• 제목/요약/키워드: $Bi_2S_3$

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낙동 비소-비스무스 광상의 Pb-Ag-Bi-S계 광물의 산출양상과 화학조성 (Occurrence and Mineral Chemistry of Pb-Ag-Bi-S System Minerals in the Nakdong As-Bi Deposits, South Korea)

  • 신동복
    • 자원환경지질
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    • 제39권6호
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    • pp.643-651
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    • 2006
  • 낙동 비소-비스무스 광상에서 산출되는 Pb-Ag-Bi-S계에 광물로는 방연석-마틸다이트(matildite) 고용체, 코살라이트(cosalite) 및 헤이로브스카이트(herovskyite)가 있다. 방연석-마틸다이트 고용체의 경우 자연비스무스와 더불어 황철석내의 틈을 채우면서 산출되는데, 불규칙한 모양을 이룬다. 코살라이트는 석영맥내에서 자연비스무스, 헤이로브스카이트 및 Bi-Te-S계 광물들을 포함하며, 타형의 독립된 결정으로 산출된다. 낙동광상에서 산출되는 마틸다이트는 $Ag_{1.07-1.11}Bi_{1.12-1.20}S_2$의 단성분 조성을 이루는 것므로 이상화학조성에 비해 $0.3{\sim}2.4$mole%의 $Bi_2S_3$가 초과 함유되어 있다. PbS와 $AgBiS_2$를 단성분하는 고용체의 경우 PbS는 약 54 mole% 이하의 함량을 나타내고, 그 이상의 경우는 관찰되지 않는다. 연구지역 코살라이트의 평균화학소성은 $Pb_{1.79}Bi_{2.29}Ag_{0.12}S_5$로서 순수한 코살라이트에 비하여서는 Pb가 결핍되어 있으며, Ag와 Cu를 각각 최대 1.47 wt.%와 0.27 wt.% 함유하고 있다. 헤이로브스카이트는 $Pb_{5.01}Ag_{0.26}Bi_{2.70}S_9$ 조성을 보이는데 $2Pb^{2+}$에 대한 $Ag^++Bi^{3+}$의 쌍치환과 더불어 $3Pb^{2+}$에 대한 $2Bi^{3+}$의 치환이 함께 일어난 것으로 여겨진다. 낙동광상의 Pb-Ag-Bi-S계 광물들의 생성 조건은 대략 $220{\sim}270^{\circ}C$ 온도와 200bar 미만의 압력인 것으로 해석된다.

Luminescence of CaS:Bi

  • 김창홍;편종홍;최 한;김성진
    • Bulletin of the Korean Chemical Society
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    • 제20권3호
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    • pp.337-340
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    • 1999
  • Luminescence of bismuth activated CaS, CaS:Bi, prepared in sodium polysulfide is studied. Excitation spectrum of CaS:Bi shows a band at 350 nm due to the recombination process between holes in Na+Ca2+ and electrons in conduction bands, in addition to bands at 260 nm from band gap of CaS, and at 320 nm (1S0→1P1) and at 420 nm (1S0→3P1) from electronic energy transitions of Bi. Emission band at 450 nm is from 3P1→1S0 transition of Bi3+, bands at 500 nm and 580 nm correspond to recombinations of electron donors (Bi3+Ca2+ and VS2-) with acceptors (VCa2+ and Na+Ca2+). Emission band of 3P1→1S0 transition is shifted to longer wavelength from CaS:Bi to BaS:Bi, due to the increase of the Stokes shift by the decrease of the crystal field parameter from CaS:Bi to BaS:Bi.

$Bi_2S_3$ 薄膜의 光學的 特性 (Optical Properties of $Bi_2S_3$ Thin films)

  • 위성동
    • 대한전자공학회논문지
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    • 제26권4호
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    • pp.62-66
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    • 1989
  • $Bi_2S_3$다결정과 $Bi_2S_3$ 무정형 박막은 증착방법에 의해서 성장되었다. 측정된 격자상수들은 기판온도 $210^{circ}C$에서 $a=1.708{\AA},\;b=3.943{\AA} 그리고 $c=3.943{\AA}$이었으며, orthorhombic 구조를 가진것으로 나타내었다. 다결정 박막 $Bi_2S_3$energy은 $289^{circ}C$ 에서 1.375eV로 측정되었다. 674nm의 중심에서는 변화된 광자흡수 구조로 생각되어졌다.

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Novel Bi2S3/TiO2 Heterogeneous Catalyst: Photocatalytic Mechanism for Decolorization of Texbrite Dye and Evaluation of Oxygen Species

  • Zhu, Lei;Oh, Won-Chun
    • 한국세라믹학회지
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    • 제53권1호
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    • pp.56-62
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    • 2016
  • A heterogeneous $Bi_2S_3/TiO_2$ composite catalyst was synthesized via a green ultrasonic-assisted method and characterized by XRD, SEM, EDX, TEM analysis. The results clearly show that the $TiO_2$ particles were homogenously coated with $Bi_2S_3$ particles, indicating that $Bi_2S_3$ particle agglomeration was effectively inhibited after the introduction of anatase $TiO_2$. The Texbrite BA-L (TBA) degradation rate constant for $Bi_2S_3/TiO_2$ composites reached $8.27{\times}10^{-3}min^{-1}$ under visible light, much higher than the corresponding value of $1.04{\times}10^{-3}min^{-1}$ for $TiO_2$. The quantities of generated hydroxyl radicals can be analyzed by DPCI degradation, which shows that under visible light irradiation, more electron-hole pairs can be generated. Finally, the possible mechanism for the generation of reactive oxygen species under visible-light irradiation was proposed as well. Our result shows the significant potential of $Bi_2S_3$-semiconductor-based $TiO_2$ hybrid materials as catalysts under visible light for the degradation of industry dye effluent substances.

BSCCO계 초전도체에서 서냉 열처리에 의한 2차상 석출 (The Precipitation of Second Phases by Annealing Heat Treatment in the $(Bi,Pb)_2$${Sr_2}{Ca_2}{Cu_3}{O_{10}}$ Superconductor System)

  • 이상희;김철진;유재무
    • 한국세라믹학회지
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    • 제37권12호
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    • pp.1212-1220
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    • 2000
  • Bi-2223 초전도체계에서 석출물을 flux-pinning center로 이용할 수 있는지 가능성을 타진하기 위하여 $Bi_{1.8}$P $b_{0.4}$S $r_{2}$C $a_{2.2}$C $u_3$ $O_{8}$ 조성을 가진 Bi-2223/Ag 선재를 반응온도, 산소분압, 시간 등을 변화시키면서 열처리를 행하였다. 열처리 후 석출물들은 XRD, SEM, TEM, EDS로 분석하였다. Bi-2223 모상내의 (Ca, Sr)$_2$(Pb,Bi) $O_4$, B $i_{0.5}$ P $b_3$S $r_2$C $a_2$Cu $O_{12+}$$\delta$/ (3221)와 같은 2차상들의 크기와 분포는 2223 입자들의 연결성을 파괴하지 않고 열처리 조건에 의해서 조절할 수 있었다. 서냉 열처리가 된 시편은 임계전류밀도( $J_{c}$)값이 증가하였는데, 이는 2223 입자내 나노미터 크기로 형성된 석출물들이 flux-pinning sites로 작용한 것으로 추정된다.다.

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Enhancement of Thermoelectric Properties in Cold Pressed Nickel Doped Bismuth Sulfide Compounds

  • Fitriani, Fitriani;Said, Suhana Mohd;Rozali, Shaifulazuar;Salleh, Mohd Faiz Mohd;Sabri, Mohd Faizul Mohd;Bui, Duc Long;Nakayama, Tadachika;Raihan, Ovik;Hasnan, Megat Muhammad Ikhsan Megat;Bashir, Mohamed Bashir Ali;Kamal, Farhan
    • Electronic Materials Letters
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    • 제14권6호
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    • pp.689-699
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    • 2018
  • Nanostructured Ni doped $Bi_2S_3$ ($Bi_{2-x}Ni_xS_3$, $0{\leq}x{\leq}0.07$) is explored as a candidate for telluride free thermoelectric material, through a combination process of mechanical alloying with subsequent consolidation by cold pressing followed with a sintering process. The cold pressing method was found to impact the thermoelectric properties in two ways: (1) introduction of the dopant atom in the interstitial sites of the crystal lattice which results in an increase in carrier concentration, and (2) introduction of a porous structure which reduces the thermal conductivity. The electrical resistivity of $Bi_2S_3$ was decreased by adding Ni atoms, which shows a minimum value of $2.35{\times}10^{-3}{\Omega}m$ at $300^{\circ}C$ for $Bi_{1.99}Ni_{0.01}S_3$ sample. The presence of porous structures gives a significant effect on reduction of thermal conductivity, by a reduction of ~ 59.6% compared to a high density $Bi_2S_3$. The thermal conductivity of $Bi_{2-x}Ni_xS_3$ ranges from 0.31 to 0.52 W/m K in the temperature range of $27^{\circ}C$ (RT) to $300^{\circ}C$ with the lowest ${\kappa}$ values of $Bi_2S_3$ compared to the previous works. A maximum ZT value of 0.13 at $300^{\circ}C$ was achieved for $Bi_{1.99}Ni_{0.01}S_3$ sample, which is about 2.6 times higher than (0.05) of $Bi_2S_3$ sample. This work show an optimization pathway to improve thermoelectric performance of $Bi_2S_3$ through Ni doping and introduction of porosity.

후열처리에 따른 Bi-Te 열전박막의 미세구조 연구 (Effect of post-annealing on the microstructure evolution of sputtered Bi-Te films)

  • 전성재;이후정;현승민;오민섭
    • 한국정밀공학회:학술대회논문집
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    • 한국정밀공학회 2011년도 춘계학술대회 논문집
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    • pp.741-742
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    • 2011
  • XRD 결과와 TEM 분석으로부터 열처리효과에 따른 Bi-Te 박막의 미세구조 변화를 확인하였다. $Bi_2Te_3$ 상이 $SiO_2$ 와 Bi-Te 박막의 경계면을 따라서 성장하였고 이는 열전성능에 중요한 영향을 미치는 것을 확인하였다.

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적층형 ZnO바리스터의 내부전극과 Bi$_2$O$_3$ 와의 반응 (The Reaction of Internal Electrodes with Bi$_2$O$_3$ in Multilayer ZnO Varistor)

  • 김영정;김환;홍국선;이종국
    • 한국세라믹학회지
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    • 제35권11호
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    • pp.1121-1129
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    • 1998
  • Reactions between Ag-Pd internal electrode materials and{{{{ { {Bi }_{2 }O }_{3 } }} in multilayer chip varistor were in-vestigated. For more than 1 mol%{{{{ { {Bi }_{2 }O }_{3 } }} in varistor composition internal electrode structure was destroyed due to the reaction between internal electrode and{{{{ { {Bi }_{2 }O }_{3 } }} But for typical varistor compositions (below 1 mol% of{{{{ { {Bi }_{2 }O }_{3 } }} content) microstructural changes around the internal electrode were not observed. However SEM-EDS and TEM-EDS analysis showed the uneven distribution of{{{{ { {Bi }_{2 }O }_{3 } }} in the internal electrode which was due to the migration of{{{{ { {Bi }_{2 }O }_{3 } }} to the electorde during sintering. As a results the nonlinear coefficient of multilayer varistor showed very large distribution as well as the breakdown voltage.

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PDP Rib용 Bi2O3-B2O3-ZnO계 유리의 물성과 구조 (Properties and Structures of Bi2O3-B2O3-ZnO Glasses for Application in Plasma Display Panels Rib)

  • 진영훈;전영욱;이병철;류봉기
    • 한국세라믹학회지
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    • 제39권2호
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    • pp.184-189
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    • 2002
  • 본 연구는, PbO-base 유리계의 정보와의 비교 등을 통해 Bi-base 조성 PDP rib으로의 새로운 유리조성 설계를 위한 기초연구의 일환이다. PbO와 유사한 밀도값 및 작업 용이성을 갖고 있는 Bi를 도입한 $Bi_2O_3-B_2O_3-ZnO$ 조성계에 대해, 연화점, 열팽창계수, 에칭성, 유전율 등의 특성측정 및 XPS로 조성에 따른 구조변화 등을 조사하였다. $Bi_2O_3$를 50∼80 wt%까지 폭넓게 첨가된 $Bi_2O_3-B_2O_3-ZnO$계 유리들은 조성에 따라 연화점이 400∼480$^{\circ}C$, 열팽창계수가 $68{\sim}72{\times}10^{-7}/^{\circ}C$, 유전상수는 13∼25으로서 동조성의 Pb-base 조성계와 유사한 물성치를 나타내었다. 특히, Bi의 함유량이 70∼65 wt%의 조성의 경우, 성분 및 물성의 미세조정 등을 통해 rib 재료의 출발조성으로서 적용가능성이 확인되었다. $Bi_2O_3$의 양이 감소함에 따라 $O_{1s}$ peak에서의 결합에너지의 증가와 반가폭(FWHM)이 감소하였는데, 이는 비가교산소의 증가에 기인하였다.

Chip inductor용 Co2Z type Ba-ferrite의 저온소결에 관한 연구 (Study on Low-Temperature sintering of Co2Z type Ba ferrites for chip inductor)

  • 조균우;한영호;문병철
    • 한국자기학회지
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    • 제12권5호
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    • pp.195-200
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    • 2002
  • 각종 산화물을 첨가하여 Co$_2$Z type Ba-ferrite의 저온소결에 관하여 연구하였다. Co$_2$Z type Ba-ferrite 상은 2회 하소과정을 통하여 얻을 수 있었으며, 생성된 상의 XRD peaks는 일부 minor peaks 제외하고는 standard peaks와 거의 일치하였다 제조된 분말은 저온소결을 위하여 ZnO-B$_2$O$_3$ glass리 단독 첨가 및 CuO 또는 Bi$_2$O$_3$와 복합 첨가하였으며, 또한 ZnO-Bi$_2$O$_3$ glass를 단독 첨가하였다. 소결은 900~100$0^{\circ}C$에서 수행하였다. ZnO-B$_2$O$_3$ glass의 단독 첨가 시, 첨가량이 7.5 wt%일 때 가장 높은 수축거동을 나타내었다. ZnO-Bi$_2$O$_3$ glass와 CuO 또는 Bi$_2$O$_3$를 복합 첨가하였을 때, glass를 단독 첨가하였을 경우보다 수축률이 급격히 증가되었다. 또한 ZnO-Bi$_2$O$_3$ glass를 단독 첨가한 시편의 수축률과 초기 투자율은 ZnO-B$_2$O$_3$ glass를 단독 첨가한 시편보다 높은 값을 나타내었다.