• 한국전기전자재료학회논문지
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• 제13권8호
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• pp.667-674
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• 2000

The stability of ZnO-Pr$_{6}$/O$_{11}$-CoO-Er$_{2}$/O$_3$based varistors was investigated with Er$_{2}$/O$_3$additive content of the range 0.0 to 2.0 mol%. All varistors sintered at 130$0^{\circ}C$ exhibited the thermal runaway within short times even under weak d.c. stress. As a result these varistors were completely degraded. On the contrary the stability of varistors sintered at 135$0^{\circ}C$ was far better than that of 130$0^{\circ}C$. In particular the varistors added with 0.5mol% Er$_{2}$/O$_3$ which the nonlinear exponent is 34.83 and the leakage current is 7.38 $mutextrm{A}$ showed a excellent stability which the variation rate of the varistors voltage the nonlinear coefficient and the leakage current is below 1%, 2%, and 3.5% respectively even under more severe d.c. stress such as (0.80 V$_{1mA}$9$0^{\circ}C$/12h)+(0.85 V$_{1mA}$115$^{\circ}C$/12h)+(0.90 V$_{1mA}$12$0^{\circ}C$12h) Consequently it is estimated that the ZnO-0.5 mol% Pr$_{6}$/O sub 11/-1.0 mol% CoO-0.5 mol% Er$_{2}$/O sub 3/ based varistors will be used to develop the advanced Pr$_{6}$/O$_{11}$-1.0 mol% CoO-0.5 mol% Er$_{2}$/O$_{3}$ based varistors will be used to develop the advanced Pr$_{6}$/O$_{11}$-based ZnO varistors having the high performance and stability in future. future.ure. future.

• 한국세라믹학회지
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• 제29권2호
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• pp.101-106
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• 1992

Sintering behavior, distribution of dopant oxides and electrical properties in the ZnO-Bi2O3-CoO-Sb2O3 and ZnO-Bi2O3-CoO-Sb2O3-Cr2O3 systems were studied. The linear shrinkage of ZnO varistors from 850 to 950$^{\circ}C$ was related to the decomposition reaction (py\longrightarrowsp+Bi2O3) of the pyrochlore phase. In the distribution of the dopant oxides (CoO, Sb2O3, Cr2O3), Co distribute uniformly throughout the sample, the distribution of Sb coincided with small particles (spinel phase, Zn7Sb2O12), and Cr distributed very consistently with Sb. The increase in breakdown voltage, due to the addition of Cr2O3, was not only attributed to the decrease in the ZnO grain size but also to the solution of Cr2O3 in the spinel phase. The leakage current (80% V60 ${\mu}\textrm{A}$) was increased by the addition of Cr2O3.

• Transactions on Electrical and Electronic Materials
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• 제10권5호
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• pp.152-155
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• 2009

The microstructure and the electrical properties of a ZnO varistor, which was composed of a ZnO-$Bi_2O_3$-$Sb_2O_3$-CoO- $MnO_2$ -NiO-$Nd_2O_3$ system, were investigated at various $Y_2O_3$ addition concentrations. $Y_2O_3$ played a role in the inhibition of the grain growth. As the $Y_2O_3$ content increased, the average grain size decreased from $6.8{\mu}m$ to $4{\mu}m$, and the varistor voltage($V_{1mA}$) greatly increased from 275 to 400 V/mm. The nonlinearity coefficient ($\alpha$) decreased from 72 to 65 with increasing $Y_2O_3$ amount. On the other hand, the leakage current ($I_L$) increased from 0.2 to 0.9 ${\mu}A$. These results confirmed that doping the varistors with $Y_2O_3$ is a promising production route for production of a higher fine-grained varistor voltage ($V_{1mA}$) which can dramatically reduce the size of the varistors.

• 한국세라믹학회지
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• 제41권6호
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• pp.464-470
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• 2004

ZnO-P $r_{6}$ $O_{11}$-CoO-C $r_2$ $O_3$- $Y_2$ $O_3$계 세라믹스로 구성된 ZPCCY계 바리스터의 소결시간별 DC 가속열화 스트레스에 대한 전기적 안정성을 조사하였다. 소결시간은 전기적 특성 및 안정성에 크게 영향을 미치는 것으로 나타났다. 소결시간이 증가함에 따라 비직선 지수는 51.2∼23.8의 범위로 감소하였으며, 누설전류는 1.3∼5.6 $\mu$A의 범위로 증가하였다. 1시간 소결된 바리스터는 비직선성은 우수하나 밀도가 낮은 관계로 안정성이 상대적으로 낮았으며, 3시간 소결된 바리스터는 안정성은 양호하나 비직선성이 다소 낮은 것으로 나타났다 2시간 소결된 바리스터는 비직선 지수가 38.6, 누설전류가 3.6 $\mu$A로 양호 하고, DC스트레스_0.95 $V_{1㎃}$15$0^{\circ}C$/12h에서 바리스터 전압, 비직선 지수, 누설전류, 손실계수 변화율이 각각 -0.8%, -1.8%, +74.4%, +0.9%를 나타냄으로서 안정성이 우수한 것으로 나타났다.다.

• 자원환경지질
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• 제46권2호
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• pp.105-121
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• 2013

본 연구에서는 원격탐사, 전기비저항탐사, 전기전도도탐사(전자기탐사), 시추공 영상촬영법을 융합하여 효과적인 제방의 안정성 및 누수 평가 방법을 서산 A지구 방조제에 적용하여 제시하였다. Landsat ETM+열적외선 밴드를 사용하여 방조제 부근에서 다른 온도의 해수와 담수가 혼합되는 양상을 통해 누수의 존재, 규모 및 기간을 유추하였다. 전기비저항탐사를 방조제를 따라 실시하여 평균비저항 값 83.197 ${\Omega}$-m이하를 보이는 이상대의 수평적 수직적 분포를 확인하였다. 간조와 만조 시의 전기전도도 값의 분석을 통해 배경치의 영향을 최소화한 수평적 이상대 분포를 확인하였다. 시추공영상촬영을 통해 파쇄대의 수직적 분포양상과 기존 탐사법의 정확도를 확인하였다. 그 결과 전체 제방의 연장 중 41.7%에서 세 수평적 이상대 탐사법의 중첩구간이 확인되었으며, 시추공에서 확인된 수직적 파쇄양상을 고려할 때 누수구간이 제방단면의 중심부를 따라 상당부분 수평적으로 연장이 되어 방대한 양의 누수가 존재할 가능성이 높을 것으로 사료된다. 네 탐사법의 융합적 접근은 각 탐사방법이 가지고 있는 장점을 부각하고 단점을 보완하여 수평적 및 수직적인 누수구간과 기간의 확인 및 판별이 가능하고, 시추공에서 확인된 수직적 파쇄양상의 수평적 연장성을 예측하는데 높은 신뢰도를 보인다 할 수 있다.

• Transactions on Electrical and Electronic Materials
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• 제15권6호
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• pp.348-352
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• 2014

In light of the sure protection function, the most important factors of a varistor are the clamping voltage ratio and degradation characteristics. The degradation characteristics of Pr/Co/Cr/Er co-doped zinc oxide varistors were investigated by impulse currents (0.4~2.1 kA) stress for the specified content of $Er_2O_3$ (0.5 and 2.0 mol%). The varistor doped with 2.0 mol% $Er_2O_3$ exhibited the best clamp characteristics, with the clamp voltage ratio (K) in the range of K = 1.63~1.88 at the impulse currents of 5-50 A. However, the varistor doped with 0.5 mol% exhibited excellent electrical stability, with variation rates for the breakdown field, for the nonlinear coefficient, and for the leakage current density of -6.9%, -12.6%, and -14.3%, respectively, after application of an impulse current of 2.1 kA. In contrast, the varistor doped with 2.0 mol% was destroyed after application of an impulse current of 1.2 kA.

• KSTLE International Journal
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• 제10권1_2호
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• pp.37-42
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• 2009

This paper presents the characteristics of volumetric efficiency of an axial type piston pump considering the piston tilting. A numerical analysis is carried out in order to obtain the pressure distribution considering the fluid inertia at the notch of the valve plate. The cylinder pressure variation and the discharge flow rate are measured experimentally according to the operating conditions such as supply pressure, rotational speed, and viscosity of the working fluid by using the cam type test apparatus. Leakage is also measured considering piston tilting. The characteristics of the volumetric efficiency are analyzed with respect to various operating conditions and leakage is also analyzed according to the piston tilting angle. Results are applicable to improve the design of an axial type piston pump.

• 한국인터넷방송통신학회논문지
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• 제17권2호
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• pp.245-250
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• 2017

케이블은 설치하여 동작함과 동시에 열화과정이 진행된다. 고압전력케이블 시스템에 있어, 케이블의 절연층 및 방식층의 절연상태뿐만 아니라 케이블을 연결하는 단말부 및 접속부의 절연상태도 함께 감시하여야 케이블 시스템의 절연상태를 종합 관리할 수 있다. 케이블 시스템(케이블 자체 및 접속재)의 상태가 계속 나빠지는 경우, XLPE의 절연 파괴현상으로 인한 화재가 발생한다. 우리는 케이블시스템의 절연 상태를 감시하기 위한 장비를 개발하여 충남 태안의 한국 서부발전주식회사(Korea Western Power Co. Ltd.)에 설치하였다. 이 논문에서, 이 장비를 사용하여 케이블에 흐르는 누설전류를 추출하여 누설전류의 표준편차를 계산하여 분석한 결과를 제시한다. 정해진 누설 전류의 표준 편차값이 기준값 미만이면 안전하지만. 그 이상이면 케이블시스템의 단말부 및 접속부의 절연상태가 나쁜 것으로 판단하고, 새로운 케이블시스템의 단말부 및 접속부로 대체함으로써 전력공급 중단으로 인한 전력설비의 중단사고를 미연에 방지할 수 있다.

• 마이크로전자및패키징학회지
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• 제10권3호
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• pp.57-65
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• 2003

본 연구에서는 웨이퍼 레벨 진공 패키징된 MEMS자이로스코프 소자의 신뢰성 시험 및 분석을 통하여 웨이퍼 레벨 진공 패키징의 파괴 메카니즘을 연구하였다. 진공 패키징의 주된 파괴 모드는 누설, 가스투과, 그리고 outgassing이다. 누설은 접합 계면이나 재질의 결함을 통하여 주로 발생되며, 접합폭을 증가시키거나 단결정 실리콘을 사용하면 누설이 감소한다. Outgassing은 실리콘 및 유리기판의 표면 및 내부에서 발생하며 주로 $H_2O$와, $CO_2$, $C_3H_5$ 및 유기 오염물질이었다. Epi-poly의 경우 SOI 웨이퍼보다 약 10배의 outgassing을 발생시킨다. 또한 유리기판을 샌드블라스트 공정을 사용하여 가공한 경우, 약 2.5배의 outgassing 양이 증가한다. Outgassing 제거를 위해서는 접합 전에 웨이퍼를 pre-baking하는 과정이 필수적이며, outgassing의 발생을 최대로 하기 위한 최적의 pre-baking조건은 실리콘과 유리 웨이퍼를 $400^{\circ}C$와 $500^{\circ}C$ 사이에서 pre-baking하는 것이다.

• JSTS:Journal of Semiconductor Technology and Science
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• 제8권2호
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• pp.111-114
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• 2008

We studied the influence of nanocrystalline silicon (nc-Si) thin film thickness on top gate nc-Si thin film transistor (TFT) fabricated at $180^{\circ}C$. The nc-Si thickness affects the characteristics of nc-Si TFT due to the nc-Si growth similar to a columnar. As the thickness of nc-Si increases from 40 nm to 200 nm, the grain size was increased from 20 nm to 40 nm. Having a large grain size, the thick nc-Si TFT surpasses the thin nc-Si TFT in terms of electrical characteristics such as field effect mobility. The channel resistance was decreased due to growth of the grain. We obtained the experimental results that the field effect mobility of the fabricated devices of which nc-Si thickness is 60, 90 and 130 nm are 26, 77 and $119\;cm^2/Vsec$, respectively. The leakage current, however, is increased from $7.2{\times}10^{-10}$ to $1.9{\times}10^{-8}\;A$ at $V_{GS}=-4.4\;V$ when the nc-Si thickness increases. It is originated from the decrease of the channel resistance.