• 한국세라믹학회지
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• 제26권1호
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• pp.139-145
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• 1989

An eutectic melt in the system(Bi2O3)0.85·(Nb2O5)0.15-6Bi2O3·SiO2 was unidirectionally solidfield at a rate of 0.5mm/h under a thermal gradient of 100℃/cm. Double crucibles and seed crystal plate were used in order to botain the composite crystals which had uniform microstructure throughout the ingot. The obtained composite crystals showed uniform microstructure, in which needle-like δ-(Bi2O3)0.85·(Nb2O5)0.15 crystals were arrayed in parallel in a matrix of γ-6Bi2O3·SiO2 single crystal. It was found that the <110> direction of δ-(Bi2O3)0.85·(Nb2O5)0.15 crystal was essentially parallel to the <111> direction of γ-6Bi2O3·SiO2 crystal in the composite crystals. A transverse thin plate of the composite crystals showed a high resolution optical transmission like an optical fiber array, and sharp chatoyancy was observed in the cabochon shaped composite crystals. Then, this may be useful for applications such as screen of a cathode ray tube or artificial cat's eye gem stones.

• 한국자기학회지
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• 제16권1호
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• pp.28-33
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• 2006

[ $Bi_{2/3}La_{1/3}FeO_3$ ]분말을 졸-겔법을 이용하여 제조하였다. 결정학적 및 자기적 성질을 열분석장치(TG-DTA), x-선 회절분석기(XRD), 주사전자현미경(SEM) 및 Mossbauer분광기를 이용하여 연구하였다. $Bi_{2/3}La_{1/3}FeO_3$ 단일상은 $600^{\circ}C$에서 3시간 동안 공기 중에서 열처리하여 얻을 수 있었으며, x-선 회절분석 결과 $Bi_{2/3}La_{1/3}FeO_3$ 분말은 rhombohedral 형태로 변형된 단순 perovskite 구조를 가졌으며 이때 격자상수 $=3.985\pm0.0005{\AA},\;\alpha=89.5^{circ}$이었다. Mossbauer스펙트럼 분석결과 $Bi_{2/3}La_{1/3}FeO_3$의 Neel온도는 $680\pm3K$임을 알 수 있었다. $Bi_{2/3}La_{1/3}FeO_3$의 이성질체이동 값은 0.27mm/s 값을 가졌으며, 이는 $Bi_{2/3}La_{1/3}FeO_3$.의 Fe 이온이 가지는 이온가는 $Fe^{3+}$의 high spin상태임을 보여주었다. $Bi_{2/3}La_{1/3}FeO_3$의 결정내의 Debye 온도는 $305\pm5K$ 평균 초미세 자기장 $H_{hf}(T)$는 $T/T_N<0.7$영역에서 $[H_{hf}(T)-H_{hf}(0)]/H_{hf}(0)=-0.42(T/T_N)^{3/2}-0.13(T/T_N)^{5/2}$로 spin wave가 결정 내에서 잘 여기 됨을 알 수 있었다.

• 한국분말야금학회:학술대회논문집
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• 한국분말야금학회 2006년도 Extended Abstracts of 2006 POWDER METALLURGY World Congress Part 1
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• pp.480-481
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• 2006

The n-type $(95%Bi_2Te_3-5%Bi_2Se_3)$ compound was newly fabricated by gas atomization and hot extrusion, which is considered to be a mass production technique of this alloy. The effect of powder size on thermoelectric properties of 0.04% $SbI_3$ doped $95%Bi_2Te_3-5%Bi_2Se_3$ alloy were investigated. Seebeck coefficient $({\alpha})$ and Electrical resistivity $(\rho)$ increased with increasing powder size due to the decrease in carrier concentration by oxygen content. With increasing powder size, the compressive strength of $95%Bi_2Te_3-5%Bi_2Se_3$ alloy was increased due to the relative high density. The compound with ${\sim}300\;{\mu}m$ size shows the highest power factor among the four different powder sizes. The rapidly solidified and hot extruded compound using $200[\sim}300{\mu}m$ powder size shows the highest compressive strength.

• 한국진공학회:학술대회논문집
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• 한국진공학회 2012년도 제43회 하계 정기 학술대회 초록집
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• pp.233-233
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• 2012

위상절연체(Bi2Te3)와의 격자상수 불일치 비율이 서로 다른 Si (111)와 Ge (111) 기판을 선택하여 Bi3Te3 박막의 성장 조건을 찾고 이에 따른 특성 분석을 수행하였다. 시료 제작은 초고진공 분위기에서 MBE를 이용하였고, AFM, XRD와 XPS로 각각 구조적 변화, 결정 상태 및 화학적 상태를 분석하였다. 우선 Si 위에 형성된 Bi2Te3의 경우, 초기 박막이 형성된 후, 증착 시간이 증가함에 따라 섬(island)모양의 구조물들이 step edge 부분에 분포되는 모습을 AFM 이미지에서 확인하였다. 형성된 박막의 스텝 단차는 약 1 nm 또는 이 값의 정수 배였고, 이것은 Bi2Te3 unit cell의 quintuple layer (QL) 값과 일치하였다. 또한 측정된 XRD pattern으로 Bi2Te3가 hexagonal 구조의 c-축에 따라 결정성이 이루어졌음을 확인할 수 있었다. XPS 스펙트럼에서는 Bi 4f가 높은 에너지 방향으로 2.3 eV, Te 3d는 낮은 에너지 방향으로 약 0.7 eV 만큼 구속 에너지의 화학적 이동이 나타남을 알 수 있었다. 이러한 결과는 Si 위에 Bi2Te3 박막이 높은 결정성을 가지고 형성되었다는 것을 의미한다. 또한 Si (111) 기판보다 Bi2Te3 결정과 격자상수 불일치의 비율이 상대적으로 작은 Ge (111)을 기판으로 하여 Bi2Te3 박막을 성장시켜 두 표면에서의 박막 성장의 특성을 비교, 논의할 것이다.

• 한국재료학회지
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• 제13권12호
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• pp.846-849
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• 2003

Doping effect of various ions in Bi-layered ferroelectric $SrBi_2$$Nb_2$$O_{9}$ (SBN) ceramics was studied. Undoped SBN ceramic and SBN ceramics doped with $Ba^{2＋}$, $Pb^{2＋}$,$ Ca^{2＋}$ , $Bi^{3＋}$ , $La^{3＋}$ , $Ti^{4＋}$ , $Mo^{6＋}$ , and $W^{6＋}$ ions were made by a solid state reaction. Dielectric constants were measured with temperature. Ferroelectric transition temperature decreased with $Pb^{2＋}$ , $Ba^{2＋}$ , $La^{3＋}$ doping, but the transition temperature increased with $Ca^{2＋}$ , $Bi^{3＋}$ , $Ti^{4＋}$, $Mo^{6＋}$ , or$ W^{6＋}$ ionic doping. These results show that the ion size plays an important role in the ferroelectricity of SBN ceramic.

• 한국전기전자재료학회:학술대회논문집
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• 한국전기전자재료학회 2003년도 하계학술대회 논문집 Vol.4 No.2
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• pp.1208-1211
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• 2003

High quality $Bi_2Sr_2Ca_nCu_{n+1}O_x$ superconducting thin films fabricated by using the evaporation method at various substrate temperatures, $T_{sub}$, and ozone gas pressures, $pO_3$. The correlation diagrams of the $Bi_2Sr_2Ca_nCu_{n+1}O_x$ phases with $T_{sub}$ and $pO_3$ are established in the 2212 and 2223 compositional films. In spite of 2212 compositional sputtering, Bi2201 and Bi2223 as well as Bi2212 phases come out as stable phases depending on $T_{sub}$ and $pO_3$. From these results, the thermodynamic evaluation of ${\Delta}H$ and ${\Delta}S$, which are related with Gibbs' free energy change for single Bi2212 or Bi2223 phase, was performed.

• 마이크로전자및패키징학회지
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• 제17권2호
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• pp.49-54
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• 2010

n형 $Bi_2(Te,Se)_3$ 분말을 용해/분쇄법으로 제조하여 가압소결 후, 가압소결체의 열전특성을 $Bi_2(Te,Se)_3$ 잉곳과 비교하였으며, $Bi_2(Te,Se)_3$ 열전분말의 기계적 밀링처리가 가압소결체의 열전특성에 미치는 영향을 분석하였다. $Bi_2(Te,Se)_3$ 잉곳은 $24.2{\times}10^{-4}W/m-K^2$의 power factor를 나타내었으며, 이를 가압소결함으로써 power factor가 $27.3{\sim}32.3{\times}10^{-4}W/m-K^2$로 향상되었다. 기계적 밀링처리한 분말로 제조한 $Bi_2(Te,Se)_3$ 가압소결체는 $100^{\circ}C$에서 1.02의 무차원 성능지수를 나타내었으며, $130^{\circ}C$에서 외인성-내인성 천이거동을 나타내었다.

• 한국결정성장학회지
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• 제4권4호
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• pp.363-369
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• 1994

$Bi_2Te_3$계 열전반도체에서 단결정재료는 성능이 우수한 반면에 그 제조에 있어서 긴 공정시간과 그에 따른 구성성분의 손실이 있다. 본 연구에서는 짧은 공정시간으로 단결정 $Bi_2Te_3$계 열전반도체 제조 공저으이 단점을 극복하기 위해서 $Bi_2Te_3$계 열전반도체 제조 공저의 단점을 극복하기 위해서 $Bi_2Te_3$계 열전반도체를 교류 통전 가압법으로 제작하였다. 이 소결 방법에서는 소결시간이 다른 방법과 비교하여 짧기 때문에 Te의 증발로 인한 결함의 발생을 줄일 수 있었으며 제조공정시 재료의 손실도 최소화할 수있었다. 가압 소결한 95 mol% $Bi_2Te_3-5 mol% Bi_2Se_3$ 다결정 열전반도체의 최적의 소결조건은 분말입도, 소결온도, 시간, 압력별로 각각 $125~250 {\mu}m, 400^{\circ}C$, 2분, $1500Kgf/cm^2$이고, 이조건에서 열전성능지수 $Z=2.2{\times}10^{-3}/K$이다.

• 공업화학
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• 제3권1호
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• pp.53-63
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• 1992

프로필렌을 선택산화시켜 아크로레인을 제조하는 반응을 Bi-molybdate 촉매상에서 고정층 반응기를 사용하여 연구하였다. ${\alpha}-Bi_2Mo_3O_{12}$위에 $MoO_3$를 담지시킨 M/BM-series 촉매는 함침법으로 제조되었고, 역으로 BM/M-series 촉매는 $MoO_3$위에 ${\alpha}-Bi_2Mo_3O_{12}$을 침전시켜 제조하였다. 또한 촉매의 특성분석을 위하여 질소흡착과 XRD, SEM을 이용하였다. M/BM-series 촉매에서는 $MoO_3$가 작은 입자로 분산되고 ${\alpha}-Bi_2Mo_3O_{12}$의 결정구조는 $MoO_3$상이 추가되어도 그 형상이 변하지 않는 채로 유지되었으나, BM/M-series 촉매의 표면형상 및 전체 구조는 촉매제조 중에 생기는 침전물인 $Bi(OH)_3$가 소성 도중 $MoO_3$와 반응하여 ${\alpha}-Bi_2Mo_3O_{12}$을 형성하는 관계로 그 조성에 따라 매우 불규칙적으로 변화하였다. 반응실험 결과, 두 종류의 촉매 모두에서 excess $MoO_3$가 포함되었을 때 활성이 크게 증가하였는데, 이는 선별산화반응이 주로 ${\alpha}-Bi_2Mo_3O_{12}$에서 일어나고 $MoO_3$는 ${\alpha}-Bi_2Mo_3O_{12}$에 산소 공급을 원활히 하여 활성을 증가시키기 때문으로 판명되었다. 또한 이러한 활성 증가는 ${\alpha}-Bi_2Mo_3O_{12}$와 기계적 혼합물 (mechanical mixture)에서도 관찰되었다.

• 한국재료학회지
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• 제21권1호
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• pp.46-49
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• 2011

Bi co-doped ZnS:Mn,Bi yellow phosphors for white light emitting diodes were prepared by the conventional solidstate reaction method. The optical and structural properties of ZnS:Mn,Bi phosphors were investigated by x-ray diffraction, scanning electro microscopy and photoluminescence. ZnS:Mn,Bi phosphors showed XRD patterns of hexagonal structure. The photoluminescence of ZnS:Mn,Bi phosphors showed spectra extending from 480 to 700 nm, peaking at 580 nm. The photoluminescence of 580 nm in the ZnS:Mn,Bi phosphors was associated with the 4T1 ${\rightarrow}$ 6A1 transition of the Mn2+ ions. The highest photoluminescent intensity of the phosphors under 405 nm and 450 nm excitation was obtained at Bi concentration of 7mol%. The optimum mixing conditions with epoxy and yellow phosphor for white light emitting diodes were observed in a ratio of epoxy:yellow phosphor of 1:3.5. The CIE chromaticity of the white LED at the 1:3.5 ratio was X = 0.3454 and Y = 0.2449.