulfonate)

  • 안중태
    • 대한화학회지
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    • 제32권4호
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    • pp.297-300
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    • 1988
  • 암모늄 파라-메칠벤젠슬폰네이트$(C_7H_11NO_3S)$의 결정 및 분자구조를 실온에서 X-선회절방법으로 결정하였으며 이 화합물의 결정은 사방정계인 $P_{na}2_1$에 속하며 a = 20.406(4), b = 6.271(1), c = 7.067(2)${\AA}$, V = 904.19 ${\AA}^3$, Z = 4, $D_x$ = 1.39, $D_m=1.38g{\cdot}cm^{-3}$, ${\lambda}(M_o K_{\alpha})$ = 0. 71069 ${\AA}$, ${\mu}=3.1 cm^{-1}$, T = 298K, F(000) = 400이다. 구조결정은 직접법을 이용하여 풀어 최소자승법으로 정밀화하였다. 최종 R값은 994개의 I > $16{\sigma}(I)$인 값에 대하여 0.057이다. 메칠벤젠과 황원자는 거의 같은 평면에 있고, $SO_3$와 암모늄이온간에는 3개의 수소결합으로 연결되어 있다. 그 중 둘은 음이온을 c축방향으로, 나머지 하나는 b축 방향으로 연결하여 2차원적인 친수성분자층을 형성하였다. 이들 분자층간에는 메칠벤젠기들이 모여 있어 소수성 분자층을 형성하고 있다.

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수영만 퇴적물의 퇴적속도와 중금속 오염 (Pollution of Heavy Metals and Sedimentation Rate in the Sediments of Suyeong Bay, Pusan)

  • 양한섭;김성수
    • 한국수산과학회지
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    • 제27권5호
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    • pp.643-658
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    • 1994
  • 수영만 퇴적물중 중금속 원소의 오염역사와 인위적 오염부하량을 알아보기 위하여 1993년 5월 수영만에서 4개의 주상퇴적물을 채취하여 $^{210}Pb$, TIL, TOC, TON 및 중금속 원소(Fe, Mn, Pb, Zn, Cu, Co, Cd, Ni)를 측정하였다. 1. 퇴적속도는 정점 S3에서 2.4 mm/yr($0.12g/cm^2/yr$)로 가장 느리고, 나머지 3개 정점에서는 $3.5{\sim}4.0 mm/yr(0.18{\sim}0.20g/cm^2/yr)$ 범위로 정점별 차이가 크지 않았다. TIL과 TOC의 농도는 가장 바깥 정점인 정점 S4에서 가장 높고, 용호만 입구쪽에 위치한 정점 S3에서 가장 낫은 반면에 TON은 정점 S2에서 가장 높고, 정점 S1에서 가장 낮았다. 반면, Co를 제외한 중금속의 농도는 대체적으로 수영강 하구쪽에 가장 가까운 정점 S1에서 가장 높고, 정점 S3에서 가장 낮았다. 2. 수영강 하구에 가까운 정점 S1과 정점 S2에서는 Pb, Zn 및 Cu의 농도가 1930년대부터 점차 증가하고 $1960{\sim}1970$년경에 극대값을 보이다가 그 이후에 점차 감소하는 경향이다. 그러나, Fe, Mn, Cd은 대체적으로 상부퇴적층에서 높고 하부퇴적층에서 낮으나, Co와 Ni은 오히려 하부퇴적층에서의 농도가 상부퇴적층보다 높다. 3. 4개 정점에 대한 인위적인 오염 총부하량은 Pb이 $9{\sim}291{\mu}g/cm^2$, Zn이 $165{\sim}1,122{\mu}g/cm^2$, Cu가 $20{\sim}208{\mu}g/cm^2$의 범위로 Zn이 가장 컸으며, 정점별로는 정점 S1과 S2가 정점 S3와 S4에 비해 수십 배 크다. 1900년 이후의 총퇴적량(anthropogenic+natural)에 대한 인위적 오염부하량의 비율은 정점 S1과 S2의 경우 Pb과 Cu는 $28{\sim}35\%$이고, Zn은 $32{\sim}42\%$에 상당한다. 그러나, 정점 S3와 S4에서는Pb이 $4\%$ 이하이고, Cu가 $11\%$ 이하이나 Zn은 $10{\sim}22\%$의 수준이다. 4. 성분 상호간의 관계를 보면, C/N비값은 TON과 좋은 정의 상관성(r=0.68)을 보이는 것으로 보아 C/N 비값의 수직분포는 TON에 의해 좌우된다고 할 수 있다. 인위적인 오염이 많은 Pb, Zn, Cu은 상관계수 0.7 이상으로 비교적 좋은 상관성을 보여 이들 물질의 공급원 및 지구화학적 거동이 유사함을 의미한다. 또한, Cd-Ni 및 Cd-TON은 상관계수 0.8 이상으로 좋은 정의 상관성을 보인다. 특히, Cd은 퇴적물내에서도 수주중에서와 마찬가지로 TON과 비슷한 거동을 한다고 판단된다.

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VOCs/$N_2$ 혼합물의 PDMS막을 통한 증기투과시 농도분극 현상이 투과거동에 미치는 영향 (Influence of Concentration Polarization Phenomenon on the Vapor Permeation Behavior of VOCs/$N_2$ Mixture Through PDMS Membrane)

  • 염충균;이상학;송해영;이정민
    • 멤브레인
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    • 제11권1호
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    • pp.50-59
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    • 2001
  • 증기투과를 이용한 휘발성유기물(volatile organic compounds, VOCs)/$N_2$ 혼합물의 분리에서 농도분극현상이 투과거동에 미치는 영향을 연구하였다. 막 재료는 VOCs와 친화력이 큰 poly(dimethylsiloxane)(PDMS) 막을 사용하였으며, VOCs는 염소화탄화수소류 중에 탄소수와 치환된 염소수를 고려하여 $CH_2Cl_2, CHCl_3, C_2H_4Cl_2, C_2H_3Cl_3$를 사용하였다. Feed의 유속, 투과온도, VOCs의 농도 등의 변화에 따른 투과거동의 변화를 관찰하였다. 유속이 감소함에 따라 막의 투과분리성능의 감소가 관찰되었으며, 응축성이 큰 VOCs일수록, VOCs의 농도가 높을수록 또는 투과 온도가 낮을수록 감소 폭이 큰 경향을 보였다. 이와 같은 투과거동의 변화는 농도분극현상에 의한 것으로, 유속이 감소함에 따라 경계층 내의 물질전달계수가 감소하여 농도분극현상이 증가하기 때문에 나타나는 투과거동의 변화로 해석하였다. 결과적으로 VOCs/기체 혼합물의 증기투과를 통한 분리 시 농도분극현상이 크지 않을 것이라는 일반적인 생각과는 달리 고무상 막을 통한 증기투과에서는 농도분극현상에 의한 막 성능의 감소가 크게 나타났다.

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Carbon diffusion에 의한 SiC matrix 내의 실리콘 양자점 특성 분석 (Influence of Carbon diffusion on the characterization of Si nanocrystals in SiC matrix)

  • 문지현;김현종;조준식;박상현;윤경훈;송진수;오병성;이정철
    • 한국신재생에너지학회:학술대회논문집
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    • 한국신재생에너지학회 2010년도 춘계학술대회 초록집
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    • pp.100.1-100.1
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    • 2010
  • 고효율 실리콘 양자점 태양전지를 제작하기 위해 Si과 C target을 co-sputtering 방식으로 제조한 SiC matrix를 열처리하여 박막 내에 Si nanocrystal들을 생성하였다. Si nanocrystal의 특성은 다양한 요인에 영향을 받는 데 barrier 물질인 SiC matrix가 가장 큰 영향을 준다. SiC는 900도 이상에서 열처리하는 동안 Si과 C과 SiC으로 재배열 혹은 재결합하는 데 이 때 가장 작은 carbon이 빠르게 diffusion하는 현상에 의해 Si nanocrystal의 성장과 특성에 영향을 주게 된다. 이 현상을 연구하기 위해 stoichiometric SiC/Si-rich SiC/stoichiometric SiC의 3층 구조로 시료를 제작하여 이를 SIMS의 depth profiling을 통하여 열처리 전보다 열처리 후에 Si-rich SiC layer내에 carbon이 약 2~3%정도 증가한 것으로 carbon이 diffusion된 것을 확인하였다. 이 시료를 UV-VIS-NIR spectroscopy, Raman, GIXRD 등의 다양한 측정을 통하여 carbon diffusion에 의한 Si nanocrystal의 특성변화를 연구하였다.

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In-situ ellipsometry를 사용한 광기록매체용 Ge-Sb-Te 다층박막성장의 실시간 제어 (Real time control of the growth of Ge-Sb-Te multi-layer film as an optical recording media using in-situ ellipsometry)

  • 김종혁;이학철;김상준;김상열;안성혁;원영희
    • 한국광학회지
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    • 제13권3호
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    • pp.215-222
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    • 2002
  • 광기록매체용 Ge-Sb-Te다층박막 성장과정을 in-situ 타원계를 사용하여 실시간으로 모니터하여 각 층의 두께를 제어하고 성장된 Ge-Sb-Te 다층박막을 ex-site 분광타원법으로 확인하였다. 보호층인 ZnS-SiO$_2$와 기록층인 Ge$_2$Sb$_2$Te$_{5}$을 단결정실리콘 기층 위에 스퍼터링 방법으로 각각 성장시키면서 구한 타원상수 성장곡선을 분석하여 성장에 따르는 보호층의 균일성 및 기록 층의 밀도변화를 파악하고 이를 기초로 하여 Ge-Sb-Te광기록 다층박막의 두께를 정밀하게 제어하였다. Ge$_2$Sb$_2$Te$_{5}$ 단층박막 시료의 복소굴절율은 eX-Situ 분광타원분석을 통하여 구하였다. 제작된 다층구조는 설정된 다층구조인 ZnS-SiO$_2$(1400$\AA$)$\mid$ GST(200 $\AA$)$\mid$ZnS-SiO$_2$(200$\AA$)와 각 층의 두께 및 전체 두께에서 1.5% 이내에서 일치하는 정확도를 보여주었다.주었다.